专利名称:在记录介质上记录数据的方法和设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光盘，更具体地涉及一种在记录介质上记录数据的方法和设备。尽管本发明所适用的应用范围很广，然而它尤其适用于区分和管理LOW和DFL表项，以提高数据的记录和再现效率。
背景技术：
最近，诸如蓝光可重写盘(BD-RE)等能长时间记录和存储高清晰度音频和视频数据的新型高密度光盘可望被研发并引入到记录介质产业和市场中。如图1所示，BD-RE被分配以引入区、数据区和引出区。内部备用区(ISA)和外部备用区(OSA)被分别分配于数据区的前端和后端。BD-RE以与预定记录单元对应的簇为单元进行记录。参阅图1，在数据记录期间可检测数据区中是否存在缺陷区。当检测到缺陷区时，执行一系列替换记录操作，例如将打算记录在缺陷区中的数据替换记录在备用区内(例如内部备用区(ISA))。然后，检测到的缺陷区的位置信息以及替换记录的备用区的位置信息作为管理信息被记录并存储于引入区内的缺陷列表(DFL)中。
因此，由于要被记录在缺陷区中的数据被替换记录于备用区中，因此不是读取并再现缺陷区的数据，而是替换记录在备用区中的数据，由此预先防止数据记录/再现错误产生。同时，最近正在研发可记录蓝光盘(BD-R)。然而，由于数据只能在光盘的整个区域中被记录一次，所以与可重写光盘不同，数据在可记录光盘中不能被物理地盖写。然而，在可记录光盘中可能存在希望编辑或部分地修改已记录的数据的情况，并且为便于主机或客户方的使用，可能需要数据的盖写。因此，需要一种管理上述可记录光盘中的缺陷区的方法，因此迫切需要一种允许执行这类缺陷管理和盖写的高效方法。
发明内容因此，本发明针对能基本规避由于相关技术的局限和缺点造成的一个或多个问题的在记录介质上记录数据的方法和设备。
本发明的一个目的是提供一种在诸如光盘等光学记录介质上盖写数据和管理缺陷区的高效线性替换方法。
本发明的其它优点、目的和特征的一部分将在以下说明中阐明，另一部分内容对本领域普通技术人员而言通过细阅下面内容将会变得明显，或可从本发明的实践中获知。本发明的目的和其它优点可由书面说明书及其权利要求
书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点，并根据如本文中所体现和宽泛描述的本发明的目的，一种在具有引入区、引出区以及包含用户数据区和备用区的数据区的记录介质上记录数据的方法包括当接收到将第一数据物理盖写至用户数据区内的第一区中的命令并且该第一区被包含在预记录区域中时，将第一数据记录在第一替换区中；将第一表项记录到临时盘管理区(TDMA)中，该第一表项指定第一区和第一替换区的位置；当接收到将第二数据记录在用户数据区内的第二区中的命令并且发现第二区存在缺陷时，将第二数据记录在第二替换区中；以及将第二表项记录在TDMA中，该第二表项指定第二区和第二替换区的位置。
在本发明的另一方面，一种在具有引入区、引出区以及包含用户数据区和备用区的数据区的记录介质上记录数据的设备包括光学记录装置，它被配置成在记录介质上记录数据；以及微机，当接收到将第一数据盖写至用户数据区内的第一区中的命令并且第一区被包含在预记录区域中时，该微机向光学记录装置提供控制信号以将第一数据记录在第一替换区中，并将第一表项记录在临时盘管理区(TDMA)中，该第一表项指定第一区和第一替换区的位置，其中当接收到将第二数据记录在用户数据区内的第二区中的命令并发现第二区存在缺陷时，微处理器还向光学记录装置提供控制信号以将第二数据记录在第二替换区中，并将第二表项记录在TDMA中，该第二表项指定第二区和第二替换区的位置。
要理解，本发明上面的一般描述和下面的详细描述均为示例性和解释性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步阐述。
包括于此以提供对本发明的进一步理解、并被收录在本申请内且构成其一部分的附图示出本发明的实施例，并与说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中图1示出一种通用可重写光盘的结构以及一种管理缺陷的方法；图2示出根据本发明的可记录光盘中的逻辑盖写方法；图3示在根据本发明的可记录光盘中的管理缺陷的方法；图4示出根据本发明的可记录光盘的DFL表项；图5示出根据本发明的可记录光盘的LOW表项；图6示出记录根据本发明的可记录光盘的LOW表项的方法；图7示出根据本发明的可记录光盘的DFL头部；图8示出根据本发明另一实施例的可记录光盘的LOW表项；图9示出根据本发明的LOW表项和DFL表项的应用例；以及图10示出根据本发明的光学记录和再现设备的方框图。
