一种肖特基二极管的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种肖特基二极管，属于半导体技术领域。
【背景技术】
[0002]二极管是电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管(Varicap D1de)则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流(Rectifying)”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过(称为顺向偏压)，反向时阻断(称为逆向偏压)。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。
二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管(Ge管)和硅二极管(Si管)。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
[0003]现有的二极管存在如下不足之处:
1)引脚容易被折弯或折断；
2)引脚在镶嵌时容易插入过深，导致焊接不稳固。
[0004]这些不足之处都严重影响了二极管的使用寿命。
【发明内容】
[0005]本发明的目的是克服现有技术的不足之处，提供一种肖特基二极管。
[0006]本发明的肖特基二极管，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。
[0007]优选地，
所述的阳极引脚和阴极引脚均采用二极管全自动成型机制备。
[0008]本发明的肖特基二极管，具有如下技术效果:
1)引脚不容易被折弯或折断；
2)引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
【具体实施方式】
[0009]本发明的肖特基二极管，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。所述的阳极引脚和阴极引脚均采用二极管全自动成型机制备。
【主权项】
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，所述的阳极引脚和阴极引脚均采用二极管全自动成型机制备。
【专利摘要】本发明提供了一种肖特基二极管，包括设在顶部阳极金属、设在阳极金属下方且与阳极金属相连的N外延层、设在N外延层下方且与N外延层相连的N型半导体基片、设在N型半导体基片下方且与N型半导体基片相连的N阴极层、设在N阴极层下方且与N阴极层相连的阴极金属、设在阴极金属的三个引脚，中间是阳极引脚，两边是阴极引脚，所述的阳极金属材料是钼，所述的N外延层、N型半导体基片和N阴极层均为硅片，所述的阳极金属两侧设有二氧化硅氧化绝缘层，所述的阳极引脚和阴极引脚上设有限位块。本发明的肖特基二极管，具有如下技术效果：1）引脚不容易被折弯或折断；2）引脚在镶嵌时不容易插入过深，不会导致焊接不稳固。
【IPC分类】H01L29/872, H01L23/48
【公开号】CN105655412
【申请号】
【发明人】周明
【申请人】南通明芯微电子有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年3月30日