用于电子部件的具有腐蚀抑制剂的浇注物料以及具有这样的浇注物料的电子部件和传动装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及用于涂敷、密封和/或用于接合电子部件的浇注物料，其包含基体聚 合物以及抑制剂，该抑制剂抑制所述部件由于硫及其化合物的腐蚀。此外，本发明涉及各自 具有这样的浇注物料的电子部件以及传动装置。
【背景技术】
[0002] 通常将例如控制设备的电子部件嵌入到浇注物料中，以保护免受机械影响。通常 基于弹性体，特别是硅酮，制备已知的浇注物料。此外，该浇注物料还能够有限程度地保护 电子部件免受液体的损害性影响。然而，已知的浇注物料允许气体的扩散。特别是含硫的 气体，例如032、〇)3、氏3、硫醇、硫醚和某些聚硫化物，例如能够扩散到硅酮中，并且能够在与 电子部件的金属组件接触时起腐蚀作用。铜、银及其合金尤其由于含硫气体而受腐蚀。
[0003] 在例如机动车中的传动装置应用中，通常使用能够释放反应性和气体的硫组分的 传动装置油作为润滑剂。传动装置控制设备通常制造成集成或者附加控制设备，并且因此 设置在其能够与传动装置油接触的区域中。如果传动装置油进而与控制设备或者与围绕控 制设备的浇注物料接触，那么硫组分可以到达控制设备的表面上，并且在此处引起金属组 件的腐蚀。
[0004] 为了减少腐蚀，通常向传动装置油中混入所谓的腐蚀抑制剂，其特别地保护有色 金属和银，以避免与来自传动装置油的硫的化学反应。一类腐蚀抑制剂例如配位金属组件 表面的金属原子，并且因此使其对于与硫的反应而言失活。然而缺点是，相比于腐蚀性的硫 化合物，这样的腐蚀抑制剂由于小的挥发性不到达待保护的表面处。
[0005] 另一配方描述于EP 1295905 Bl和US 20090043029 Al中，其中向浇注物料中混 入金属颗粒。其应作用为牺牲材料，并且捕获通过浇注物料扩散的硫分子。
[0006] 此外在WO 9967029 Al中描述了，在施涂对于腐蚀物质可透的层之前，在单独的方 法步骤中将包含腐蚀抑制剂的层施加到电子部件的表面上。
[0007] 在DE 10322507 Al中还描述了，将形成薄膜的腐蚀抑制剂的盐混入到聚合物中， 该盐在与质子溶剂接触时能够在聚合物内部扩散。
【发明内容】
[0008] 本发明基本目的这时是，提供相比于现有技术而言确保对于电子部件的提高的腐 蚀防护的浇注物料，尤其在当部件和/或浇注物料与含硫的油或者气体接触时。
[0009] 该目的通过具有第一独立权利要求的特征的用于涂敷、密封和/或用于接合电子 部件的浇注物料来实现。因此，本发明的一部分涉及用于涂敷、密封和/或用于接合电子部 件的浇注物料，其包含基体聚合物以及抑制剂。该抑制剂抑制所述部件由于硫及其化合物 的硫腐蚀。根据本发明，该抑制剂为有机化合物，其通过其嵌入到该抑制剂的分子结构中而 键合腐蚀活性的硫和/或硫化合物，并且为至少一种选自以下组的化合物： -化学通式R1-Sn-R2的化合物 -化学通式（Ra_) (Rb-)C=C(-Rj-C(=0) (-Rd)的α，β-不饱和的羰基化合物，其中基团 Rad的至少之一为基团R2， -化学通式R2-C(=0)C(-Ra) (-Rb)-(-X)的α -卤化的羰基化合物，和/或 -化学通式（R2-) (R。-) (Rd_) C-N (-RJ (-Rf)的化合物。
[0010] 在所述通式中，η为1至10的自然数。X为卤素。RJPRaf相互独立地为氢原子、 连接至基体聚合物的共价键或者直链或者环状、支化或者非支化、芳族或者脂族的包含1 至25个碳原子的有机基团。R2为具有3至10个重复单元的低聚物或者聚合物，其中该低 聚物或者聚合物属于与基体聚合物相同的塑料种类或者具有与其相同的重复单元。