具体实施方式下面将详细参考本发明的优选实施例，其具体例子示于附图中。在任何可能的情况下，所有附图中使用相同的参考标号来标示相同或相似的部分。另外，尽管本发明中使用的术语是从公知公用的术语中选取的，然而在本发明的说明中提到的一些术语是由申请人根据他或她的判断而选取的，其具体含义记载于本说明书的相关部分。此外，不仅要通过所使用的实际术语而且要通过各术语中所蕴含的意思来理解本发明。
图2示出根据本发明的可记录高密度光盘中的逻辑盖写方法。参阅图2，可记录高密度光盘被分配以引入区、数据区和引出区。另外，数据区包括内部备用区(ISA)、外部备用区(OSA)以及记录实际用户数据的用户数据区。另外，引入区被用作记录用于记录/再现数据至/自光盘的各种管理信息的区域。另外，引入区设有临时盘管理区(TDMA)，它是记录光盘的缺陷管理信息和记录管理信息的区域。可给TDMA在备用区内分配单独的附加TDMA，用于光盘使用过程中频繁发生的缺陷的以及用于更新记录管理信息。
在具有上述结构的可记录一次可写光盘中，将新的一组数据写入要记录数据的用户数据区中的命令可由用户或主机给出(或作出)。在这种情形下，由于可记录光盘的特性，在光盘内记录有数据的区域上进行物理盖写是不可能的。因此，在用户数据区或备用区上执行对打算记录在预记录区上的数据进行替换记录的方法。更具体地说，不是将数据盖写至物理不可盖写的预记录区上，而是采用将数据替换记录至下一可写(或可记录)用户数据区的方法或者将数据记录至备用区上的方法。这被称为逻辑盖写(LOW)，这与物理盖写不同。
在执行替换记录后，如上所述，关于替换记录位置的信息作为表项信息被记录到TDMA中。因此，当在后面的过程中要再现数据时，参照记录于TDMA中的表项信息以再现替换记录的数据。具有逻辑盖写的替换记录区的位置信息的表项被称为LOW表项。同时，在可记录高密度光盘中，当在记录或再现数据过程中检测到缺陷时，打算被记录在检测到的缺陷区中的数据被替换记录到光盘的备用区上，这与逻辑盖写相似。下面将结合图3对在备用区中替换记录数据的方法进行详细说明。
图3示在根据本发明的可记录光盘中管理缺陷的方法。参阅图3，在其中分配有引入区、数据区和引出区的的光盘中，在记录或再现数据区中的用户数据区的数据时可能会检测到缺陷区。这里，缺陷也包括目前没有缺陷但在很近的将来会成为有缺陷的区域。缺陷区可因为光盘表面的玷污和刮擦而产生。另外，当产生这样的缺陷区时，将要被记录在缺陷区上的数据或已被记录的数据被替换记录到数据区内的备用区上。在如上所述地替换记录数据后，缺陷区和替换记录区的位置信息作为缺陷列表(DFL)表项被记录到TDMA中。因此，当在后面的过程中再现数据时，参照该DFL表项信息来再现被记录在替换区中的数据，由此确保数据的稳定性。
图4示出根据本发明的可记录光盘的DFL表项。参照图4，DFL表项被分配以总共64个位。4位被分配给指示表项状态信息的“状态1”字段和“状态2”字段的每一个，28位被分配给“缺陷簇第一PSN”字段，其中记录缺陷簇的第一物理扇区号(PSN)，另外28位被分配给“替换簇第一PSN”字段，其中记录替换簇的第一物理扇区号(PSN)。更具体地说，缺陷簇的第一PSN作为缺陷区的位置信息被记录在“缺陷簇第一PSN”字段中，而替换簇的第一PSN作为其中替换记录数据的替换区的位置信息被记录在“替换簇第一PSN”字段中。
这样，当缺陷区的大小为1簇时，将该缺陷注册为重新分配的缺陷(RAD)类型。并且，当缺陷区被注册为RAD型时，将‘0000’位记录在“状态1”和“状态2”字段的每一个中以指示该缺陷为RAD类型。或者，当缺陷区为多个连续簇的大小时，将该缺陷注册为相连重新分配的缺陷(CRD)类型。并且，当缺陷区被注册为CRD型时，使用两个DFL表项。更具体地说，当缺陷区为CRD类型时，首个缺陷簇的第一PSN被记录在第一DFL表项的“缺陷簇第一PSN”字段中，并将首个替换记录簇的第一PSN记录在“替换簇第一PSN”字段中。另外，缺陷簇中的最末簇的第一PSN被记录在第二DFL表项的“缺陷簇第一PSN”字段中，而替换记录的簇中的最末簇的第一PSN被记录在第二DFL表项的“替换簇第一PSN”字段中。
