用于高频印刷电路板的铜箔基板材及其应用
【专利摘要】一种用于高频印刷电路板的铜箔基板材包含：表面粗糙度范围为0.5μm以下的铜箔基板及积层体。该积层体包括热固型聚酰亚胺层及绝缘层。该热固型聚酰亚胺层是用来使铜箔基板与绝缘层连接在一起，且该热固型聚酰亚胺层的膜厚与积层体的膜厚比值范围为0.145至0.2；该热固型聚酰亚胺层的介电常数范围为3.0以上；该绝缘层的介电常数范围为小于3.0。本发明通过该热固型聚酰亚胺层使该铜箔基板与该绝缘层有很好的接着性，且在1GHz至10GHz的信号传输条件下，该积层体的介电常数可保持在3.0以下，以符合业界及市场需求。
【专利说明】
用于高频印刷电路板的铜菊基板材及其应用
技术领域
[0001] 本发明设及一种用于高频印刷电路板的铜锥基板材，特别是设及一种包含低表面 粗糖度的铜锥基板W及积层体的铜锥基板材，且该积层体包括热固型聚酷亚胺层及绝缘 层。
【背景技术】
[0002] 随着新世代的电子产品设计趋向轻、薄、短、小，且需符合多功能要求和资讯快速 且大量传输的特性，因此，印刷电路板的配线走向高密度化，资讯传送方式朝高频化发展， 使得印刷电路板的材料选用走向更严谨的需求。由于印刷电路板所使用的基板的信号传送 速度与基板的介电常数值k)的平方根成反比，所W基板的介电常数通常越小越好，而介电 耗损因子值f)越小，代表信号传递的损失越少，所W介电耗损因子较小的材料所能提供的 传输质量也较为优良。所W为了维持高频传输速率及保持传输信号完整性，印刷电路板的 基板必须兼具较低的介电常数及介电耗损因子。
[0003] 一般印刷电路板包括一铜锥基板及一绝缘层，为提高铜锥基板与绝缘层的接着 性，一般会将铜锥基板进行粗化使其表面粗糖度提高，但该印刷电路板于IGHz至lOGHz的 信号传输条件下，会因集肤效应（skin effect)的影响，造成信号能量因高表面粗糖度铜锥 基板而产生导体损（con化ctor loss)，导致信号能量损失失真，使得高频传输的特性及可 靠度降低。
[0004] 目前用于高频/高密度化印刷电路板的铜锥基板材包含一低表面粗糖度的铜锥 基板，及一连接设置在该铜锥基板上的绝缘层，其中，该绝缘层的介电常数范围为3.0 W 上。但随着铜锥基板材趋向薄型化的设计，于IGHz至lOGHz的信号传输条件下，使得该铜 锥基板材的寄生电容（stray capacitance)值及介电耗损（dissipation loss)值逐渐提 高，导致铜锥基板材的信号传输质量降低，进而影响后续印刷电路板所需特性。 阳0化]有鉴于上述，为避免寄生电容值及介电损耗值逐渐提高到不容忽视的情况，需开 发出具有低介电常数及介电损耗的薄型铜锥基板材，并同时兼顾到铜锥基板与绝缘层间的 接着性，并将其应用于高频/高密度化印刷电路板中，乃是现阶段印刷电路板材料供货商 亟欲解决的问题。
【发明内容】
[0006] 本发明的第一目的在于提供一种用于高频印刷电路板的铜锥基板材。通过该铜 锥基板材中的该热固型聚酷亚胺层使该铜锥基板与该绝缘层间有很好的接着性，且在IGHz 至lOGHz的信号传输条件下，该积层体的介电常数可保持在3. 0 W下，不会有寄生电容值及 介电耗损值提高的问题，进而提高铜锥基板材的信号传输质量。
[0007] 本发明用于高频印刷电路板的铜锥基板材，该用于高频印刷电路板的铜锥基板材 包含： 阳00引一表面粗糖度范围为0. 5 μ m W下的铜锥基板；及
[0009] 一积层体，包括一连接设置在该铜锥基板上的热固型聚酷亚胺层，及一连接设置 在该热固型聚酷亚胺层上的绝缘层；
[0010] 其中，该热固型聚酷亚胺层是用来使该铜锥基板与该绝缘层连接在一起，且该热 固型聚酷亚胺层的膜厚与该积层体的膜厚比值范围为0. 145至0. 2 ;该热固型聚酷亚胺层 的介电常数范围为3. 0 W上；该绝缘层的介电常数范围为小于3. 0。
[0011] 本发明的第二目的在于提供一种用于高频印刷电路板的复合积层体。
