层叠陶瓷电子部件的制作方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及层叠陶瓷电子部件。
【背景技术】
[0002]层叠陶瓷电容器或层叠陶瓷电感器等层叠陶瓷电子部件，一般通过在层叠结构的部件主体设置外部电极而构成。部件主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体状，外部电极以与部件主体内的内部电极层、线圈层等的导体部电连接的方式设置于该部件主体。虽然该层叠陶瓷电子部件多用于部件安装基板、部件内置基板等，但当前现状是依然要求该层叠陶瓷电子部件的小型化和薄型化，存在外部电极与导体焊垫或导体通孔的连接可靠性上的问题。
[0003]在后述专利文献I中，针对上文提到的连接可靠性，公开了外部电极8a和8b的结构(参照图1和图2)。该外部电极8a和8b中，延伸部9a和9b形成为从层叠陶瓷基体3的引出部5a和5b的上表面直至功能部4的上表面，并且，引出部5a和5b的上表面的延伸部9a和9b比功能部4的延伸部9a和9b低，抱合部1a和1b形成为从层叠陶瓷基体3的端面直至引出部5a和5b的上表面的延伸部9a和9b的表面，在这些延伸部9a和9b以及抱合部1a和1b的表面形成有金属层12a和12b。
[0004]但是，在后述专利文献I公开的外部电极8a和8b的结构中，在金属膜12a和12b的上表面形成由于在其下侧存在的延伸部9a和9b以及抱合部1a和1b的形态而引起的显著的高低平面差或起伏，使提高与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性变得困难。例如，在利用焊料将金属膜12a和12b的上表面与导体焊垫连接的情况下，因上述显著的高低平面差或起伏而使金属膜12a和12b的上表面与导体焊垫的间隙变化，因此，存在间隙大的部位的焊料量与间隙小的部位的焊料量容易产生不均，从而导致产生连接不良的问题。此外，在金属膜12a和12b的上表面连接导体通孔的情况下，因上述显著的高低平面差或起伏而使得能够用于连接导体通孔的区域变窄，因此，根据导体通孔的位置公差如何，而有可能存在产生连接不良的问题。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本专利第5217584号公报
【发明内容】
[0008]发明所要解决的技术问题
[0009]本发明的技术课题在于，提供一种能够显著提高外部电极与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性的层叠陶瓷电子部件。
[0010]用于解决技术问题的方法
[0011]为了解决上述技术问题，本发明为在层叠结构的部件主体设置有外部电极的层叠陶瓷电子部件，上述部件主体形成为由长度、宽度和高度规定的大致长方体形状，在高度方向的一面和另一面的端缘具有沿着该端缘形成的凹部，上述外部电极具有:基底导体层，其高度方向侧抱合部形成在上述部件主体的凹部内；和主导体层，其高度方向侧抱合部从上述基底导体层的高度方向侧抱合部上至上述部件主体的高度方向的一面和另一面的除上述凹部之外的面状部上连续形成，上述主导体层的高度方向侧抱合部具有面状的被连接区域，上述面状的被连接区域由上述基底导体层的高度方向侧抱合部上的表面区域和上述部件主体的面状部上的表面区域构成。
[0012]发明效果
[0013]根据本发明，能够提供能显著提高外部电极与导体焊垫、导体通孔的连接可靠性的层叠陶瓷电子部件。
【附图说明】
[0014]图1是从高度方向看应用了本发明的层叠陶瓷电容器(第一实施方式)的图。
[0015]图2㈧是从宽度方向看图1所示的层叠陶瓷电容器的图，图2(B)是沿着图1的
51— SI线的截面图，图2(C)是图2(B)的局部放大图。
[0016]图3(A)是从长度方向看图1所示的层叠陶瓷电容器的图，图3(B)是沿着图1的
52— S2线的截面图，图3(C)是沿着图1的S3 — S3线的截面图，图3 (D)是图3(B)的局部放大图，图3(E)是图3(C)的局部放大图。