因此，为了区分如上所述记录的CRD类型，指示替换记录已被执行的‘0000’位被记录在CRD类型的第一DFL表项的“状态1”字段中。另外，指示连续缺陷簇的开始(或起始)地址的‘0001’位被记录在CRD类型的第一DFL表项的“状态2”字段中。此外，指示替换记录已被执行的‘0000’位被记录在第二DFL表项的“状态1”字段中，而指示连续缺陷簇的结束地址的‘0010’位被记录在第二DFL表项的“状态2”字段中。
同时，当产生缺陷区时，将该缺陷区作为非重新分配的缺陷(NRD)类型对待，这表示仅通知该缺陷区而不执行数据的替换记录。当缺陷区为NRD型时，指示缺陷簇替换记录未被执行的‘0001’位被记录在“状态1”字段中。根据本发明，如上所述记录的每个DFL表项被独立使用，这与前述的LOW表项不同。下面将参照图5对LOW表项的构成进行说明。
图5示出根据本发明的可记录光盘的LOW表项。参照图5，LOW表项被分配以64位，这与DFL表项相同，并包括“状态1”字段、“原始簇第一PSN”字段、“状态2”字段以及“替换簇第一PSN”字段。更具体地说，其中将要执行数据盖写的预记录区的位置信息被记录在“原始簇第一PSN”字段中。另外，替换记录区的位置信息被记录在“替换簇第一PSN”字段中。为了与DFL表项区别(或区分)开来并指示该表项为LOW表项，“状态1”字段的第一位被改变和记录为‘1000’位。
另外，在“状态2”字段中，‘x000’位指示作为一个缺陷簇的替换类型的RAD类型。而在“状态2”字段中，为了表达多个连续簇的替换记录，‘x001’位指示CRD类型的表项中的LOW表项的开始(或起始)，而‘x010’位指示CRD型表项中的LOW表项的结尾。此外，在“状态2”字段的4个位中，第一位是指示在用户数据区还是在备用区上执行逻辑盖写的替换记录的字段。这里，当第一位为‘0xxx’时，在用户数据区上执行替换记录，而当第一位为‘1xxx’时，在备用区上执行替换记录。下面将结合图6对如上所述记录的LOW表项的实际记录进行描述。
图6示出记录根据本发明的可记录光盘的LOW表项的方法。参阅图6，当发送将数据记录在盘的预记录区上的写入(或记录)命令时，可如上所述地将要被记录在相应区上的数据替换记录到用户数据区中的下一可记录(或可写)区上。显然，也可在备用区上执行替换记录。当在可记录高密度光盘上执行逻辑盖写时，相应位置信息作为LOW表项被记录在TDMA中。图6所示的例子示出在多个连续簇上执行逻辑盖写，因此LOW表项被记录为CRD类型的表项。
如上所述，用两个表项表达CRD类型的表项。表示LOW表项的‘1000’位被记录在第一表项的“状态1”字段中，而被盖写区的首簇的第一物理扇区号(PSN)‘a’被记录在下一“原始簇第一PSN”字段中。另外，指示CRD类型表项中的起始(或开始)(或第一表项)的‘0001’位被记录在“状态2”字段中，并且替换记录区的首簇的第一PSN‘c’被记录在“替换簇第一PSN”字段中。
此外，代表LOW表项的‘1000’被记录在第二表项的“状态2”字段中，而被盖写区的最末簇的第一PSN‘b’被记录在“原始簇第一PSN”字段中。另外，指示CRD类型表项的结尾(或第二表项)的‘0010’位被记录在“状态2”字段中，而替换记录区的最末簇的第一PSN‘d’被记录在“替换簇第一PSN”字段中。由于图6中示出了在用户数据区上执行逻辑盖写的替换记录的例子，所以“状态2”字段被记录为‘0xxx’位。如果要在备用区上执行逻辑盖写的替换记录，则“状态2”字段将被记录为‘1xxx’位。如上所述，通过使用“状态1”字段的4个位中的一个指示LOW表项，将LOW表项区别于DFL表项来管理。
同时，上述LOW表项上的信息也被包含在DFL头部信息中，现在将参照图7对此进行说明。图7示出根据本发明的可记录光盘的DFL头部。参照图7，DFL头部是作为临时缺陷列表(TDFL)信息记录在TDMA中的一组信息。TDFL由DFL头部和缺陷列表构成，其中记录有根据本发明的表项信息。这里，DFL头部包含“DFL标识符”字段、“DFL格式”字段以及“DFL更新计数”字段。DFL头部还包含指示每种表项的数目的字段。