[0012] 本发明用于高频印刷电路板的复合积层体，该用于高频印刷电路板的复合积层体 包含：两个上述用于高频印刷电路板的铜锥基板材，及一接着层，其中，该接着层是用来使 所述用于高频印刷电路板的铜锥基板材中的绝缘层连接在一起。
[0013] 本发明的第Ξ目的在于提供一种用于高频印刷电路板的复合层合体。
[0014] 本发明用于高频印刷电路板的复合层合体，该用于高频印刷电路板的复合层合体 包含：两个上述用于高频印刷电路板的铜锥基板材，及二分别连接设置在所述用于高频印 刷电路板的铜锥基板材中绝缘层上的接着层，其中，所述用于高频印刷电路板的铜锥基板 材中的接着层彼此连接在一起。
[0015] 本发明的有益效果在于：本发明铜锥基板材通过该热固型聚酷亚胺层使该铜锥基 板与该绝缘层有很好的接着性，且通过控制该热固型聚酷亚胺层的膜厚与该积层体的膜厚 比值及热固型聚酷亚胺层与绝缘层的介电常数范围，使得该铜锥基板材置于IGHz至lOGHz 的信号传输条件下，该积层体的介电常数可保持在3. 0 W下，W符合业界及市场需求。
[0016] W下将就本
【发明内容】
进行详细说明：
[0017] 较佳地，该积层体与该铜锥基板间的黏着力范围为0. 7Kg/cm至化g/cm。
[0018] 较佳地，本发明用于高频印刷电路板的铜锥基板材还包含一连接设置在该绝缘层 上的接着层。
[0019] 本发明用于高频印刷电路板的铜锥基板材的制备方法，可采用W往制备高频印刷 电路板用的铜锥基板材的方法即可。具体来说，本发明用于高频印刷电路板的铜锥基板材 的制备方法包含W下步骤：提供一表面粗糖度范围为0. 5 μπι W下的铜锥基板；于该铜锥基 板上形成一热固型聚酷胺酸层；接着，于该热固型聚酷胺酸层上形成一绝缘层；然后，进行 一加热处理W使该热固型聚酷胺酸层进行酷亚胺化反应，形成一热固型聚酷亚胺层，即可 获得本发明用于高频印刷电路板的铜锥基板材。进一步地，于该热固型聚酷亚胺层形成后， 于该绝缘层上形成一接着层。
[0020] 该热固型聚酷胺酸层形成于该铜锥基板的方式例如但不限于将一热固型聚酷胺 酸组成物W狭缝涂布法、漉涂法、旋涂法，或浸涂法等方式形成于该铜锥基板上。
[0021] 该加热处理的操作溫度只要能使该热固型聚酷胺酸层进行酷亚胺化反应即可。
[0022] 本发明用于高频印刷电路板的复合积层体的制备方法，可采用W往制备印刷电路 板用的复合积层体的方法即可。举例来说，本发明用于高频印刷电路板的复合积层体的制 备方法包含W下步骤：提供两个上述铜锥基板材，于其中一铜锥基板材的绝缘层上形成一 接着层，接着，将另一铜锥基板材的绝缘层连接至该接着层。
[0023] 该铜锥基板材的绝缘层连接至该接着层的方式例如但不限于压合法。
[0024] 本发明用于高频印刷电路板的复合层合体的制备方法，可采用如上述用于高频印 刷电路板的复合积层体的制备方法，所W不再寶述。其中，所述用于高频印刷电路板的铜锥 基板材中的接着层彼此连接在一起的方式例如但不限于压合法。
[00巧]W下将逐一对该铜锥基板、聚酷亚胺层、热固型聚酷胺酸组成物、绝缘层，及接着 层进行详细说明。
[0026] 《铜锥基板》
[0027] 该铜锥基板例如但不限于电解式铜锥基板或無压式铜锥基板。
[0028] 《热固型聚酷亚胺层》
[0029] 该热固型聚酷亚胺层的膜厚范围为2.9 μπι至4.4 μπι。该热固型聚酷亚胺层的材 质是由一热固型聚酷胺酸组成物经酷亚胺化反应而形成的热固型聚酷亚胺。该热固型聚酷 胺酸组成物例如但不限于中国台湾专利1264444所使用的聚酷胺酸组成物等。
