减反射玻璃及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种以铝硅玻璃为衬底、可见光全波段平均透过率多94. 5%、镀膜面 单面全波段平均反射率< 1%、高硬度、耐刮花、耐酸碱、后续加工性强的减反射玻璃及其制 备方法。
【背景技术】
[0002] 随着智能触控手机、平板的畅销，越来越多的人养成使用触摸电子产品的习惯。触 摸电子产品的屏幕上方具有盖板玻璃，但由于玻璃具有反射光的作用，在室外阳光或室内 强光强于LCD背光源的透射光时，玻璃的每个表面都会存在4. 2%左右的反射光线反射进 人眼，导致眼睛看不清屏幕上显示内容，影响产品的使用。
[0003] 现有的减反射玻璃在玻璃基板的单面或者双面制备减反射层，从而在室外阳光或 者室内强光下，光的反射率较低，创造清晰透明的视觉空间，提升触摸电子产品在阳光下或 者强光下的可读性。
[0004] 电容屏技术的OGS(大片玻璃加工制程工艺一OneGlassSolution，简称OGS)或 T0L(小片制程工艺一TouchOnLens，简称T0L)，为进一步提高用户体验，提高产品卖点，增 强同其它电容屏技术间的竞争优势，往往将减反射膜层制备在0GS玻璃或T0L玻璃的正面。 此时，如果先生产0GS或T0L传感器，再在正面制备减反射层，则由于减反射增透过效果，传 感器的消影效果、金属或IT0桥点的隐藏效果都被破坏，结果传感器的IT0线条和桥点会更 明显，影响使用者的满意度。同时，由于0GS或T0L的BM(黑色边框一BlackMatrix，简称 BM)往往并非纯黑色，而是通常偏红系或偏蓝色。这种情况下，先有Sensor再制备减反层 时，BM的偏红系或偏蓝系将更加明显而偏离设计本意。如果先制备减反射层，再制备功能 面，则后续Sensor面的加工过程中，减反射层需经过多道清洗、镀膜、光刻加工。如果减反 层硬度过低，Sensor加工过程中减反层往往会被划伤而影响生产良率，导致成本居高不下； 同时，蚀刻过程中多需要碱液显影、酸液蚀刻、碱液脱膜、超声清洗等多道工序，如果减反射 层不耐酸碱侵蚀，则经过Sensor工序后，减反射膜层会遭到破坏而达不到减反射的目的。
[0005]目前市场上的AR膜多采用Nb205或TiO2做为高折射率材料、SiO2做为低折射率材 料生产，利用蒸镀或磁控溅射生产。对于大片产品，蒸镀产能将受到制约而难以发挥；且蒸 镀生产的AR膜层在致密性、硬度上难以同磁控溅射生产的AR膜层相比较。对AR膜层的硬 度和致密性有要求的产品，生产工艺首选还是磁控溅射。
[0006] 采用Ti02生产的AR膜层虽在硬度上更硬，但1102在，光照射下会出现黑斑，虽然 此黑斑随时间延长而逐渐变淡，但经UV照射后又再出现，影响产品的视觉效果。而Nb205则 溶解于碱液，表层采用Nb205的AR产品在后续加工工序中若用碱液清洗、碱液超声，会出现 部分Nb205层溶解现象，破坏了光学膜层，从而破坏了减反膜的光学效果；同时Nb205和SiO2 的维氏硬度仅为560Hv和640Hv，若全部膜层均采用此两种材料，则生成的减反膜在后续加 工过程中、终端客户使用过程中容易划伤，影响产品的美观和客户接受度。
【发明内容】
[0007] 基于此，有必要提供一种硬度较高、耐刮花、耐酸碱、后续加工性强的减反射玻璃 及其制备方法。
[0008] -种减反射玻璃，所述减反射玻璃包括依次层叠的铝硅玻璃基板、第一低折射率 层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率 层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层；
[0009] 所述第一低折射率层的材料为Si02;
[0010] 所述第一高折射率层的材料为Nb205;
[0011] 所述第二低折射率层的材料为Si02;
[0012] 所述第二高折射率层的材料为Nb205或Si3N4;
[0013] 所述第三低折射率层的材料为Si02;
[0014] 所述第三高折射率层的材料为Nb205或Si3N4;
[0015] 所述第四低折射率层的材料为Si02;
[0016] 所述第四高折射率层的材料为Nb205或Si3N4;
[0017] 所述第五低折射率层的材料为Si02;
[0018] 所述第五高折射率层的材料为Si3N4;
[0019] 所述第一低折射率层的厚度为0人?3000A;
[0020] 所述第一高折射率层的厚度为0A?500A;
[0021] 所述第二低折射率层的厚度为0A?丨000入；
[0022] 所述第二高折射率层的厚度为〇A?200A;