[0011] 本发明的抑制剂将硫及其化合物，特别是硫化氢（H2S)、二硫化碳（CS2)、硫化羰 (C0S)、硫醇、硫醚或者聚硫化物，即元素和/或分子的硫接合到自身的分子结构中。将因此 固定的硫从金属部件的表面材料，例如有色金属，特别是银和铜之间的反应体系及其周围 中去除，并且不再起腐蚀作用。相比于例如成膜剂的起封阻（blockierend)作用的抑制剂， 在使硫接合到抑制剂分子结构中的本发明抑制剂的情况下，避免用于破坏部件的反应的反 应物。在此，本发明抑制剂是否设置在部件表面处，这是不重要的。因此，该抑制剂以与浇 注物料混合的形式存在。此外优选但不强制的是，确保抑制剂在浇注物料内部的扩散。
[0012] 抑制剂是抑制物，即影响一种或者多种化学、生物或者物理类型的反应的物质，从 而减慢、抑制或者阻碍它们。
[0013] 在本发明的一个优选的实施方案中设置，抑制剂能够通过增链反应、加成反应和/ 或取代反应，使硫和/或硫化合物嵌入到该抑制剂的分子结构中。通过这种反应有利地产 生硫和该抑制剂之间的坚固的，特别是共价的化学键。该反应的特点在于，其在部件的运行 条件下不是可逆的。因此不再次释放硫。
[0014] 在此，化学基团Rp R2、Ra f (下面也称为化学基团R)相互独立地为氢原子、连接 至基体聚合物的共价键或者包含最多25个碳原子的有机基团。其排列为直链或者环状，并 且在此形成脂族和/或芳族的基团。此外，其以支化或非支化的形式存在，并且可以是取代 的。除了碳原子和氢原子以外，有机基团R优选地具有其它元素的原子，特别是杂原子。
[0015] 以下通过通式R3-S-R/描述待抑制的硫和/或其化合物。在此，RjPR 3'相互独 立地表示键合到硫上的无机或者有机的基团（例如=C=0)、氢原子或者至少一个电子对，其 中基团RjPR/可以是彼此环状相连的。
[0016] 特别有利地通过化学通式R1-Sn-R2描述所述的抑制剂，其中R i优选为取代或者非 取代的5至7元的杂芳族基团或者氨基甲酸酯基团，并且η为自然数，特别是1至10。这 种化合物能够通过形成S-S-键将硫原子嵌入到S-R2-键和/或S-S-键中。基本原理符 合S-S-增链反应，并且能够如（1)中所示那般描述用于含有氧化态0的硫的腐蚀性硫化合 物： R ^ '.................+ (1)〇
[0017] 在该反应期间任选地通过键合氢原子，消去基团私和/或R/。
[0018] 式R1-Sn-R2的化合物的特别优点在于，所述的抑制剂在嵌入硫之后不是失活的。相 反地通过嵌入实现其它的S-S-键，其中通过相同的原理可以使其它的硫原子嵌入到该抑 制剂中。
[0019] 在本发明的一个特别优选的实施方案中设置，基团R1为取代或者非取代的噻二唑 基团。化合物R1-Sn-R2特别是2, 5-双（辛基二硫代）-1，3, 4，-噻二唑。后者具有两个- S-S-(CH2)7-CH3基团（η = 2和R2 = (CH2)7-CH3),并且因此相比于具有仅一个用于S-S-增 链的作用点的键合硫的抑制剂而言是双倍有效的。
[0020] 在本发明的一个变型实施方案中设置，抑制剂为通式（Ra_) (Rb-)C=C(-Rj-C(=0) (_Rd)的α，β _不饱和的羰基化合物，其中基团Ra、Rb、Rc、Rd (以下也为Ra d)的至少之一是 基团R2。这种化合物能够在例如迈克尔-加成的加成反应期间通过断开双键使硫嵌入到分 子结构中。适合于嵌入到抑制剂分子结构中的是式R3-S-R/，特别是式R3-S-H的对称或者 非对称的至少双原子的硫化合物。可以例如通过（2)描述硫的嵌入：
其中化学基团Ra、Rb和R。、Rd在特别的实施方案中是彼此环状相连的。在优选的实施 方案中，基团Ra d的至少之一为氢原子。
[0021] 在本发明的另一个优选的实施方案中设置，抑制剂为α -卤化的羰基化合物、亚 胺、来自醛和胺的缩合物或者六氢-1，3, 5-三嗪-衍生物，通式（R2-) (Ra_) (_Rb) C (-Rsi )， 其中离去基团Rjsi为式N(Ra) (-Rb)的化合物或者卤素 X。该化合物有利地为用于与硫化 合物的取代反应的反应物，特别是硫化氢（H2S)和硫醇及其互变异构体。在化学中，被称为 取代的是其中分子中的原子或者原子团被其它的原子或者其它的官能团（或者也称为取代 基）替代的化学反应。