[0030] 较佳地，该热固型聚酷亚胺层的材质是由一包括四簇酸二酢系化合物及二胺系 化合物的混合物经聚合反应及酷亚胺化反应所形成的热固型聚酷亚胺，其中，W该四簇 酸二酢系化合物的总量为1莫耳计，该二胺系化合物的使用量范围为1. 0莫耳至1. 02 莫耳。该四簇酸二酢系化合物可单独或混合使用，且该四簇酸二酢系化合物例如但不 限于二苯四簇酸二酢化iphenyl tetracarbo巧licdianhy化ide，简称BPDA)、均苯四簇 酸二酢（pyromelliticdianhy化ide，简称PMDA)、二苯甲酬四簇酸二酢化enzo地enone tetracarbo巧licdianhy化ide，简称 BTDA)，或 3, 3' 4,4'-二苯基讽四簇酸二酢（3, 3' 4， 4'-di地en}dsulfone tetracarboxylicdianhy化ide，简称 DSDA)等。该二胺系化合物可 单独或混合使用，且该二胺系化合物例如但不限于对苯二胺（p-phenylenediamine，简称 PDA)、4,4' -二胺基二苯酸（4,4' -0巧dianil ine，简称孤A)，或 2, 2' -双[4-(4-胺基苯 氧基）苯基]丙烷{2,2' -bis[4-(4-aminopheno巧)phenyUpropane，简称 BAP巧等。
[0031] 该四簇酸二酢系化合物区分为「刚性四簇酸二酢系化合物」，及「柔性四簇酸二酢 系化合物」。该刚性的定义为仅带有一苯环者或带有两个并互W-单键键结的苯环者，例如 BPDA或PMDA。该柔性的定义为结构式中带有两个苯环且两个苯环间W-桥接基团连接者， 例如BTDA或DSDA。该二胺系化合物区分为「刚性二胺系化合物」，及「柔性二胺系化合物」。 该刚性的定义为仅带有一苯环者或带有两个并互W-单键键结的苯环者，例如PDA。该柔性 的定义为结构式中带有两个苯环且两个苯环间W-桥接基团连接者，例如0DA或BAPP。较 佳地，W该混合物的总量为100莫耳计，该柔性四簇酸二酢系化合物与柔性二胺系化合物 的总量和不大于10莫耳。 阳03引《绝缘层》
[0033] 该绝缘层的材质可单独或混合使用，且该绝缘层的材质例如但不限于聚醋树脂、 液晶型聚合物，或具有氣基团的聚酷亚胺等。该液晶型聚合物例如但不限于热致型液晶型 聚合物、芳香族聚醋液晶型聚合物、芳香族酷胺液晶型聚合物、芳香族液晶型聚合物等。较 佳地，该绝缘层的材质是择自于液晶型聚合物、具有氣基团的聚酷亚胺，或它们的一组合。
[0034] 《接着层》
[0035] 该接着层的材质可单独或混合使用，且该接着层的材质例如但不限于丙締酸树脂 类、环氧树脂类、热塑型聚酷亚胺类，或聚醋树脂类等。较佳地，该接着层的材质是择自于环 氧树脂类、热塑型聚酷亚胺类，或它们的一组合。
【附图说明】
[0036] 图1是一示意图，说明本发明实施例1用于高频印刷电路板的铜锥基板材的结 构；
[0037] 图2是一示意图，说明本发明应用例1用于高频印刷电路板的铜锥基板材的结 构；
[0038] 图3是一示意图，说明本发明应用例2用于高频印刷电路板的复合积层体的结构； 及
[0039] 图4是一示意图，说明本发明应用例3用于高频印刷电路板的复合层合体的结构。
【具体实施方式】 W40]《合成例1》
[0041] 将0. 6莫耳的对苯二胺（美国化riskev公司制）、0. 4莫耳的二苯甲酬四簇酸二 酢（美国化riskev公司制），及0. 2莫耳的二苯四簇酸二酢（美国化riskev公司制）溶解 于氮-甲基化咯酬（美国Tedia公司制）中，接着，在5°C下进行聚合反应，形成一第一混 合液（固含量为20wt% )。将0. 4莫耳的4,4'-二胺基二苯酸（美国化riskev公司制） 及0. 4莫耳的均苯四簇酸二酢溶解于氮-甲基化咯酬中，接着，在5°C下进行聚合反应，形 成一第二混合液（固含量为20wt% )。将该第一混合液与第二混合液混合，形成一固含量 为20wt%且黏度值为21，OOOcps W上的第Ξ混合液，接着，在于5°C下持续揽拌该第Ξ混合 液，即可获得一热固型聚酷胺酸组成物。 阳0创《合成例2》
