一种磁控溅射台磁水平检测装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种次测量装置，特别适用于金属薄膜沉积过程中，一种磁控溅射台磁水平检测装置。
[0002]研宄背景
[0003]磁控溅射或者其它离子束溅射沉积方法，在金属表面生长中有广泛的应用。实验样品基底通常放在沉积台表面，溅射离子在基底上成长，最后成为表面膜层。针对磁性材料成膜，特别是铁、钴、镍等磁性材料，在外加匀强磁场作用下，成膜效果要好。
[0004]物理学中平面增加匀强磁场的方法有三种，分别是亥姆霍兹线圈中心位置；通电直导线周围磁场；磁体NS极之间区域。通常使用亥姆霍兹线圈中心位置来获得匀强磁场，磁控溅射沉积室内一般采用此装置。但是，沉积台表面是否处于亥姆霍兹线圈中心位置，没有专用设备调节。
【实用新型内容】
[0005]匀强磁场存在于两个亥姆霍兹线圈中心平面，但是，这个平面位置是看不到的，只能猜测其大概位置。
[0006]本实用新型提供一种磁控溅射台磁水平检测装置，包括亥姆霍兹线圈、沉积台和升降台，其特征在于:所述装置包括磁感应强度探针安装在沉积台水平表面上，沉积台在升降台的作用下，位置可以移动。
[0007]所述装置包括磁感应强度探针至少有三个。
[0008]本实用新型有益效果:本实用新型提供一种测量装置，解决匀强磁场和沉积台平面共面的问题。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型结构图
【具体实施方式】
[0010]如图1所示，匀强磁场存在于两个亥姆霍兹线圈I中心平面，调节升降台4，使沉积台3到达预计的位置。
[0011]姆霍兹线圈I启动，有匀强磁场产生。磁感应强度探针2能够检测到磁感应强度，当多个磁感应强度探针2阵列磁感应强度相等时，证明沉积台3水平面与匀强磁场平面重合，反之，调节升降台4高度，最终使磁感应强度探针2阵列磁感应强度相等。
【主权项】
1.一种磁控溅射台磁水平检测装置，包括亥姆霍兹线圈(I)、沉积台(3)和升降台(4)，其特征在于:所述装置包括磁感应强度探针(2)安装在沉积台(3)水平表面上，沉积台(3)在升降台(4)的作用下，位置可以移动。2.根据权利要求1所述一种磁控溅射台磁水平检测装置，其特征在于:所述装置包括磁感应强度探针(2)至少有三个。
【专利摘要】本实用新型涉及一种次测量装置，特别适用于金属薄膜沉积过程中，一种磁控溅射台磁水平检测装置，包括亥姆霍兹线圈、沉积台和升降台，其特征在于：所述装置包括磁感应强度探针安装在沉积台水平表面上，沉积台在升降台的作用下，位置可以移动。本实用新型有益效果：本实用新型提供一种测量装置，解决匀强磁场和沉积台平面共面的问题。
【IPC分类】C23C14/35, C23C14/54, G01R33/02
【公开号】CN204644460
【申请号】CN201520327826
【发明人】乔宪武, 吴昊
【申请人】中国计量学院
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月19日