更具体地说，DFL表项的数目被记录在“DFL表项数目”字段中，并且DFL表项中的RAD和CRD类型表项的数目被记录在“RAD/CRD表项数目”字段中。另外，DFL表项中的NRD类型表项的数目被记录在“NRD表项数目”字段中，并且LOW表项的总数被记录在“LOW表项数目”字段中。因此，藉由使用上述DFL头部信息，光盘驱动器可标识所想要和所需的表项的总数。
图8示出根据本发明另一实施例的可记录光盘的LOW表项。参阅图8，在‘状态1’字段中记录‘1111’位以区分LOW表项。更具体地说，为了指示LOW表项，“状态1”字段的所有4位被指示为‘1’。当“状态1”字段被记录为‘1111’时，不仅可将LOW表项与DFL表项区别开来，还能仅使LOW表项在与DFL表项分开的单独区域中对齐。换句话说，所有DFL表项和LOW表项被记录在TDMA内的TDFL的缺陷列表中。通过将LOW表项的字段“状态1”记录为与被记录为‘0000’或‘0001’的DFL表项的“状态1”字段不同的‘1111’，可使LOW表项在不同于DFL表项的区域中对齐。
“状态1”字段的首位是与表项对齐不相关的位。因此，当“状态1”字段在上述(或第一)实施例中被记录为‘1000’时，该表项简单地区别于DFL表项并被指示为LOW表项。另外，如本(或第二)实施例中所述那样，当“状态1”字段被记录为‘1111’时，LOW表项甚至能在不同于DFL表项的区域中单独对齐。同时，其余的“状态2”字段、“原始簇第一PSN”字段以及“替换簇第一PSN”字段的使用与第一实施例中的相同。
图9示出根据本发明的LOW表项和DFL表项的应用例。尤其，图9示出逻辑盖写或缺陷管理的一个例子，所述逻辑盖写或缺陷管理是根据下列处理步骤执行的(1)步骤1对区域X1逻辑盖写数据A’；(2)步骤2对区域X2逻辑盖写数据B，其中对区域X1执行逻辑盖写的替换记录；以及(3)步骤3当检测到区域X2为缺陷区时，将数据替换记录至备用区Y1。
更具体地说，当主机最初发送对其中记录有数据A的区域X1记录数据A’的写入(或记录)命令时，不能在区域X1上执行盖写。因此。数据A’被替换记录于下一个可记录区X2上。接着，当数据B要被记录于已执行替换记录的区域X2上时，由于区域X2已是数据记录区，所以根据主机的命令，数据B被替换记录于另一个下一可记录区X3上。此后，当区域X2被检测为缺陷区时，数据A’被替换记录于备用区Y1上。因此，步骤1和步骤2被记录为LOW表项，而步骤3被记录为DFL表项。
在这种情形下，当在之后的处理中要再现区域X1时，则应当再现数据A’，根据步骤1的LOW表项，数据A’被替换记录在区域X2中。然而，由于区域X2或作为被替换记录在区域X3上的LOW表项存在或作为被替换记录在区域Y1上的缺陷列表存在，因此存在关于应当再现区域X3两种类型中的哪一种的问题。更具体地说，如果不区分LOW表项和DFL表项，则会产生不得不随机地选择两种表项中的任何一种的问题，由此产生再现错误(或不当)数据的问题。因此，根据本发明，LOW表项和DFL表项被区分开来。然后，在首先选择LOW表项后，随后选择DFL。
换句话说，参阅图9，当主机希望再现区域X1时，选择步骤1的LOW表项。此后，当根据所选表项所要再现的区域X2中既存在LOW表项又存在DFL表项时，选择DFL表项。因此，可再现根据区域X2中存在的DFL表项替换记录于备用区Y1上的数据A’。并且其实例是当要被盖写至初始数据A区上的数据A’被正确再现时的情形。或者，当根据主机要求再现区域X2时，由于根据本发明首先选择的是LOW表项，所以即使如上所述那样在区域X2中既存在步骤2的LOW表项又存在步骤3的DFL表项，也将根据步骤3的LOW表项再现被记录在区域X3上的数据B。
同时，如图9所示，当要被记录在区域X1上的数据被替换记录于区域X2上，并且当该数据被再次替换记录在区域Y1上时，最初打算记录在区域X1上的数据被最终替换记录于区域Y1上。因此，可使用单个表项指示它。更具体地说，要被记录在区域X1上的数据如被替换记录于区域Y1上那样被记录。然后，删除被替换记录于区域X2上的区域X1的数据的表项以及被替换记录于区域Y1上的区域X2的数据的表项。为此，由于可记录高密度光盘的特性，不记录实际表项。而是将表项暂存于光盘驱动器的存储器中，并且将打算记录于区域X1上的数据的在区域Y1上执行的最终替换记录的位置信息作为表目记录。这种方法有利于减少表目的浪费。然而，如图9所示，当DFL表项和LOW表项共存时，最好不仅仅使用一个表目。这里，区域X2具有与区域Y1相同的信息，这是为了防止为区域X1替换记录于区域X2上的数据的信息被删除，并确保DFL表项和LOW表项被独立使用。
