一种耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃的制作方法

文档序号:8914085阅读:401来源:国知局
一种耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃的制作方法
【专利说明】
[0001]【技术领域】
本发明涉及镀膜玻璃领域,尤其是涉及一种建筑用的耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃。
[0002]【【背景技术】】
公知的,在玻璃表面沉积两层高红外线反射材料,例如金属银、铜或金等材料,从而使玻璃能够尽可能少的吸收太阳光光谱中的红外线和其它物体发出的红外线,由于玻璃自身不存储能量,其在吸收较少红外线的前提下向外辐射的红外线也就相对非常有限了,因此这种玻璃被称为双银低辐射镀膜玻璃;目前,由于双银低辐射镀膜玻璃能够在夏天确保光线进入建筑物内的同时,相应有效的阻挡太阳光中的近红外线进入室内,从而达到降低室内温度,相应节省制冷费用的目的,同时,双银低辐射镀膜玻璃还能够在冬天阻挡自身吸收室内物体发出的远红外线,避免将室内的热量散发到室外,从而达到保持室内温度,相应节省取暖费用的目的,因此,双银低辐射镀膜玻璃常作为一种国家大力推广的绿色建材被当作建筑物幕墙玻璃和门窗玻璃使用;然而,在长期应用中发现,虽然现有的双银低辐射镀膜玻璃最外层采用的都是硬度较高的氮化硅膜层,但其在应用中仍然不能满足一些高标准客户的需求,且现有的双银低辐射镀膜玻璃在加工过程中还易因出现划伤而导致产生较高的次品率,此外,由于现有双银低辐射镀膜玻璃中的银膜层易在高温环境中发生氧化或与其他物质反应,因此其不能钢化。
[0003]【
【发明内容】

为了克服【背景技术】中的不足,本发明公开了一种耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃,所述的玻璃不但能够在低辐射性能不变的前提下有效提高表面硬度,而且还能够进行钢化加工。
[0004]为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃,所述的玻璃包含玻璃基片,该玻璃基片的表面由下而上依次镀有氮化硅膜层、镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层、氧化锌锡膜层、氧化锌铝膜层、银膜层、镍铬膜层、氮化硅膜层和氮化碳膜层;
所述的玻璃在制作时选择在真空环境下,通过磁控溅射在玻璃基片表面沉积十层膜的方法生产,要求在镀膜室抽真空至1.2X10-4Pa以下,再充入工艺气体使镀膜室压力稳定在0.2至0.5Pa,然后对溅射源送电,操作靶材开始溅射,依次将相应的靶材原子或其化合物沉积到玻璃基片表面形成相应的膜层;其具体操作如下:
第一个镀膜室充入氮气和氩气,革E材为娃销革E,在玻璃基片的表面沉积第一层氮化娃膜,厚度为10至55纳米;第二个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在氮化硅膜层上沉积第二层镍铬膜,厚度为0.5至10纳米;第三个镀膜室充入氩气,靶材为银靶,在镍铬膜层上沉积第三层银膜,厚度为5至20纳米;第四个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在银膜层上沉积第四层镍铬膜,厚度为0.5至10纳米;第五个镀膜室充入氧气和氩气,靶材为锌锡靶,在镍铬膜层上沉积第五层氧化锌锡膜,厚度为20至60纳米;第六个镀膜室充入氧气和氩气,靶材为锌铝靶,在氧化锌锡膜层上沉积第六层氧化锌铝膜,厚度为10至60纳米;第七个镀膜室充入氩气,靶材为银靶,在氧化锌铝膜层上沉积第七层银膜,厚度为5至20纳米;第八个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在银膜层上沉积第八层镍铬膜,厚度为I至10纳米;第九个镀膜室充入氮气和氩气,靶材为硅铝靶,在镍铬膜层上沉积第九层氮化硅膜,厚度为15至60纳米;第十个镀膜室充入氩气,靶材为陶瓷氮化碳靶,在氮化硅膜层上沉积第十层氮化碳膜,厚度为3至30纳米。
[0005]进一步,充入工艺气体后镀膜室的压力稳定在0.3Pa。
[0006]由于采用如上所述的技术方案,本发明具有如下有益效果:
本发明所述的耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃能够在低辐射性能不变的前提下有效提高表面硬度,更耐划伤,从而有效的降低了在加工中出现划伤的机率,相应的提高了生产效率,增加了生产方的经济收益;同时,所述的玻璃还能够在镀膜后再进行钢化,其不但能够保证银膜层在钢化炉内700多度的高温环境中不被氧化或与其他物质反应,而且还能够有效的保障钢化后的辐射率不变化,膜层不变色。
[0007]【【附图说明】】
图1是本发明的示意图。
[0008]图中:1、玻璃基片;2、氮化硅膜层;3、镍铬膜层;4、银膜层;5、镍铬膜层;6、氧化锌锡膜层;7、氧化锌铝膜层;8、银膜层;9、镍铬膜层;10、氮化硅膜层;11、氮化碳膜层。
[0009]【【具体实施方式】】
通过下面的实施例可以更详细的解释本发明,公开本发明的目的旨在保护本发明范围内的一切变化和改进,本发明并不局限于下面的实施例:
结合附图1,所述的耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃采用在一玻璃基片I表面由下而上依次镀上氮化硅膜层2、镍铬膜层3、银膜层4、镍铬膜层5、氧化锌锡膜层6、氧化锌铝膜层7、银膜层8、镍铬膜层9、氮化硅膜层10和氮化碳膜层11,即在玻璃基片I的表面形成十层膜层的结构,从而构成所述的耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃;