[0017]图4是图1所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0018]图5(A)和图5(B)是图1所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0019]图6是图1所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0020]图7是图1所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0021]图8(A)和图8(B)是图1所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0022]图9是表示图1所示的层叠陶瓷电容器的变形例的局部放大截面图。
[0023]图10是从高度方向看应用了本发明的层叠陶瓷电容器(第二实施方式)的图。
[0024]图1l(A)是从宽度方向看图10所示的层叠陶瓷电容器的图，图11⑶是沿着图10的S4 - S4线的截面图，图1l(C)是图1l(B)的局部放大图。
[0025]图12㈧是从长度方向看图10所示的层叠陶瓷电容器的图，图12⑶是沿着图10的S5 — S5线的截面图，图12(C)是沿着图10的S6 —S6线的截面图，图12 0))是图12(B)的局部放大图，图12(E)是图12(C)的局部放大图。
[0026]图13是图10所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0027]图14(A)和图14(B)是图10所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0028]图15是图10所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0029]图16是图10所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0030]图17(A)和图17(B)是图10所示的层叠陶瓷电容器的制造方法例的说明图。
[0031]图18是表示图10所示的层叠陶瓷电容器的变形例的局部放大截面图。
[0032]图19是从高度方向看应用了本发明的层叠陶瓷电容器(第三实施方式)的图。
[0033]图20 (A)是从宽度方向看图19所示的层叠陶瓷电容器的图，图20(B)是沿着图19的S7 — S7线的截面图，图20(C)是图20⑶的局部放大图。
[0034]图21 (A)是从长度方向看图19所示的层叠陶瓷电容器的图，图21⑶是沿着图19的S8 - S8线的截面图，图21 (C)是沿着图19的S9 — S9线的截面图，图21⑶是图21 (B)的局部放大图，图21(E)是图21 (C)的局部放大图。
[0035]图22是从高度方向看应用了本发明的层叠陶瓷电容器(第四实施方式)的图。
[0036]图23 (A)是从宽度方向看图22所示的层叠陶瓷电容器的图，图23(B)是沿着图22的SlO — SlO线的截面图，图23(C)是图23⑶的局部放大图。
[0037]图24(A)是从长度方向看图22所示的层叠陶瓷电容器的图，图24⑶是沿着图22的Sll - Sll线的截面图，图24(C)是沿着图22的S12 — S12线的截面图，图24⑶是图24(B)的局部放大图，图24(E)是图24(C)的局部放大图。
[0038]图25是从高度方向看应用了本发明的层叠陶瓷电容器(第五实施方式)的图。
[0039]图26 (A)是从宽度方向看图25所示的层叠陶瓷电容器的图，图26(B)是沿着图25的313 — 313线的截面图，图26(0是图26⑶的局部放大图。
[0040]图27㈧是从长度方向看图25所示的层叠陶瓷电容器的图，图27⑶是沿着图25的S14 - S14线的截面图，图27(C)是沿着图25的S15 — S15线的截面图，图27⑶是图27(B)的局部放大图，图27(E)是图27(C)的局部放大图。
[0041]图28是从高度方向看应用了本发明的层叠陶瓷电容器(第六实施方式)的图。
[0042]图29(A)是从宽度方向看图28所示的层叠陶瓷电容器的图，图29⑶是沿着图28的316 — 316线的截面图，图29(0是图29⑶的局部放大图。