图10示出根据本发明的光学记录和/或再现设备的方框图。参阅图10，光学记录和/或再现设备包括用于在光盘上执行记录/再现的记录/再现装置10、以及用于控制记录/再现装置10的控制器20(在本文中，记录/再现装置10经常被称为“光盘驱动器”，并且这些术语均在本发明的说明中使用)。
更具体地说，主机20向记录/再现装置10给出写入至/再现自光盘特定区域的写入或再现命令，并且记录/再现装置10响应来自主机20的命令执行记录和/或再现。记录/再现装置10包括接口单元12，用来执行与主机20的通信，例如数据和命令交换；拾取单元11，用来将数据直接写入至/读出自光盘；数据处理器13，用来从拾取单元11接收信号并恢复所需的信号值，或将要被写入的信号调至成能被写到光盘上的信号并传送；伺服单元14，用来控制拾取单元11从光盘准确地读取信号或将信号准确地写至光盘；存储器15，用来暂存包含管理信息和数据在内的各种信息；以及微机16，用来控制记录/再现装置10的各部分。
在光学记录和/或再现设备中，在可记录光盘上记录数据的方法的处理步骤的说明如下。一旦将可记录光盘插入到光学记录和/或再现设备中，则所有管理信息从光盘被读出并被存储入记录/再现装置10的存储器15，以在光盘记录/再现时使用。这里，如果用户想要在光盘特定区域上进行写入，则将用户的这些要求视为写入命令的主机20将关于所要求写入位置的信息与要被写入的一组数据一起提供给记录/再现装置10。
这样，记录/再现装置10中的微机16接收写入命令并控制操作以根据写入命令在光盘上执行数据记录。当在数据记录期间或数据记录之后根据主机命令执行盖写时，要被记录在盖写区上的数据被替换记录于数据区中的未记录区上。然后，被盖写区以及替换记录区的位置信息作为LOW表项被记录于TDMA中的TDFL上。另外，当在数据记录过程中或数据记录后检测到缺陷区时，要被记录或已被记录于缺陷区上的数据被替换记录于数据区中的备用区上。此后，缺陷区和替换记录区的位置信息作为DFL表项被记录于TDMA中的TDFL上。然后，微机16根据主机的命令将替换记录区的位置信息以及数据提供给伺服单元14和数据处理器13，以通过拾取单元11在光盘上的所要求的位置完成记录或替换记录。
下面，将详细描述从根据本发明的可记录光盘再现以如上所述方式记录的数据的方法。当记录有数据的可记录光盘被插入光学记录和/或再现设备中时，从光盘读出所有管理信息并将其存储在记录/再现装置10的存储器15中，以在将数据记录至/再现自光盘时使用。
这里，如果用户想要从光盘特定区域读取(或再现)数据，则将用户的这些要求认为是读取命令的主机将关于所希望的读取位置的信息提供给记录/再现装置10。然后，记录/再现装置10中的微机16接收读取命令并确定光盘上主机20希望读取数据的区域上的数据是否被替换记录于数据区中的另一区域上。这可通过使用上述记录在TDMA中的TDFL上的LOW和DFL表项来核实。
因此，当在主机20希望再现的区域上未执行替换记录时，微机16读取(或再现)相应区域的数据并将所读取的信息传送至主机20。如果已在另一区域上执行替换记录，则微机16从相应替换区域读取数据并将所读取的信息发送至主机20。
如上所述，根据本发明的在记录介质上记录数据的方法和设备具有下列优点。LOW和DFL表项被区分并相应地管理，由此提高了将数据记录至/再现自光学记录介质的效率。
工业实用性对本领域内技术人员很显然的是，可对本发明作出各种修改和变更而不会脱离本发明的精神或范围。因此，本发明旨在覆盖落在所附权利要求
及其等效方案范围内的本发明的这些修改和变更。
权利要求
1.一种在具有引入区、引出区、以及包含用户数据区和备用区的数据区的记录介质上记录数据的方法，所述方法包括当接收到将第一数据物理盖写在所述用户数据区内的第一区中的命令并且所述第一区被包含在预记录区域中时，将所述第一数据记录在第一替换区中；将第一表项记录在临时盘管理区(TDMA)中，所述第一表项指定所述第一区和所述第一替换区的位置；当接收到将第二数据记录在所述用户数据区内的第二区中的命令并且发现所述第二区存在缺陷时，将所述第二数据记录在第二替换区中；以及将第二表项记录在所述TDMA中，所述第二表项指定所述第二区和所述第二替换区的位置。
