专利名称：磁头用悬浮装置的制造方法
技术领域：
本发明涉及支承硬盘装置的磁头的悬浮装置(サスペンシヨン)。更详细地说是涉及配线一体型磁头用悬浮装置的制造方法。
在硬盘装置中使用的以前的磁头用悬浮装置，是将磁头元件设置在弹性金属片的一端，磁头元件与硬盘装置的信号处理元件的输入输出端子之间没有对弹性金属片一体化的导线配线。
可是，近年来，对于硬盘装置小型高容量化的进展，磁头用悬浮装置本身也有小型轻量化的必要。但是，由于与弹性金属片相比导线配线的小型轻量化不充分，如果推进磁头用悬浮装置的小型轻量化，相对于弹性金属片的导线配线质量、刚性相对的大，这就产生不能制造希望性能的悬浮装置的问题。
为此，建议用弹性金属片使配线轻量一体化，得到具有希望性能的，且配线一体型的小型轻量型的磁头用悬浮装置(特开平9-306114号公报)。该配线一体型磁头用悬浮装置的配线的形成如图3所示进行。
首先，制备将不锈钢箔(弹性材料)3l/聚酰亚胺薄膜(绝缘基底)32/铜箔(配线)33用粘结剂(未图示)层压的叠层材料(图3(a))。
用光刻法将该叠层材料的铜箔33构图形成金属掩膜34(图3(b))。该金属掩膜34功能是作为将聚酰亚胺薄膜32蚀刻成希望形状的绝缘基底35(参见图3(C))的蚀刻掩膜。在此，作为蚀刻的方法举例有激发物激光照射、等离子体蚀刻、强碱湿式蚀刻等。
接着，从叠层材料的金属掩膜34一侧，例如照射激发物激光L，残留不露出不锈钢箔31的厚度，用光刻除去露出部分的聚酰亚胺薄膜32，形成绝缘基底35(图3(C))。
接着，用光刻技术将金属掩膜34构图，形成配线36(图3(d))。
接着，用激发物激光L照射，光刻除去绝缘基底35以外的不锈钢箔31上的聚酰亚胺薄膜(图3(e))。
接着，用常法在形成的配线36上形成覆盖层37(图3(f))。由此得到配线一体型磁头用悬浮装置。根据需要，为了改善悬浮装置的机械性能，一般对不锈钢箔31施行弯曲加工(图3(g))。
但是，在图3所示的配线一体型的磁头用悬浮装置的制造方法中，需要进行2次铜箔构图(金属掩膜构图和配线构图)，因此要摸索铜箔构图工序的统一化。另外涉及将成为绝缘基底的聚酰亚胺薄膜构图的方法，在激发物激光照射的场合，有设备成本高，频繁维修，运行成本高，在激光照射部位粘着导电性碳化物等问题。另外，在湿式蚀刻的场合，需要使用对人体有害的成本高的蚀刻剂，无论在作业安全方面，无论在废液处理方面问题都多。
本发明就是要解决以上过去的技术，在制造配线一体型的磁头用悬浮装置时，可使成配线的铜箔的构图进行一次，且可能达到低成本、简便地形成绝缘基底的目的。
发明人发现聚酰胺酸层等的聚酰亚胺前体层，由于是热可塑性的，粘着性优越，可用非常廉价的碱成盐并可用温水处理简单地除去，另外，不影响设备成本，用操作处理简便的酰亚胺化处理，可变换成粘着性、耐热性和尺寸稳定性优越的聚酰亚胺，而且聚酰亚胺前体层对于铜箔的构图条件(酸性蚀刻剂等)具有耐性，不需要铜箔作为金属掩膜的功能，可一次解决铜箔的构图，至此完成了本发明。
即，本发明提供磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于包括以下工序(a)～(f)(a)在弹性材料层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(b)在聚酰亚胺前体层上形成配线用金属层的工序；(c)用除去法将配线用金属层构图形成配线的工序；(d)以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状用光刻技术将聚酰亚胺前体层构图的工序；(e)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(f)在配线上形成覆盖层的工序。
在该制造方法中，工序(f)也可在工序(e)之后实施，或者工序(f)也可构成如下在工序(c)和工序(d)之间，首先在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(d)中，将聚酰亚胺前体层以对应于聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(e)中，聚酰亚胺绝缘基底层形成时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序。
另外，本发明提供磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于包括以下工序(aa)～(ee)(aa)在弹性材料层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(bb)用半添加法在聚酰亚胺前体层上形成配线的工序；(cc)以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状，用光刻技术将聚酰亚胺前体层构图的工序；(dd)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(ee)在配线上形成覆盖层的工序。