[0043]图30㈧是从长度方向看图28所示的层叠陶瓷电容器的图，图30⑶是沿着图28的S17 - S17线的截面图，图30(C)是沿着图28的S18 — S18线的截面图，图30⑶是图30(B)的局部放大图，图30(E)是图30(C)的局部放大图。
[0044]图31 (A)和图31 (B)是第一实施方式、第二实施方式、第五实施方式和第六实施方式的制作方法例的补充说明图。
【具体实施方式】
[0045]《第一实施方式(图1?图9)》
[0046]首先，引用图1?图3，对应用了本发明的层叠陶瓷电容器10 -1的结构进行说明。其中，图1表示层叠陶瓷电容器10 -1的高度方向的一面和另一面两者，图2(A)表示层叠陶瓷电容器10 -1的宽度方向的一面和另一面两者，图3(A)表示层叠陶瓷电容器10—1的长度方向的一面和另一面两者。
[0047]图1?图3所示的层叠陶瓷电容器10 -1的长度L为1000 μm，宽度为500 μm，高度H为100 μ m(均不包含公差的基准尺寸)。该层叠陶瓷电容器10 -1包括:由长度、宽度和高度规定的大致长方体状的电容器主体11 ;和设置在电容器主体11的长度方向两端部的共计2个外部电极12。
[0048]电容器主体11的长度为960 μm，宽度为460 μm，高度为80 μηι(均为不包含公差的基准尺寸)。该电容器主体11在高度方向的一面和另一面的长度方向端缘和宽度方向端缘，具有沿着各端缘连续形成的矩形框状的凹部11b，高度方向的一面和另一面中的除凹部Ilb之外的部分为大致平坦的面状部Ila(也可参照图5)。凹部Ilb的长度方向尺寸和宽度方向尺寸设定在50?100 μ m的范围内，凹部Ilb的深度设定在5?10 μ m的范围内。其中，矩形框状的凹部Ilb的与面状部Ila接近的部位为向面状部Ila去深度逐渐变浅的倾斜面或弯曲面。
[0049]此外，电容器主体11具有:隔着介电体层Ild层叠6?60层(图2和图3中为了方便而仅显示6层)的矩形的内部电极层Ilc而形成的电容部(没有标记)；和位于电容部的高度方向两侧的保护部(没有标记)。内部电极层Ilc在长度方向上交替地错开，从高度方向一方起的第奇数个内部电极层Ilc的长度方向端缘与一方的外部电极12电连接，第偶数个内部电极层Ilc的长度方向端缘与另一方的外部电极12电连接。
[0050]内部电极层Ilc的长度为[电容器主体11的长度]一[凹部Ilb的长度方向尺寸]的值以下，内部电极层Ilc的宽度为[电容器主体11的宽度]一 2X [凹部Ilb的宽度方向尺寸]的值以下。例如，在凹部Ilb的长度方向尺寸为100 μπι的情况下，内部电极层Ilc的长度设定为860 μπι以下，在凹部Ilb的宽度方向尺寸为50 μπι的情况下，内部电极层Ilc的宽度设定为360 μπι以下。另一方面，电介质层Ild和保护部的长度和宽度与电容器主体11的长度和宽度相同。
[0051]此外，内部电极层Ilc的厚度设定在0.5?5 μπι的范围内，电介质层Ild的厚度设定在0.5?10 μπι的范围内，保护部的厚度设定在10?20 μπι的范围内。例如，在内部电极层Ilc的厚度为0.5 μπι，电介质层Ild的厚度为0.5 μm，保护部的厚度为10 μπι的情况下，内部电极层Ilc的总数大致为60层。
[0052]上述内部电极层Ilc优选使用以镍、铜、钯、铂、银、金、它们的合金等为主要成分的优良导体。此外，电介质层Ild和保护部优选使用以钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、锆钛酸钙、锆酸钡、氧化钛等为主要成分的电介质陶瓷，更加优选ε>1000或Class2(2类)(高介电常数类)的电介质陶瓷。
[0053]各外部电极12具有基底导体层12a、辅助导体层12b和主导体层12c。基底导体层12a的在覆盖电容器主体11的长度方向端面的部分(没有标记)连续地具有:位于电容器主体11的高度方向两面的高度方向侧抱合部12al ;和位于电容器主体11的宽度方向两面的宽度方向侧抱合部12a2。根据图2和图3可知，高度方向侧抱合部12al在存在于电容器主体11的高度方向的一面和另一面的凹部Ilb中的沿着长度方向端缘的部分中形成，宽度方向侧抱合部12a2形成在电容器主体11的宽度方向的一面和另一面的端部。此外，高度方向侧抱合部12al和宽度方向侧抱合部12a2的长度与凹部Ilb的长度方向尺寸相等，高度方向侧抱合部12al