[0023]所述第三低折射率层的厚度为200人?2000A;
[0024] 所述第三高折射率层的厚度为50人?1200A;
[0025] 所述第四低折射率层的厚度为20A?600A;
[0026] 所述第四高折射率层的厚度为50A?1500入；
[0027] 所述第五低折射率层的厚度为400A?1000A;
[0028] 所述第五高折射率层的厚度为2〇A?500A。
[0029] 在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的折射率为1. 50?1. 52。
[0030] 在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的厚度为0.33?1. 1mm。
[0031] 在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为2147.1A;所述第一高折射率层 的厚度为69.5A;所述第二低折射率层的厚度为673.1A;所述第二高折射率层的厚度为 57.3A;所述第三低折射率层的厚度为1620.9A;所述第三高折射率层的厚度为104.2A; 所述第四低折射率层的厚度为330.7A;所述第四高折射率层的厚度为1143.1A;所述第 五低折射率层的厚度为595.5A;所述第五高折射率层的厚度为丨00A。
[0032] 在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为oA;所述第一高折射率层的厚度 为0人；所述第二低折射率层的厚度为0人;所述第二高折射率层的厚度为88.8A;所述第 三低折射率层的厚度为376.2A;所述第三高折射率层的材料为Si3N4，厚度为961.5A;所 述第四低折射率层的厚度为80人;所述第四高折射率层的厚度为191.5A;所述第五低折射 率层的厚度为816.8A;所述第五高折射率层的厚度为50A。
[0033] 在一个实施例中，所述第一低折射率层的厚度为0A;所述第一高折射率层的厚度 为50.7人;所述第二低折射率层的厚度为685.5A;所述第二高折射率层的厚度为39.1A; 所述第三低折射率层的厚度为1434A;所述第三高折射率层的厚度为123.9A;所述第四 低折射率层的厚度为353.3A;所述第四高折射率层的厚度为丨153.5A;所述第五低折射 率层的厚度为558.3A;所述第五高折射率层的厚度为131.3A。
[0034] -种减反射玻璃的制备方法，包括如下步骤：
[0035] 提供玻璃基板；
[0036] 在所述玻璃基板的表面依次磁控溅射沉积第一低折射率层、第一高折射率层、第 二低折射率层、第二高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四 高折射率层、第五低折射率层及第五高折射率层，得到所述减反射玻璃，其中，所述第一低 折射率层的材料为Si02，所述第一高折射率层的材料为Nb205，所述第二低折射率层的材料 为Si02，所述第二高折射率层的材料为Nb205或Si3N4，所述第三低折射率层的材料为Si02， 所述第三高折射率层的材料为Nb205或Si3N4，所述第四低折射率层的材料为Si02，所述第四 高折射率层的材料为Nb205或Si3N4，所述第五低折射率层的材料为Si02，所述第四高折射率 层的材料为si3N4，所述第一低折射率层的厚度为0A?3000A,所述第一高折射率层的厚度 为0A?500A，所述第二低折射率层的厚度为0人?1000A,所述第二高折射率层的厚度为 0A?200A,所述第三低折射率层的厚度为200A?2000人，所述第三高折射率层的厚度为 50人?1200人，所述第四低折射率层的厚度为20人?600人，所述第四高折射率层的厚度为 50人?1500人，所述第五低折射率层的厚度为400A?1000A，所述第五高折射率层的厚 度为20A?500A。
[0037] 在一个实施例中，还包括步骤：对所述铝硅玻璃基板进行清洗并干燥。
[0038] 在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的折射率为1. 50?1. 52。
[0039] 在一个实施例中，所述铝硅玻璃基板的厚度为0. 33?1. 1mm。
[0040] 这种减反射玻璃，包括第一低折射率层、第一高折射率层、第二低折射率层、第二 高折射率层、第三低折射率层、第三高折射率层、第四低折射率层、第四高折射率层、第五低 折射率层及第五高折射率层，透过率高低结合的合适厚度