在该制造方法中，工序(ee)也可在工序(dd)之后实施，或者工序(ee)也可由在工序(bb)和工序(cc)之间，首先在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(cc)中，将聚酰亚胺前体层以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时覆盖层用聚酰亚胺前体层以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(dd)中，聚酰亚胺绝缘基底层形成时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序构成。
下面边参照附图边按每个工序详细地说明本发明磁头用悬浮装置的制造方法。
图1是用除去法形成配线的例子，图2是用半添加法形成配线的例子。首先由图1来说明。
工序(a)在弹性材料层1上形成聚酰亚胺前体层2(图1(a))。
具体地说，在具有弹性的不锈钢箔等的弹性材料层1的一面上，用逗点式(コンマ)涂敷机、刮刀式涂敷机、辊式涂敷机、唇式涂敷机、模式涂敷机等涂敷聚酰胺酸等的聚酰亚胺前体溶解于N-甲基吡咯烷酮等中的聚酰亚胺前体漆，为防止层间粘合强度降低和后工序产生发泡，通常在150-200℃加热干燥，使残余挥发成分(溶剂、由缩合产生的水等)的含量(聚酰亚胺前体层中全部挥发成分的重量百分率(重量％))稳定在30-50％(重量)的范围内，形成聚酰亚胺前体层2。
还有在该干燥中聚酰亚胺前体的一部分酰亚胺化，干燥后聚酰亚胺前体层2的酰亚胺化率不超过50％。如果在50％以下，由利用碱蚀刻液的光刻技术可将聚酰亚胺前体层2以细小、高精度且低成本来构图。
如果聚酰亚胺前体层2的厚度过于薄，则机械强度变弱，如果过厚，酰亚胺化后的聚酰亚胺绝缘层对弹性材料层1的塑性变形的影响变大，理想的为5-25μm。
另外，作为构成聚酰亚胺前体层2的聚酰亚胺前体，为了防止弹性材料层1变形，使用的聚酰亚胺前体酰亚胺化后的聚酰亚胺的热线膨胀系数应与在酰亚胺化条件下被退火的弹性材料层1的热线膨胀系数大致相同是理想的。
在此，作为聚酰亚胺前体，可使用由酸二酐与二胺得到的聚酰胺酸类(参见特开昭60-157286号公报、特开昭60-243120号公报、特开昭63-239998号公报、特开平1-245586号公报、特开平3-123093号公报、特开平5-139027号公报)，由过剩的酸二酐和二胺合成的末端为酸二酐的聚酰胺酸预聚体和二异氰酸酯化合物得到的部分酰亚胺化的聚酰胺酸类(参见聚酰胺树脂手册，日刊工业新闻社发行(536页，1988年)；高分子讨论集，47(6)，1990年)等。其中，使用由酸二酐和二胺得到的聚酰胺酸类是理想的。
在此，作为酸二酐的例子理想的是苯均四酸二酐(PMDA)、3，4，3’，4’-联苯四羧酸二酐(BPDA)、3，4，3’，4’-二苯甲酮四羧酸二酐(BTDA)、3，4，3’，4’-二苯砜四羧酸二酐(DSDA)。另外，作为二胺的例子，理想的是4，4’-二氨基二苯基醚(DPE)、对苯二胺(p-PDA)、4，4’-二氨基苯酰苯胺(DABA)、4，4’-双(对氨基苯氧基)二苯砜(BAPS)。
作为弹性材料层1可使用与在以前的磁头用悬浮装置中所用的相同材料。例如SUS 304箔、SUS 430箔等的不锈钢。
还有，弹性材料层1的厚度通常为20-25μm。
工序(b)接着，在聚酰亚胺前体层2上形成配线用金属层3(图1(b))。
具体地说，在聚酰亚胺前体层2上用热压法或辊式层压法等将电解铜箔等的金属箔层压成配线用金属层3。或者，在聚酰亚胺前体层2上用喷镀法层压成铜等金属薄膜，而且还可在其上层压电解铜等的金属镀层形成第二金属层。
工序(c)接着，利用能细小且良好位置精度构图的光刻技术除去法将配线用金属层3构图形成配线4(图1(c))。
具体地说，以保护膜(理想的是易剥离性的弱粘附带)覆盖弹性材料层1的表面后，在配线用金属层3上形成配线图形保护层，用氯化铜水溶液等的蚀刻液蚀刻配线用金属层3形成配线4，其后剥离配线图形保护层和保护膜。
工序(d)以对应于下述聚酰亚胺绝缘基底层5(参见图1(e))的形状用光刻技术将聚酰亚胺前体层2构图(图1(d))。具体地说，可在聚酰亚胺前体层2上形成图形保护层，用氢氧化四甲铵水溶液、氢氧化钠水溶液等的碱性水溶液处理，再用温水冲洗来构图。
工序(e)接着，使聚酰亚胺前体层2酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层5(图1(e))。
在此，酰亚胺化的条件可对应聚酰亚胺前体的种类等以实验适当确定。例如，可在大气压下，在氮气气氛中以160℃(30分)/180℃(30分)/250℃(30分)/300℃(30分)分段加热。