[0043] 将0. 8莫耳的对苯二胺、0. 4莫耳的二苯甲酬四簇酸二酢、0. 2莫耳的二苯四簇酸 二酢，及0. 2莫耳的均苯四簇酸二酢溶解于氮-甲基化咯酬中，接着，在5°C下进行聚合反 应，形成一第一混合液（固含量为20wt% )。将0. 2莫耳的4,4'-二胺基二苯酸及0. 2莫 耳的均苯四簇酸二酢溶解于氮-甲基化咯酬中，接着，在5°C下进行聚合反应，形成一第二 混合液（固含量为20wt% )。将该第一混合液与第二混合液混合，形成一固含量为20wt% 且黏度值为31，OOOcps W上的第Ξ混合液，接着，在于5°C下持续揽拌该第Ξ混合液，即可 获得一热固型聚酷胺酸组成物。 柳44]《合成例3》
[0045] 将0. 9莫耳的对苯二胺、0. 3莫耳的二苯甲酬四簇酸二酢、0. 2莫耳的二苯四簇酸 二酢，及0. 4莫耳的均苯四簇酸二酢溶解于氮-甲基化咯酬中，接着，在5°C下进行聚合反 应，形成一第一混合液（固含量为20wt % )。将0. 1莫耳的4,4'-二胺基二苯酸及0. 1莫耳 的二苯甲酬四簇酸二酢溶解于氮-甲基化咯酬中，接着，在5°C下进行聚合反应，形成一第 二混合液（固含量为20wt% )。将该第一混合液与第二混合液混合，形成一固含量为20wt% 且黏度值为41，OOOcps W上的第Ξ混合液，接着，在于5°C下持续揽拌该第Ξ混合液，即可 获得一热固型聚酷胺酸组成物。
[0046] 《实施例1》
[0047] 将合成例1的热固型聚酷胺酸组成物W狭缝涂布法涂布于一铜锥1 (厂牌：日矿金 属股份有限公司；型号：GHY5-93DF 1/30Z)表面，并置于200°C的烘箱中，进行3分钟的干 燥处理，于该铜锥1表面形成一热固型聚酷胺酸层。接着，将该具有氣基团的聚酷胺酸W狭 缝涂布法涂布于该热固型聚酷胺酸层上，并置于200°C的烘箱中，进行3分钟的干燥处理， 于该热固型聚酷胺酸层上形成一具有氣基团的聚酷胺酸层。然后，置入具有氮气的烘箱中， 并于400°C下使该热固型聚酷胺酸层及该具有氣基团的聚酷胺酸层进行酷亚胺化反应，且 历时30分钟，形成热固型聚酷亚胺层2及具有氣基团的聚酷亚胺层3,即可获得本发明铜锥 基板材，参阅图1。 W4引《实施例2及比较例1及3》
[0049] 实施例2及比较例1及3是W与实施例1相同的步骤来制备该铜锥基板材，不同 的地方在于：改变该热固型聚酷亚胺层2及该具有氣基团的聚酷亚胺层3的膜厚，如表1、2 所示。
[0050] 《比较例2》
[0051] 将合成例1的聚酷胺酸组成物W狭缝涂布法涂布于一铜锥1 (厂牌：南亚塑料工 业股份有限公司；型号：NPVE 1/30Z)表面，并置于200°C的烘箱中，进行3分钟的干燥处 理，于该铜锥1表面形成一热固型聚酷胺酸层。接着，将具有氣基团的聚酷胺酸W狭缝涂布 法涂布于该热固型聚酷胺酸层上，并置于200°C的烘箱中，进行3分钟的干燥处理，于该热 固型聚酷胺酸层上形成一具有氣基团的聚酷胺酸层。然后，置入具有氮气的烘箱中，并于 400°C下使该热固型聚酷胺酸层及该具有氣基团的聚酷胺酸层进行酷亚胺化反应，且历时 30分钟，形成热固型聚酷亚胺层2及具有氣基团的聚酷亚胺层3,即可获得本发明铜锥基板 材。 阳05引《比较例4至7》
[0053] 比较例4至7是W与比较例2相同的步骤来制备该铜锥基板材，不同的地方在于： 改变该热固型聚酷亚胺层2及该具有氣基团的聚酷亚胺层3的膜厚，如表2所示。
[0054] 《比较例8》 阳化5] 将具有氣基团的聚酷胺酸W狭缝涂布法涂布于一铜锥（厂牌：日矿金属股份有限 公司；型号：GHY5-93DF 1/30Z)表面，并置于200°C的烘箱中，进行3分钟的干燥处理，于该 铜锥形成一具有氣基团的聚酷胺酸层。然后，置入具有氮气的烘箱中，并于40(TC下使该具 有氣基团的聚酷胺酸层进行酷亚胺化反应，且历时30分钟，形成具有氣基团的聚酷亚胺层 即可。
[0056] 《应用例1》
