滤屏与中子束源的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种中子束源，更特别涉及一种产生中子束的滤屏结构。
【背景技术】
[0002] 硼中子捕获治疗（BNCT)的原理如下：含硼药物经由血液循环与肿瘤细胞结合，再 用中子束以肿瘤组织的位置为中心照射，使硼吸收中子后产生锂与氦离子，准确破坏癌细 胞而不破坏其他正常的组织。
[0003] 对患者而言，BNCT仅会造成极小损伤，且不需外科手术与麻醉。在治疗脑肿瘤时 若BNCT采用穿透力较低的热中子，需额外打开病人的头盖骨；若BNCT采用超热中子，则不 需打开病人的头盖骨。
[0004] 目前大部分的BNCT的中子束源为源自研究用原子炉。由于原子炉通常无法设置 于医院中，因此医生与患者需配合原子炉的所在进行治疗。与此相较，加速器型的中子束源 不但成本低，且可设置于医院中以节省医生与患者的时间。
[0005] 综上所述，目前亟需开发加速器型的中子束源以利BNCT的发展。
【发明内容】
[0006] 为解决上述问题，本发明一实施例提供的滤屏，包括：第一层，由铁组成；第二层， 由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝、与50至80体积份的氟化铝组成；以及第三层， 由1重量份的氟化锂与99重量份的氟化镁组成。其中第二层位于第一层与第三层之间。
[0007] 本发明一实施例提供的中子束源，包括：加速器；铍靶材；以及上述的滤屏，其中 铍靶材位于加速器与滤屏之间，且滤屏的第一层位于铍靶材与滤屏第三层之间。
【附图说明】
[0008] 图1是本发明一实施例中，中子束源的示意图；
[0009] 图2是本发明一实施例中，滤屏的示意图；
[0010] 图3是本发明一实施例中，含汇聚元件的中子束源的示意图。
[0011] 符号说明
[0012] 10中子束源；
[0013] 11加速器；
[0014] 13 靶材；
[0015] 14 铅壁；
[0016] 15 滤屏；
[0017] 15A第一层；
[0018] 15B第二层；
[0019] 15C第三层；
[0020] 16汇聚元件；
[0021] 17 患者；
[0022] 20 屏蔽。
【具体实施方式】
[0023] 如图1所示，本发明实施例的中子束源10主要由三个部分构成：加速器11、靶材 13、与滤屏15,且靶材13位于加速器11与滤屏15之间。举例来说，加速器11可为购自 Sumitomo的回旋加速器。加速器11用以提供能量为接近30MeV与电流为1mA以上的质子 撞击靶材13,以产生快中子。上述快中子穿过滤屏15后，产生调整后的超热中子束。依据 国际原子能总署（IAEA)的建议，BNCT所用的超热中子通率需大于或等于109cnT2*S'且伴 随每个超热中子的快中子剂量及伴随每个超热中子的加马射线剂量小于2XKTnCGy?cm2。 其中加马射线剂量建议值容易达成，故实施例主要探讨超热中子通率及伴随每个超热中子 的快中子剂量。若超热中子通率过低，则会延长患者17照射治疗的时间。若快中子剂量过 高，则有可能会损伤患者17的其他正常组织。若加速器11提供的质子能量过高，则会增加 屏蔽设计的困难，且对提升中子的产率有限。若加速器11提供的质子能量过低，则中子的 产率不足，需增加电流来弥补。
[0024] 在本发明一实施例中，革巴材13的材质为铍，其厚度介于0. 55cm至0. 58cm之间。若 靶材13的厚度过厚，则靶材散热不易。若靶材13的厚度过薄，则中子的产率会下降。
[0025] 在本发明一实施例中，滤屏15的总厚度介于67. 5cm至70cm之间，且滤屏15的 截面积为〇. 5?1. 13平方米，相当于半径介于40cm至60cm的圆形。若滤屏15的总厚度 过薄，则无法有效降低快中子剂量。若滤屏15的总厚度过厚，则无法产生足够的超热中子 通率。若滤屏15的截面积过大，将使滤屏重量增加、费用增加，而对提升中子束品质帮助有 限，却使平均超热中子通率强度下降。若滤屏15的截面积过小，在相同厚度下将无法有效 降低快中子剂量。
[0026] 滤屏15为三层结构如图2所不，第二层15B位于第一层15A与第三层15C之间， 且第一层15A位于前述的靶材13与第三层15C之间，即质子撞击靶材13产生的中子依序 穿过第一层15A、第二层15B、与第三层15C。第一层15A由铁组成。铁与中子的非弹性碰撞 将IMeV以上的中子减速到IMeV以下。在本发明一实施例中，第一层15A的厚度介于25cm 至40cm之间。若第一层15A的厚度过薄，贝UlMeV以上的中子会太多。若第一层15A的厚 度过厚，则修饰IMeV以下中子的其他滤屏材料厚度会不足，会影响中子束品质。第二层15B 由1体积份的氟化锂、20至50体积份的铝、与50至80体积份的氟化铝组成，见美国专利 号5730918。在本发明一实施例中，第二层15B的厚度介于10cm至37. 5cm之间。若第二层 15B的厚度过厚，在滤屏15总厚度固定的情况下第三层厚度太薄，则中子减速不够，使快中 子剂量会过高。若第二层15B的厚度过薄，相对第三层厚度需较厚以降低快中子剂量，但同 时超热中子通率会过低。第三层15C由1重量份的氟化锂与99至100重量份的氟化镁组 成。若氟化锂的比例过低（即氟化镁的比例过高），则热中子占比会增加。若氟化锂的比例 过高（即氟化镁的比例过低），则伴随每个超热中子的快中子剂量提高。在本发明一实施例 中，第三层15C的厚度介于5cm至20cm之间。若第三层15C的厚度过厚，则减速过快，超热 中子通率会过低。若第三层15C的厚度过薄，则减速不够，快中子剂量会过高。
[0027] 在本发明一实施例中，可在滤屏15外侧设置厚度15厘米以上的铅壁14,以进一步 增加最后产生的超热中子。若铅壁14的厚度过厚，则太重。为避免辐射线穿出滤屏15,可 采用屏蔽20包覆滤屏15。在本发明一实施例中，屏蔽20可为水泥。
[0028] 在一实施例中，加速器11产生30MeV/lmA的质子束，上述中子束源10所产生的超 热中子通率超热中子通率介于1. 7X109?1. 9X109cnT2S'且伴随每一超热中子的快中子 剂量介于 2. 9X10_n ?3. 5X10_ncGycm2。
[0029] 在本发明一实施例中，可进一步设置汇聚元件16如图3所示。汇聚元件16位于患 者17与滤屏15之间，且滤屏15位于汇聚元件16与靶材13之间。汇聚元件16的设计可参考 Y-ffH.Liu,T.T.Huang,S.H.Jiang,H.M.Liu, (2004)^RenovationofEpithermalNeutron BeamforBNCTatTHOR, "Appl.Radiat.Isot. 61，1039-1043?。汇聚元件 16 在集中维 持超热中子通率强度的同时可降低快中子的剂量。举例来说，加速器11产生30MeV/lmA 的质子束，而具有汇聚元件16的中子束源10其产生的超热中子通率介于1. 7X109? 2. 0X109cnT2s'且伴随每一超热中子的快中子剂量介于2. 0XKT11?2. 6XKTncGycm2。 若加速器11产生30MeV/2mA的质子束，具有汇聚元件16的中子束源10所产生的超热中子 通率成等比例增加，介于3. 4X109?4.OX109cnT