工序(f)接着，在配线4上形成覆盖层6(图1(f))。由此得到磁头用悬浮装置。
该工序(f)也可在工序(e)后实施，或者工序(f)也可这样构成在工序(c)和工序(d)之间，首先在配线4上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层7的前工序，在工序(d)中将聚酰亚胺前体层2以对应聚酰亚胺绝缘基底层5的形状构图时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层7以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(e)中形成聚酰亚胺绝缘基底层5时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层7酰亚胺化形成覆盖层6的后工序。
在工序(e)之后实施工序(f)的场合，具体地说，也可在配线4上涂敷感光性树脂并构图后用光硬化形成覆盖层6。另外，也可在配线4上形成与工序(a)同样的覆盖层用聚酰亚胺前体层7并构图，用与工序(d)同样的酰亚胺化形成覆盖层6。
如上所述由前工序、中工序和后工序构成工序(e)的场合，具体地说，可在先工序(c)后在配线4上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层(7)(图1(f1))，接着在工序(d)中同时将其覆盖层用聚酰亚胺前体层7构图(图1(f2))，在工序(e)中同时酰亚胺化形成覆盖层6(图1(f3))。
工序(g)
对应由上述得到的磁头用悬浮装置，如果需要，也可对其弹性材料层1施行弯曲加工(图1(g))。由此，可赋予弹性材料层1形状稳定性。或者，可用除去法以规定的形状将弹性材料层1蚀刻(未图示)。
下面说明图2。
工序(aa)与图1的工序(a)同样，在弹性材料层21上形成聚酰亚胺前体层22(图2(a))。
工序(bb)用半添加法在聚酰亚胺前体层22上形成配线23(图2(b))。具体地说，在弹性材料21上贴上保护膜后，用喷镀法在聚酰亚胺前体层22上层压铜等的薄膜，在该薄膜上形成导体回路图形保护层后，用电镀法层压铜等的金属镀层，接着用常规方法剥离配线图形保护层后，用软蚀刻形成配线23，其后剥离保护膜。
工序(cc)与图1的工序(d)同样，以对应于聚酰亚胺绝缘基底层24(参见图2(d))的形状用光刻技术将聚酰亚胺前体层22构图(图2(c))。
工序(dd)与图1的工序(e)同样，将构图的聚酰亚胺前体层22酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层24(图2(d))。
工序(ee)接着，在配线23上形成覆盖层25(图2(e))。由此得到磁头用悬浮装置。
该工序(ee)可在工序(dd)之后实施，或者工序(ee)也可构成如下在工序(bb)和工序(cc)之间，首先在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(cc)中将聚酰亚胺前体层以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(dd)中形成聚酰亚胺绝缘基底层时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序。
在工序(dd)之后实施工序(ee)的场合，具体地说，也可在配线23上涂敷感光性树脂，在构图后利用光硬化形成覆盖层25。另外，也可与工序(aa)同样，在配线23上形成覆盖层用聚酰胺酸层并构图，与工序(d)同样，进行酰亚胺化形成覆盖层25。
在如前所述工序(ee)由前工序、中工序和后工序构成的场合，具体地说，也可首先在工序(bb)之后，在配线23上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层26(图2(e1))，接着，在工序(cc)中，同时将该覆盖层用聚酰亚胺前体层26构图(图2(e2))，在工序(dd)中，同时酰亚胺化形成覆盖层25(图2(e3))。
工序(ff)对于由上述得到的磁头用悬浮装置，如有需要，也可对其弹性材料层21施行弯曲加工(图2(f))。由此，可赋予弹性材料层21形状稳定性。或者，也可用除去法以规定的形状将弹性材料层21蚀刻(未图示)。
在图1中，首先在弹性材料层1上设置聚酰亚胺前体层2，再在聚酰亚胺前体层2上设置配线用金属层3，也可先在配线用金属层3上设置聚酰亚胺前体层2，再在聚酰亚胺前体层2上设置弹性材料层1。即，取代工序(a)和工序(b)，实施以下的工序(a’)和(b’)，此外的工序(c)～工序(f)为如上所述的制造方法，这也在本发明的范围。