制作所述玻璃时,选择在真空环境下,通过磁控溅射在玻璃基片表面沉积十层膜的方法生产,要求在镀膜室抽真空至1.2X10-4Pa以下,再充入工艺气体,使镀膜室压力稳定在0.2至0.5 Pa,通常选择0.3Pa,将溅射源送电,靶材开始溅射,然后送入玻璃基片,并将相应的靶材原子或其化合物依次沉积到玻璃基片表面形成膜层,其具体操作如下:
第一个镀膜室充入氮气和氩气,革E材为娃销革E,在玻璃基片的表面沉积第一层氮化娃膜,厚度为10至55纳米;第二个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在氮化硅膜层上沉积第二层镍铬膜,厚度为0.5至10纳米;第三个镀膜室充入氩气,靶材为银靶,在镍铬膜层上沉积第三层银膜,厚度为5至20纳米;第四个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在银膜层上沉积第四层镍铬膜,厚度为0.5至10纳米;第五个镀膜室充入氧气和氩气,靶材为锌锡靶,在镍铬膜层上沉积第五层氧化锌锡膜,厚度为20至60纳米;第六个镀膜室充入氧气和氩气,靶材为锌铝靶,在氧化锌锡膜层上沉积第六层氧化锌铝膜,厚度为10至60纳米;第七个镀膜室充入氩气,靶材为银靶,在氧化锌铝膜层上沉积第七层银膜,厚度为5至20纳米;第八个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在银膜层上沉积第八层镍铬膜,厚度为I至10纳米;第九个镀膜室充入氮气和氩气,靶材为硅铝靶,在镍铬膜层上沉积第九层氮化硅膜,厚度为15至60纳米;第十个镀膜室充入氩气,靶材为陶瓷氮化碳靶,在氮化硅膜层上沉积第十层氮化碳膜,厚度为3至30纳米; 如上所述,当十层膜层都沉积完毕即生成所述的玻璃,其中:第一和九层膜采用氮化硅膜是为了提高其结合力,提高膜层的耐磨、耐腐蚀性能;第二、四和八层膜采用镍铬膜是为了提高其与银膜的附着力,从而达到有效保障银膜层在钢化炉内700多度的高温下不被氧化或与其它物质发生反应的目的,进而使所述玻璃在钢化后还能够具备膜层不变色和辐射率不变化的特性;第三和七层采用银膜是为了使所述玻璃具备非常低的辐射率;第五层和第六层采用氧化锌锡膜和氧化锌铝膜是为了调节玻璃的颜色和可见光透光率;第十层采用氮化碳膜是为了显著提高玻璃基片表面膜层的整体耐划伤性能。
[0010]本发明未详述部分为现有技术,故本发明未对其进行详述。
【主权项】
1.一种耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃,所述的玻璃包含玻璃基片,其特征是:所述的玻璃基片(I)的表面由下而上依次镀有氮化硅膜层(2)、镍铬膜层(3)、银膜层(4)、镍铬膜层(5)、氧化锌锡膜层(6)、氧化锌铝膜层(7)、银膜层(8)、镍铬膜层(9)、氮化硅膜层(10)和氮化碳膜层(11);所述的玻璃在制作时选择在真空环境下,通过磁控溅射在玻璃基片表面沉积十层膜的方法生产,要求在镀膜室抽真空至1.2X10-4Pa以下,再充入工艺气体使镀膜室压力稳定在0.2至0.5Pa,然后对溅射源送电,操作靶材开始溅射,依次将相应的靶材原子或其化合物沉积到玻璃基片表面形成相应的膜层;其具体操作如下: 第一个镀膜室充入氮气和氩气,革E材为娃销革E,在玻璃基片的表面沉积第一层氮化娃膜,厚度为10至55纳米;第二个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在氮化硅膜层上沉积第二层镍铬膜,厚度为0.5至10纳米;第三个镀膜室充入氩气,靶材为银靶,在镍铬膜层(3)上沉积第三层银膜,厚度为5至20纳米;第四个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在银膜层上沉积第四层镍铬膜,厚度为0.5至10纳米;第五个镀膜室充入氧气和氩气,靶材为锌锡靶,在镍铬膜层上沉积第五层氧化锌锡膜,厚度为20至60纳米;第六个镀膜室充入氧气和氩气,靶材为锌铝靶,在氧化锌锡膜层上沉积第六层氧化锌铝膜,厚度为10至60纳米;第七个镀膜室充入氩气,靶材为银靶,在氧化锌铝膜层上沉积第七层银膜,厚度为5至20纳米;第八个镀膜室充入氩气,靶材为镍铬靶,在银膜层上沉积第八层镍铬膜,厚度为I至10纳米;第九个镀膜室充入氮气和氩气,靶材为硅铝靶,在镍铬膜层上沉积第九层氮化硅膜,厚度为15至60纳米;第十个镀膜室充入氩气,靶材为陶瓷氮化碳靶,在氮化硅膜层上沉积第十层氮化碳膜,厚度为3至30纳米。2.根据权利要求1所述的耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃,其特征是:充入工艺气体后镀膜室的压力稳定在0.3Pa?
【专利摘要】一种涉及镀膜玻璃领域的耐划伤可钢化双银低辐射镀膜玻璃,所述的玻璃包含玻璃基片,该玻璃基片的表面由下而上依次镀有氮化硅膜层、镍铬膜层、银膜层、镍铬膜层、氧化锌锡膜层、氧化锌铝膜层、银膜层、镍铬膜层、氮化硅膜层和氮化碳膜层;所述的玻璃不但能够在低辐射性能不变的前提下有效提高表面硬度,而且还能够进行钢化加工。
【IPC分类】B32B17/06, B32B9/04, B32B33/00
【公开号】CN104890322
【申请号】CN201510236548
【发明人】郭明
【申请人】金堆城洛阳节能玻璃有限公司
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月12日
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