保护膜形成用复合片、带有保护膜的芯片、以及带有保护膜的芯片的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及能够在例如半导体晶片、半导体芯片等工件的背面形成保护膜、能够 提高半导体芯片的制造效率的保护膜形成用复合片、具有该复合片的带有保护膜的芯片、 以及该带有保护膜的芯片的制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，使用被称为所谓倒装（face down)方式的安装法进行了半导体装置的制 造。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片（以下，也简称为"芯 片"），将该电极与基板接合。因此，与芯片的电路面相反一侧的面（芯片背面）有时会露 出。
[0003] 该露出的芯片背面有时通过由有机膜形成的保护膜进行保护，以带有保护膜的芯 片的形式安装到半导体装置中。
[0004] -般来说，该带有保护膜的芯片可以如下获得：利用旋涂法将液态树脂涂布在晶 片背面而形成涂布膜，使该涂布膜干燥及固化而在晶片背面上形成保护膜，然后对带有保 护膜的晶片进行切割，从而得到带有保护膜的芯片。
[0005] 然而，由液态树脂形成的保护膜的厚度精度不充分，因此，多数情况下存在所得到 的带有保护膜的芯片的成品率降低的问题。
[0006] 作为能够形成厚度精度良好的保护膜的材料，例如在专利文献1中公开了一种保 护膜形成用片，其具有保护膜形成层，所述保护膜形成层包含热固性成分和能量线固化性 成分中的至少一种、以及粘合剂聚合物成分。
[0007] 但是，伴随着近年来安装有半导体芯片的半导体装置的高密度化及该半导体装置 制造工序的高速化，半导体装置的发热成为了问题。由于半导体装置的发热，存在如下问 题：半导体装置变形而成为故障、破损的原因，或者导致半导体装置运算速度的降低、误动 作而使半导体装置的可靠性降低等。因此，对于安装到高性能的半导体装置中的半导体芯 片，要求具有优异的散热特性。
[0008] 另外，应用于半导体芯片中的保护膜还要求与作为电路形成材料的铜箱等、以及 抗蚀层、工件等被粘附物具有良好的粘接性。
[0009] 从散热性、以及与工件等被粘附物的粘接性的观点考虑，由专利文献1公开的保 护膜形成用片形成的保护膜仍不充分。
[0010] 作为使散热性提高的保护膜的形成材料，本申请人提出了一种芯片用保护膜形成 用片，其具有剥离片和形成在该剥离片上的保护膜形成层，其中，该保护膜形成层含有粘合 剂聚合物成分、固化性成分、以及作为无机填料的金属化合物，且该保护膜形成层的导热系 数为0. 5~8. OW/m · K(参照专利文献2)。
[0011] 在该芯片用保护膜形成用片的保护膜形成层中，作为无机填料配合的金属化合物 承担了提高保护膜形成层固化而形成的保护膜的导热性的作用。该芯片用保护膜形成用片 可以在芯片背面简便地形成均匀性高、导热性良好的保护膜。
[0012] 现有技术文献
[0013] 专利文献
[0014] 专利文献1 :日本特开2002-280329号公报
[0015] 专利文献2 :日本特开2012-158653号公报
【发明内容】
[0016] 发明要解决的课题
[0017] 但是，专利文献2公开的芯片用保护膜形成用片的保护膜形成层固化而形成的保 护膜的与粘贴有工件等的面相反侧的面的光泽值低，在提高激光标记性方面有改进的余 地。
[0018] 另外，对于专利文献2公开的芯片用保护膜形成用片而言，为了使待形成的保护 膜的散热性提高，需要增加该片的保护膜形成层中无机填料的配合量。但是，具有配合了大 量无机填料的保护膜形成层固化而形成的保护膜的半导体芯片在安装到半导体装置中的 情况下，由于反复放热和冷却引起的温度变化，会产生下述新的问题：在与保护膜的接合部 产生浮起或剥离、裂纹，芯片的可靠性下降。
[0019] 本发明的目的在于提供一种能够形成散热性及标记性优异的保护膜、并且能够 制造可靠性高的带有保护膜的芯片的保护膜形成用复合片、具有该复合片的带有保护膜的 芯片、以及该带有保护膜的芯片的制造方法。
[0020] 解决问题的方法
[0021] 本发明人等发现，下述保护膜形成用复合片可解决上述课题，所述保护膜形成用 复合片具备：在基材上具有粘合剂层的粘合片、以及在该粘合剂层的至少一部分上的由保 护膜形成用组合物形成的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用组合物含有特定量的包含氮 化硼粒子的无机填料。