即，以含有以下工序为特征的磁头用悬浮装置的制造方法也在本发明的范围(a’)在配线用金属层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(b’)在聚酰亚胺前体层上形成弹性材料层的工序；(c)用除去法将配线用金属层构图形成配线的工序；(d)用光刻技术以对应于聚酰亚胺绝缘基底层的形状将聚酰亚胺前体层构图的工序；(e)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(f)在配线上形成覆盖层的工序。
在该制造方法中，工序(f)可在工序(e)之后实施，或者工序(f)也可构成如下首先在工序(c)和(d)之间，在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(d)中将聚酰亚胺前体层以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时以覆盖层形状将覆盖层用聚酰亚胺前体层构图的中工序；与在工序(e)中聚酰亚胺绝缘基底层形成时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序。
由上得到的磁头用悬浮装置是配线在弹性金属片上一体生产的非常小型轻量化的，因此特别适用于大记录容量的硬盘装置。而且由于无线，所以组装磁头元件到弹性金属片的生产率大大提高，可更加适应数据传送速度的高速化。
实施例下面具体说明本发明。
参考例在带有温度控制器和夹套的60升反应釜中，将1.05kg(11.2摩尔)对苯二胺(PDA，三井化学社制)、0.86kg(4.8摩尔)4，4’-二氨基二苯基醚(DPE，和歌山精化社制)在氮气氛下溶入约45kg N-甲基-2-吡咯烷酮溶剂(NMP，三菱化学社制)。此后，在50℃慢慢加入3.523kg(16.14摩尔)苯均四酸二酐(PMDA)，三菱瓦斯化学社制)，反应3小时。由此，制成固体成分约12％、粘度25Pa·S(25℃)的聚酰胺酸漆。
实施例1将在参考例得到的聚酰胺酸漆涂敷在25μm厚的不锈钢箔(SUS箔)上，在100℃(5分)、140℃(5分)、170℃(10分)的连续炉中使溶剂挥发，形成10μm厚的作为聚酰亚胺前体层的聚酰胺酸层。
接着，在聚酰胺酸层上摞上9μm厚的铜箔，在170℃用压力装置(50kg/cm2)热压10分钟。
接着，用保护膜覆盖SUS箔表面后，在铜箔上形成配线图形保护层，用氯化亚铜水溶液等蚀刻液蚀刻铜箔形成70μm间距的配线。其后，剥离配线图形保护层和保护膜。
在配线上形成聚酰胺酸层的耐蚀刻图形层，用加热到60℃的TMAH(氢氧化四甲铵)水溶液处理后，用60℃温水冲洗，使聚酰胺酸层构图，用常规方法除去耐蚀刻图形层。
接着，将得到的由SUS箔/图形化的聚酰胺酸层/配线构成的叠层体投入加热处理装置中，由160℃(30分)、180℃(30分)、250℃(30分)和300℃(30分)的分段加热进行酰亚胺化处理，将聚酰胺酸层制成聚酰亚胺绝缘基底层。
接着，在配线上形成覆盖层用聚酰胺酸层，由酰亚胺化形成覆盖层。由此得到磁头用悬浮装置。
实施例2在25μm厚的不锈钢箔(SUS箔)上涂敷在参考例得到的聚酰胺酸漆，在100℃(5分)、140℃(5分)、170℃(10分)的连续炉中将溶剂挥发，形成10μm厚的作为聚酰亚胺前体层的聚酰胺酸层。
在聚酰亚胺前体层上，用喷镀法堆积约200厚的Ni层，在其上堆积约1000厚的Cu层，在该薄膜上形成配线图形保护层。用电镀法堆积18μm厚电解铜镀层，接着剥离配线图形保护层。而且用过氧化氢和硫酸的混合液将整个面软蚀刻形成配线。
接着，在配线上形成聚酰胺酸层的耐蚀刻图形层，用加热到60℃的TMAH(氢氧化四甲胺)水溶液处理后，用60℃温水冲洗并将聚酰胺酸层构图，用常规方法除去耐蚀刻图形层。
接着，将得到的SUS箔/图形化聚酰胺酸层/配线构成的叠层体投入到加热处理装置中，施行160℃(30分)、180℃(30分)、250℃(30分)和300℃(30分)的分段加热，来进行酰亚胺化处理，使聚酰胺酸层成为聚酰亚胺绝缘基底层。
接着，在配线上形成覆盖层用聚酰胺酸层，由酰亚胺化形成覆盖层。由此得到磁头用悬浮装置。
按本发明制造方法，构成配线的铜箔可一次构图，且可提供能低成本简便地形成绝缘基底的配线一体型磁头用悬浮装置。
图1是本发明配线一体型磁头用悬浮装置的制造工序图。
图2是本发明配线一体型磁头用悬浮装置的制造工序图。
图3是以前配线一体型磁头用悬浮装置的制造工序图。符号说明1，21-弹性材料层，2，22-聚酰亚胺前体层，3，-配线用金属层，4，23-配线，5，24-聚酰亚胺绝缘基底层，6，25-覆盖层，7，26-覆盖层用聚酰亚胺前体层
权利要求