[0057] 参阅图2,提供一个实施例1所制得的铜锥基板材，包括一铜锥1、一连接设置在该 铜锥1上的热固型聚酷亚胺层2,及一连接设置在该热固型聚酷亚胺层2上的具有氣基团的 聚酷亚胺层3。接着，于该具有氣基团的聚酷亚胺层3上形成一热塑型聚酷亚胺层4,即可 获得另一个本发明铜锥基板材的实施态样。 阳0郎]《应用例2》
[0059] 参阅图3,提供两个实施例1所制得的铜锥基板材，分别包括一铜锥1、一连接设置 在该铜锥1上的热固型聚酷亚胺层2,及一连接设置在该热固型聚酷亚胺层2上的具有氣基 团的聚酷亚胺层3。接着，于其中一铜锥基板材的具有氣基团的聚酷亚胺层3上形成一热塑 型聚酷亚胺层4。然后，将另一铜锥基板材的具有氣基团的聚酷亚胺层3压合于该热塑型聚 酷亚胺层4上，即可获得本发明用于高频印刷电路板的复合积层体。 柳6〇]《应用例3》
[0061] 参阅图4,提供两个实施例1所制得的铜锥基板材，分别包括一铜锥1、一连接设置 在该铜锥1上的热固型聚酷亚胺层2,及一连接设置在该热固型聚酷亚胺层2上的具有氣基 团的聚酷亚胺层3。接着，分别于所述铜锥基板材的具有氣基团的聚酷亚胺层3上形成一热 塑型聚酷亚胺层4。然后，将所述铜锥基板材的热塑型聚酷亚胺层4压合在一起，即可获得 本发明用于高频印刷电路板的复合层合体。 阳06引《评价项目》
[0063] 180度剥离强度量测：使用拉力机（厂牌：LL0YD INSTRUMENTS ;型号：LRX)并采 用IPC-TM-650-2. 4. 9标准方法进行量测，测试条件：拉引速度为50mm/min，且拉引长度为 20mm〇 |；0064] 介电常数（dielectric constant,简称Dk)量测：使用量测仪（厂牌：Agilent ;型 号：HP4291)，并采用IPC-TM-650-2. 5. 5. 9标准方法进行量测，且分别于1細Z及10細Z的条 件下进行量测。
[00佑I 介电耗损因子（dissipation factor,简称Df)量测：使用量测仪（厂牌： Agilent ;型号：HP4291)，并采用IPC-TM-650-2. 5. 5. 9标准方法进行量测，且分别于IGHz 及lOGHz的条件下进行量测。
[0066]
[0067]
W側由表2的比较例8实验数据结果可知，虽于IGHz及lOGHz的信号传输条件下，介 电常数可保持在3. 0 W下，但表面粗糖度小的铜锥基板与低介电绝缘层间的接着性不佳。
[0069] 由表1的实施例1至2实验数据结果可知，本发明通过该热固型聚酷亚胺层使该 铜锥基板与该绝缘层有很好的接着性（剥离强度0. 7Kg/cm W上），且通过控制该热固型聚 酷亚胺层的膜厚与该积层体的膜厚比值及热固型聚酷亚胺层与绝缘层的介电常数范围，使 得该铜锥基板材置于IGHz及lOGHz的信号传输条件下，该积层体的介电常数可保持在3. 0 W下。
[0070] 由比较例1及2的实验数据结果可知，该热固型聚酷亚胺层的膜厚与该积层体的 膜厚比值分别在0. 105及0. 069,虽该铜锥基板材置于IGHz及lOGHz的信号传输条件下，该 积层体的介电常数可保持在3.0 W下，但该铜锥基板与该绝缘层的接着性不佳（剥离强度 分别为 0. 62 及 0. 60Kg/cm)。
[0071] 由比较例3、5与6的实验数据结果可知，该热固型聚酷亚胺层的膜厚与该积层 体的膜厚比值分别在0. 31、0. 235及0. 265。虽该铜锥基板与该绝缘层的接着性佳，但该 铜锥基板材置于IGHz及lOGHz的信号传输条件下，其积层体的介电常数皆大于3. 0,会 产生较高的寄生电容效应，影响多层导体连线中信号传递延迟W及相互间信号干扰效应 (cross-talk)进而影响高频传输速率，另一个考虑点是由于介电损耗造成传输信号的完整 性。
[0072] 由比较例4的实验数据结果可知，该热固型聚酷亚胺层的膜厚与该积层体的膜厚 比值在0. 1，虽该铜锥基板与该绝缘层的接着性佳，但该铜锥基板材置于lOGHz的信号传输 条件下，该积层体的介电常数大于3. 0。