[0022] 即，本发明提供下述[1]~[15]。
[0023] [1] -种保护膜形成用复合片，其具备：在基材上具有粘合剂层的粘合片、以及在 该粘合剂层的至少一部分上的由保护膜形成用组合物形成的保护膜形成用膜，
[0024] 所述保护膜形成用组合物含有包含氮化硼粒子（C1)的无机填料（C)，且相对于该 保护膜形成用组合物的总量，（C)成分的含量为10~70质量％。
[0025] [2]上述[1]所述的保护膜形成用复合片，其具有在所述粘合剂层的至少一部分 上直接叠层所述保护膜形成用膜的结构。
[0026] [3]上述[1]或[2]所述的保护膜形成用复合片，其中，所述基材是包含聚丙烯膜 的基材。
[0027] [4]上述[1]~[3]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，相对于（C)成分 的总量，所述保护膜形成用组合物中（C1)成分的含量为10~80质量％。
[0028] [5]上述[1]~[4]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成 用组合物中的（C)成分包含（C1)成分，同时还包含金属化合物粒子（C2)。
[0029] [6]上述[1]~[5]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成 用组合物还含有聚合物成分（A)及固化性成分（B)。
[0030] [7]上述[6]所述的保护膜形成用复合片，其中，（A)成分是丙烯酸类聚合物，所述 丙烯酸类聚合物包含来源于具有碳原子数1~18的烷基的（甲基）丙烯酸烷基酯的结构 单元（al)，且来源于选自含有环氧基团的（甲基）丙烯酸酯及含有环氧基团的非丙烯酸类 单体中的一种以上含有环氧基团的单体的结构单元的含量为〇~20质量％。
[0031] [8]上述[1]~[7]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成 用组合物还含有着色剂（D)。
[0032] [9]上述[1]~[8]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形成 用膜中含有的（C)成分的含量为10~50体积％。
[0033] [10]上述[1]~[9]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述粘合剂层是 由能量线固化型粘合剂组合物形成的层。
[0034] [11]上述[10]所述的保护膜形成用复合片，其具有如下结构：具有所述粘合剂层 的至少一部分预先通过能量辐射而固化的固化区域，且在该粘合剂层的该固化区域上直接 叠层了所述保护膜形成用膜。
[0035] [12]上述[1]~[11]中任一项所述的保护膜形成用复合片，其中，所述保护膜形 成用膜固化而形成的保护膜的导热系数为1. 5WAm · K)以上。
[0036] [13] -种带有保护膜的芯片，其在芯片的背面具有保护膜，所述保护膜是上述 [1]~[12]中任一项所述的保护膜形成用复合片的所述保护膜形成用膜固化而形成的。
[0037] [14]上述[13]所述的带有保护膜的芯片，其中，从所述带有保护膜的芯片的与具 有芯片一侧的相反侧测定的保护膜的光泽值为25以上。
[0038] [15] -种带有保护膜的芯片的制造方法，该方法包括下述工序⑴~（4)，
[0039] 工序（1):在工件的背面粘贴上述[1]~[12]中任一项所述的保护膜形成用复合 片的保护膜形成用膜，得到带有保护膜形成用膜的工件的工序；
[0040] 工序（2):将带有保护膜形成用膜的工件或带有保护膜的工件进行切割的工序；
[0041] 工序（3):使保护膜形成用膜固化的工序；
[0042] 工序（4):拾取经过工序（1)~（3)而得到的切割后的带有保护膜的工件，从而得 到带有保护膜的芯片的工序。
[0043] 发明的效果
[0044] 本发明的保护膜形成用复合片能够形成散热性及标记性优异的保护膜，并且能够 制造可靠性高的带有保护膜的芯片。
【附图说明】
[0045] 图1是示出本发明的保护膜形成用复合片的第1~第3构成的保护膜形成用复合 片的剖面图。
[0046] 图2是示出本发明的保护膜形成用复合片的第4~第6构成的保护膜形成用复合 片的剖面图。
[0047] 符号说明
[0048] la、lb、lc、2a、2b、2c保护膜形成用复合片
[0049] 10、10' 粘合片
