真空磁控溅射生产low-e玻璃的方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及镀膜玻璃，具体涉及一种真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法。
【背景技术】
[0002] Low-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜 系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及 传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异的隔热效果和良好的透光性。
[0003]目前由于镀膜使用的浮法的玻璃大部分都偏绿，经镀膜后整体颜色偏绿，产品透 过色明显发绿、发黄，造成室外反射色跟着发绿、发黄，造成光的透过率低，但随着人们对视 觉品质的不断追求，生产更高透过率的触摸屏产品将拥有更大得市场。
【发明内容】
[0004] 针对现有技术中的上述不足，本发明提供的真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法 能够消除室外反射色发绿和发黄的问题。
[0005] 为了达到上述发明目的，本发明采用的技术方案为：
[0006] 提供一种真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，其包括以下步骤：
[0007] 将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；
[0008] 对真空室抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7. 9 X 10 6mbar ;
[0009] 向真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到 2. 8x10 3mbar ~5. 0x10 3mbar ;
[0010] 在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在玻璃基板上形成陶瓷TiOx基层；
[0011] 在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在陶瓷TiOxS层上形成底层阻挡保护层；
[0012] 在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；
[0013] 在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在银层上形成顶层阻挡保护层；
[0014] 在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在顶层阻挡保护层上形成底层电介质 层；
[0015] 在氮氩气氛中，采用SiAl革E派射方法在底层电介质层上形成顶层电介质层。
[0016] 与现有技术相比，本发明的有益效果为：
[0017] 在玻璃基板上沉积的铜层可以消除由于玻璃基板颜色偏绿致使室外反射色发绿 和发黄的问题，在室外面颜色基本不变的情况下，透过色普遍更加接近中性；同时铜层的引 入可以降低镀银层的厚度，从而降低了生产成本。
[0018] 在玻璃基板上设置的陶瓷TiOx基层使LOW-E玻璃的折射率至少可以达到2. 5,大 幅度提高了 LOW-E玻璃的折射率；陶瓷TiOx基层上镀的底层阻挡保护层可以对陶瓷TiOxS 层起保护作用，同时还可以提高铜层的附着力。
[0019] 通过该方法生产的LOW-E玻璃的可见光透过率为50 %~65 %，可见光玻璃面 反射率为10 %~20 %，可见光玻璃面色坐标a*为-3. 5~-2. 0,可见光玻璃面色坐标b* 为-2~-7. 5,可见光透过色坐标a*为-I. 1~-0. 1，可见光透过色坐标b*为0. 5~I. 2。
【具体实施方式】
[0020] 下面对本的【具体实施方式】进行描述，以便于本技术领域的技术人员理解本，但应 该清楚，本不限于【具体实施方式】的范围，对本技术领域的普通技术人员来讲，只要各种变化 在所附的权利要求限定和确定的本的精神和范围内，这些变化是显而易见的，一切利用本 构思的发明创造均在保护之列。
[0021] 该真空磁控溅射生产LOW-E玻璃的方法，包括以下步骤：
[0022] 步骤1，将清洗并烘干的玻璃基板放入磁控镀膜机的真空室内；步骤2,对真空室 抽真空处理，使真空室内的真空度至少达到7. 9 X 10 6mbar。
[0023] 步骤3,向真空室内充入至少一种放电介质气体，使真空室内的真空度达到 2. 8x10 3mbar~5. 0x10 3mbar ;放电介质气体可以为氮气、氩气或氧气。
[0024] 步骤4,在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在玻璃基板上形成陶瓷TiOxS 层；形成陶瓷TiOx基层时，其阴极类型选用交流旋转双靶。当陶瓷TiO x基层在氩氧气氛中 形成时，氩气和氧气的体积比例为90 :10~70 :30。
[0025] 为了确保LOW-E玻璃的折射率至少大于2. 5,上述的陶瓷TiOx基层选用陶瓷TiO2 基层。
[0026] 步骤5,在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在陶瓷TiOx基层上形成底层阻挡保护 层；形成底层阻挡保护层时，其阴极类型选用直流平靶；其中的底层阻挡保护层优选选用 质量比例为80 :20的镍镉组成。
[0027] 步骤6,在纯氩气氛中，在底层阻挡保护层上依次沉积上铜层和银层；在镀铜层和 镀银层时，两个的阴极类型均选用直流平靶。
[0028] 铜层的设置可以消除由于玻璃基板颜色偏绿致使室外反射色发绿和发黄的问题， 在室外面颜色基本不变的情况下，透过色普遍更加接近中性；同时铜层的引入可以降低镀 银层的厚度，从而降低了生产成本。
[0029] 步骤7,在纯氩气氛中，采用磁控镀膜方法在银层上形成顶层阻挡保护层；形成顶 层阻挡保护层时，其阴极类型选用交流旋转双靶。底层阻挡保护层和顶层阻挡保护层均采 用质量比例为80 :20的镍镉组成。
[0030] 步骤8,在纯氩或氩氧气氛中，采用磁控镀膜方法在顶层阻挡保护层上形成底层电 介质层；形成底层电介质层时，其阴极类型选用交流旋转双靶；当底层电介质层在氩氧气 氛中形成时，氩气和氧气的比例为90 :10~70 :30。底层电介质层为陶瓷TiOx基层。
[0031] 步骤9,在氮氩气氛中，采用SiAl革E派射方法在底层电介质层上形成顶层电介质 层，形成顶层电介质层时，其阴极类型选用交流旋转双靶；氮氩气氛中的氩气和氮气的体积 比例为30 :70~40 :60 ;顶层阻挡保护层采用质量比例为80 :10的硅铝组成。
[0032] 上述的陶瓷TiOx基层、底层阻挡保护层、铜层、银层、顶层阻挡保护层、底层电介质 层和顶层电介质层均在派射气压为2. 0x10 2mbar~3. 0x10 4mbar的气氛形成。
[0033] 在本发明的一个实施例中，优选陶瓷TiOx基层的厚度为15nm~25nm，底层阻挡保 护层的厚度为3. 5nm~15nm，铜层的厚度为4nm~7nm、银层的厚度为4nm~7nm、顶层阻挡 保护层的厚度为3. 5nm~15nm、底层电介质层的厚度为15nm~20nm和顶层电介质层的厚 度为15nm~55nm〇
[0034] 陶瓷TiOx基层、底层阻挡保护层、铜层、银层、顶层阻挡保护层、底层电介质层和顶 层电介质层均采用交流电依次溅射于玻璃基板上。上述的玻璃基板优先选用6MM钠钙硅酸 盐浮法玻璃。
[0035] 在玻璃基板上设置的陶瓷TiOx基层使LOW-E玻璃的折射率至少可以达到2. 5 ;陶 瓷TiO