2.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述TDMA包含在所述引入区中。
3.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述TDMA包含在所述数据区内的所述备用区中。
4.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第一替换区包含在所述用户数据区内的数据可写区中。
5.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第一替换区包含在所述数据区内的所述备用区中。
6.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第二替换区包含在所述数据区内的所述备用区中。
7.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，记录在所述TDMA中的所述第一和第二表项可彼此区别。
8.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第一表项包含将所述第一表项标识为逻辑盖写(LOW)表项的状态字段。
9.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第一表项包括指示所述第一区的位置的第一数据字段；以及指示所述第一替换区的位置的第二数据字段。
10.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第一表项包含指示所述第一表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项的状态字段。
11.如权利要求
10所述的方法，其特征在于，所述状态字段还指示所述第一替换区是包含在所述用户数据区中还是包含在所述备用区中。
12.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第一表项包括将所述第一表项标识为逻辑盖写(LOW)表项的第一状态字段；指示所述第一区的位置的第一数据字段；指示所述第一替换区的位置的第二数据字段；以及第二状态字段，所述第二状态字段指示所述第一表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项、以及所述第一替换区包含在所述用户数据区中还是所述备用区中。
13.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第二表项包括指示所述第二表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项的状态字段。
14.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第二表项包括指示所述第二区的位置的第一数据字段；以及指示所述第二替换区的位置的第二数据字段。
15.如权利要求
1所述的方法，其特征在于，所述第二表项包括指示所述第二表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项的状态字段；指示所述第二区的位置的第一数据字段；以及指示所述第二替换区的位置的第二数据字段。
16.一种在具有引入区、引出区、以及包含用户数据区和备用区的数据区的记录介质上记录数据的设备，所述设备包括光学记录装置，所述光学记录装置被配置成在所述记录介质上记录数据；以及微机，当接收到将第一数据盖写在所述用户数据区内的第一区中的命令并且所述第一区包含在预记录区域中时，所述微机向所述光学记录装置提供控制信号以将第一数据记录在第一替换区中，并将第一表项记录在临时盘管理区(TDMA)中，所述第一表项指定所述第一区和所述第一替换区的位置，当接收到将第二数据记录在所述用户数据区内的第二区中的命令并发现所述第二区存在缺陷时，所述微机还向所述光学记录装置提供控制信号以将所述第二数据记录在第二替换区中，并将第二表项记录在所述TDMA中，所述第二表项指定所述第二区和所述第二替换区的位置。
17.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述TDMA包含在所述引入区中。