1.一种磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于包括以下工序(a)-(f)(a)在弹性材料层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(b)在聚酰亚胺前体层上形成配线用金属层的工序；(c)用除去法将配线用金属层构图形成配线的工序；(d)用光刻技术以对应于聚酰亚胺绝缘基底层的形状将聚酰亚胺前体层构图的工序；(e)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(f)在配线上形成覆盖层的工序。
2.权利要求1记载的磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于工序(f)在工序(e)后进行。
3.权利要求1记载的磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于工序(f)构成如下在工序(c)和工序(d)之间，首先在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(d)中在将聚酰亚胺前体层以对应于聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(e)中在形成聚酰亚胺绝缘基底层时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序。
4.一种磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于包括以下工序(aa)-(ee)；(aa)在弹性材料层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(bb)在聚酰亚胺前体层上用半添加法形成配线的工序；(cc)用光刻技术以对应于聚酰亚胺绝缘基底层的形状将聚酰亚胺前体层构图的工序；(dd)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(ee)在配线上形成覆盖层的工序。
5.权利要求4记载的磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于工序(ee)在工序(dd)之后进行。
6.权利要求4记载的磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于工序(ee)构成如下在工序(bb)和工序(cc)之间，首先在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(cc)中将聚酰亚胺前体层以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(dd)中形成聚酰亚胺绝缘基底层时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序。
7.一种磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于包括以下工序(a’)在配线用金属层上形成聚酰亚胺前体层的工序；(b’)在聚酰亚胺前体层上形成弹性材料层的工序；(c)用除去法将配线用金属层构图形成配线的工序；(d)用光刻技术以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状将聚酰亚胺前体层构图的工序；(e)将构图的聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基底层的工序；和(f)在配线上形成覆盖层的工序。
8.权利要求7记载的磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于工序(f)在工序(e)之后进行。
9.权利要求7记载的磁头用悬浮装置的制造方法，其特征在于工序(f)构成如下在工序(c)和工序(d)之间，首先在配线上设置覆盖层用聚酰亚胺前体层的前工序，在工序(d)中将聚酰亚胺前体层以对应聚酰亚胺绝缘基底层的形状构图时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层以覆盖层形状构图的中工序；与在工序(e)中形成聚酰亚胺绝缘基底层时，同时将覆盖层用聚酰亚胺前体层酰亚胺化形成覆盖层的后工序。
全文摘要
在制造配线一体型磁头用悬浮装置时,可一次将构成配线的铜箔构图,且可低成本简便地形成绝缘基底,其工序如下:(a)在弹性材料层1上形成聚酰亚胺前体层2,(b)在聚酰亚胺前体层2上形成配线用金属层3,(c)用除去法将配线用金属层3构图形成配线4,(d)用光刻技术以对应聚酰亚胺绝缘基底层5的形状将聚酰亚胺前体层2构图,(e)将构图的聚酰亚胺前体层2酰亚胺化形成聚酰亚胺绝缘基镀层5,(f)在配线4上形成覆盖层6。
文档编号H05K1/05GK1264108SQ9912299
公开日2000年8月23日 申请日期1999年12月28日 优先权日1998年12月28日
发明者栗田英之, 渡边正直 申请人:索尼化学株式会社