[0050] 11 基材
[0051] 11a基材侧
[0052] 12粘合剂层
[0053] 12a固化区域
[0054] 13能量线遮蔽层
[0055] 20保护膜形成用膜
[0056] 31夹具粘接层
[0057] 41夹具粘接用粘合剂层
【具体实施方式】
[0058] 在以下的本说明书的记载中，"重均分子量（Mw) "是用凝胶渗透色谱（GPC)法测定 的换算成聚苯乙烯的值，具体而言，是基于实施例中记载的方法测得的值。
[0059] 另外，例如"（甲基）丙烯酸酯"是用于表示"丙烯酸酯"及"甲基丙烯酸酯"两者 的用语，其它类似用语也相同。
[0060] 此外，在本说明书的记载中，"能量线"是指例如紫外线及电子束等，优选紫外线。
[0061] 需要说明的是，在本发明中所说的组合物中的有效成分是指，从该组合物中所含 的成分中除去了水及有机溶剂等溶剂的成分。
[0062] [保护膜形成用复合片]
[0063] 本发明的保护膜形成用复合片是具备在基材上具有粘合剂层的粘合片、以及在该 粘合剂层的至少一部分上的由保护膜形成用组合物形成的保护膜形成用膜的复合片。
[0064] 图1及图2是示出本发明的保护膜形成用复合片的构成的一例的保护膜形成用复 合片的剖面图。
[0065] 如图1及图2所示，从提高所要形成的保护膜的标记性的观点考虑，本发明的保护 膜形成用复合片优选具有在粘合剂层12上的至少一部分直接叠层有保护膜形成用膜20的 结构。
[0066] 作为本发明的保护膜形成用复合片的第1构成，可以举出如图1 (a)所示在基材11 上具有粘合剂层12的粘合片10与在粘合剂层12上的一部分上的保护膜形成用膜20直接 叠层而成的保护膜形成用复合片la。
[0067] 另外，作为本发明的保护膜形成用复合片的第2构成，可以举出如图1(b)所示在 粘合剂层12的整个面上直接叠层保护膜形成用膜20而成的保护膜形成用复合片lb。需要 说明的是，在该保护膜形成用复合片lb中，保护膜形成用膜20与粘合片10形状相同。
[0068] 需要说明的是，本发明的保护膜形成用复合片只要是保护膜形成用膜20的形状 被调整为与半导体晶片等工件基本相同的形状或者能够完全包含工件的形状即可。另外， 本发明的保护膜形成用复合片还可以是具备比保护膜形成用膜20大的粘合片10的保护膜 形成用复合片la这样的构成的复合片。
[0069] 作为本发明的保护膜形成用复合片的第3构成，可以举出如图1(c)所示的保护膜 形成用复合片lc，该保护膜形成用复合片lc具有如下结构：粘合剂层12为由能量线固化 性粘合剂形成的层，该粘合剂层12的至少一部分具有预先通过能量线辐射而固化的固化 区域12a，在该固化区域12a上直接叠层有保护膜形成用膜20。
[0070] 需要说明的是，优选在该保护膜形成用复合片lc中固化区域12a以外的粘合剂层 的区域未进行能量线的辐射而保持了高粘合力。
[0071] 需要说明的是，为了仅对粘合剂层12中待形成固化区域12a的位置进行能量线的 辐射，例如可以在基材11与待形成固化区域12a的位置以外的粘合剂层12的边界通过印 刷等来设置能量线遮蔽层13,并从基材侧11a进行能量线的辐射。
[0072] 作为本发明的保护膜形成用复合片的第4构成，可以举出如图2 (a)所示的保护膜 形成用复合片2a，该保护膜形成用复合片2a具有如下结构：在粘合剂层12上的未叠层保 护膜形成用膜20的表面上设置了夹具粘接层31。
[0073] 另外，如图2(b)所示，作为本发明的保护膜形成用复合片的第5构成，还可以是保 护膜形成用复合片2b，该保护膜形成用复合片2b具有如下结构：保护膜形成用膜20与粘 合片10为相同形状，并且在保护膜形成用膜20的表面的外周部设置有夹具粘接层31。
[0074] 通过设置夹具粘接层31，在保护膜形成用膜20的表面的外周部粘接环状框等夹 具时，可以使与该夹具的粘接力变得良好。
[0075] 夹具粘接层31可以由具有基材（芯材）的双面粘合片形成，或者由包含粘合剂的 层形成。
[0076] 作为用于形成夹具粘接层31的基材（芯材），可以使用与粘合片10的基材11同 样的基材。另外，作为用于形成夹具粘接层31的粘合剂，可以使用与构成粘合片10的粘合 剂层12的粘合剂同样的粘合剂。
[0077] 夹具粘接层31的厚度优选为1~80 μ m，更优选为5~60 μ m，进一步优选为10~ 40 μ m〇
[0078] 另外，作为保护膜形成用复合片的第6构成，可以举出如图2(c)所示的具有保护 膜形成用膜20和粘合片10'的保