[0073] 由比较例7的实验数据结果可知，虽该铜锥基板与该绝缘层的接着性佳，但因其 铜锥基板表面粗糖度大，使得该铜锥基板材置于lOGHz的信号传输条件下，该积层体的介 电常数大于3. 0。
[0074] 综上所述，本发明铜锥基板材通过该热固型聚酷亚胺层使该铜锥基板与该绝缘层 有很好的接着性，且通过控制该热固型聚酷亚胺层的膜厚与该积层体的膜厚比值及热固型 聚酷亚胺层与绝缘层的介电常数范围，使得该铜锥基板材置于IGHz至lOGHz的信号传输条 件下，该积层体的介电常数可保持在3. 0 W下，W符合业界及市场需求，所W确实能达成本 发明的目的。
【主权项】
1. 一种用于高频印刷电路板的铜箱基板材，其特征在于该用于高频印刷电路板的铜箱 基板材包含： 一表面粗糙度范围为0. 5 μπι以下的铜箱基板；及 一积层体，包括一连接设置在所述铜箱基板上的热固型聚酰亚胺层，及一连接设置在 所述热固型聚酰亚胺层上的绝缘层； 所述热固型聚酰亚胺层是用来使所述铜箱基板与所述绝缘层连接在一起，且所述热固 型聚酰亚胺层的膜厚与所述积层体的膜厚比值范围为0. 145至0. 2 ;所述热固型聚酰亚胺 层的介电常数范围为3. 0以上；所述绝缘层的介电常数范围为小于3. 0。2. 根据权利要求1所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，其特征在于：所述热固 型聚酰亚胺层的膜厚范围为2. 9 μ m至4. 4 μ m。3. 根据权利要求1所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，其特征在于：所述热固 型聚酰亚胺层的材质是由一包括四羧酸二酐系化合物及二胺系化合物的混合物经聚合反 应及酰亚胺化反应所形成的热固型聚酰亚胺，其中，以所述四羧酸二酐系化合物的总量为1 莫耳计，所述二胺系化合物的使用量范围为1. 〇莫耳至1. 02莫耳。4. 根据权利要求1所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，其特征在于：所述绝缘 层的材质择自于液晶型聚合物、具有氟基团的聚酰亚胺，或它们的一组合。5. 根据权利要求1所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，其特征在于：该用于高 频印刷电路板的铜箱基板材还包含一连接设置在所述绝缘层上的接着层。6. 根据权利要求5所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，其特征在于：所述接着 层的材质是择自于环氧树脂类、热塑型聚酰亚胺类，或它们的一组合。7. -种用于高频印刷电路板的复合积层体，其特征在于该用于高频印刷电路板的复合 积层体包含：两个权利要求1所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，及一接着层；所述 接着层是用来使所述用于高频印刷电路板的铜箱基板材中的绝缘层连接在一起。8. 根据权利要求7所述的用于高频印刷电路板的复合积层体，其特征在于：所述接着 层的材质是择自于环氧树脂类、热塑型聚酰亚胺类，或此等一组合。9. 一种用于高频印刷电路板的复合层合体，其特征在于该用于高频印刷电路板的复合 层合体包含：两个权利要求1所述的用于高频印刷电路板的铜箱基板材，及二分别连接设 置在所述用于高频印刷电路板的铜箱基板材中绝缘层上的接着层；所述用于高频印刷电路 板的铜箱基板材中的接着层彼此连接在一起。
【文档编号】B32B15/08GK105984180SQ201510071715
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月11日
【发明人】黄堂傑, 庄朝钦
【申请人】律胜科技股份有限公司