18.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述TDMA包含在所述数据区内的所述备用区中。
19.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第一替换区包含在所述用户数据区内的数据可写区中。
20.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第一替换区包含在所述数据区内的所述备用区中。
21.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第二替换区包含在所述数据区内的所述备用区中。
22.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，记录在所述TDMA中的所述第一和第二表项可彼此区别。
23.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第一表项包含将所述第一表项标识为逻辑盖写(LOW)表项的状态字段。
24.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第一表项包括指示所述第一区的位置的第一数据字段；以及指示所述第一替换区的位置的第二数据字段。
25.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第一表项包含指示所述第一表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项的状态字段。
26.如权利要求
25所述的设备，其特征在于，所述状态字段还指示所述第一替换区是包含在所述用户数据区中还是所述备用区中。
27.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第一表项包括将所述第一表项标识为逻辑盖写(LOW)表项的第一状态字段；指示所述第一区的位置的第一数据字段；指示所述第一替换区的位置的第二数据字段；以及第二状态字段，所述第二状态字段指示所述第一表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项、以及所述第一替换区是包含在所述用户数据区中还是所述备用区中。
28.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第二表项包括指示所述第二表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项的状态字段。
29.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第二表项包括指示所述第二区的位置的第一数据字段；以及指示所述第二替换区的位置的第二数据字段。
30.如权利要求
16所述的设备，其特征在于，所述第二表项包括指示所述第二表项是重新分配的缺陷(RAD)类型表项还是相连的重新分配的缺陷(CRD)类型表项的状态字段；指示所述第二区的位置的第一数据字段；以及指示所述第二替换区的位置的第二数据字段。
专利摘要
一种在记录介质上记录数据的设备，包括光学记录装置(10)和微机(16)。该记录介质具有引入区、引出区以及数据区，其中数据区包含用户数据区和备用区。当微机(16)接收到将第一数据物理盖写至用户数据区内的第一区中的命令并且确定第一区包含在预记录区域中时，它控制记录介质将第一数据改为记录在第一替换区中并将第一表项记录到TDMA中，其中第一表项指定第一区和第一替换区的位置。另外，当微机(16)接收到将第二数据记录在用户数据区内的第二区中的命令并且发现第二区存在缺陷时，它控制光学记录装置(10)将第二数据改为记录在第二替换区中并将第二表项记录在TDMA中，其中第二表项指定第二区和第二替换区的位置。
文档编号G11B20/18GK1993739SQ20058002557
公开日2007年7月4日 申请日期2005年8月12日
发明者朴容彻 申请人:Lg电子株式会社导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan