一种单晶硅头尾料破碎装置的制造方法

文档序号:9115154阅读:586来源:国知局
一种单晶硅头尾料破碎装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于直拉法硅单晶生产技术领域,主要涉及一种单晶硅头尾料破碎装置。
【背景技术】
[0002]通常单晶棒的头部和尾部因晶体参数不合格或晶体存在缺陷等原因导致不能使用,从单晶棒上切下形成的头尾料,这些头尾料能够重新用于硅单晶的生长。单晶硅头尾料的直径通常在5~8英寸,因此在装入石英坩祸前需要把单晶硅头尾料破碎。通常的破碎方法是在一个金属容器内或者在平台上用金属锤敲击单晶硅头尾料,使单晶硅头尾料破碎。这种破碎方法的缺点是:(1)在金属锤敲击过程中极易导致单晶硅头尾料金属沾污;(2)在敲击力的作用下,单晶硅头尾料会沿一定的解离面破裂,这样破碎后的头尾料边沿非常锋利,容易划伤手,并且不易包装;(3)在敲击过程中,会产生大量的硅颗粒和粉末,污染周边环境,同时危害员工身体健康;(4)此种破碎方法费事费力,工作效率低下。
【实用新型内容】
[0003]鉴于现有单晶硅头尾料破碎过程中所存在的问题,本实用新型设计了一种单晶硅头尾料破碎装置,以解决目前破碎技术中所存在的问题,并可以做到操作简单、高纯洁净、安全高效。
[0004]为实现上述发明目的,本实用新型所采取的具体技术方案是:一种单晶硅头尾料破碎装置,主要是由箱体、四氟护板、压空阀门、压空管道、排气口、液氮阀门、液氮管道、喷洒盘构成;其中箱体上有带有锁紧和密封功能的门,箱体的内壁镶嵌有四氟护板进行屏蔽,防止金属沾污;箱体和四氟板之间有保温材料;箱体的顶部开有2个圆形的排气口,箱体顶部中间位置连接有液氮管道,液氮管道的上部装有液氮阀门,液氮管道底部装有喷洒盘,喷洒盘是在箱体内;箱体的下部一侧连接有压空管道,压空管道上装有压空阀门。所述的一种单晶硅头尾料破碎装置,其中喷洒盘上的中心位置开有圆形喷洒孔。
[0005]本实用新型所述的一种单晶硅头尾料破碎装置,通过将需要破碎的单晶硅头尾料放入箱体中,将一定量的液氮经过喷洒盘的喷洒孔喷洒到单晶硅头尾料上,液氮的汽化使单晶硅头尾料迅速降至极低的温度,用块状多晶硅料轻轻敲击单晶硅头尾料,即能将单晶硅头尾料破碎。本实用新型操作简便,高纯洁净,安全可靠,有效的解决了现有破碎方法所存在的不足。
【附图说明】
[0006]图1为本实用新型的结构示意图;
[0007]图2为本实用新型图1的俯视图;
[0008]图中:1、箱体;2、四氟护板;3、压空管道;4、压空阀门;5、液氮管道;6、液氮阀门;7、排气口 ;8、喷洒盘;9、保温材料;10、喷洒孔。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图给出本实用新型的【具体实施方式】如下:
[0010]如图1、图2所示,本实用新型所述的一种单晶硅头尾料破碎装置,主要是由箱体1、四氟护板2、压空管道3、压空阀门4、液氮管道5、液氮阀门6、排气口 7、喷洒盘8构成;其中箱体I上带有锁紧和密封功能的门,箱体I的内壁镶嵌有四氟护板2进行屏蔽,防止金属沾污;箱体I和四氟板2之间有保温材料9 ;箱体I的顶部开有2个圆形的排气口 7,箱体I顶部中间位置连接有液氮管道5,液氮管道5的上下两端分别装有液氮阀门6和喷洒盘8,喷洒盘8在箱体I内部,喷洒盘8上的中心位置开有圆形喷洒孔10 ;箱体I下部一侧装有压空管道3,压空管道3上装有压空阀门4。本实用新型在使用时,将需要破碎的单晶硅头尾料放入箱体I中,锁紧箱体I的门后打开压空阀门4,将箱体I内的水分置换干净后关闭压空阀门4,再打开液氮阀门6,将一定量的液氮经过液氮管道5下部喷洒盘8的喷洒孔10喷洒到单晶硅头尾料上。通过液氮的汽化使单晶硅头尾料迅速降至极低的温度,汽化形成的氮气通过排气口 7排出。汽化过程结束后,打开箱体I的门,用块状多晶硅料轻轻敲击单晶硅头尾料,即能将单晶硅头尾料破碎。再打开压空阀门4,使用压空加速箱体I中气体置换,使破碎后的头尾料逐渐升温至室温,同时能够避免头尾料凝结水珠。
【主权项】
1.一种多晶硅头尾料破碎装置,其特征是:所述的一种多晶硅头尾料破碎装置,主要是由箱体(1)、四氟护板(2)、压空管道(3)、压空阀门(4)、液氮管道(5)、液氮阀门(6)、排气口( 7)、喷洒盘(8)构成;其中箱体(I)上有带有锁紧和密封功能的门,箱体(I)的内壁镶嵌有四氟护板(2);箱体(I)与四氟护板(2)之间填有保温材料(9);箱体(I)的顶部开有2个圆形的排气口( 7 ),箱体(I)顶部中间位置连接有液氮管道(5 ),液氮管道(5 )的上部装有液氮阀门(6),液氮管道(5)的底部装有喷洒盘(8),喷洒盘(8)是在箱体(I)的内部;箱体Cl)的下部一侧连接有压空管道(3),压空管道(3)上装有压空阀门(4)。2.根据权利要求1所述的一种多晶硅头尾料破碎装置,其特征是:喷洒盘(8)上的中心位置设有喷洒孔(10)。
【专利摘要】一种单晶硅头尾料破碎装置,适用于硅单晶生产中对头尾料的破碎。本实用新型主要是由箱体(1)、四氟护板(2)、压空管道(3)、压空阀门(4)、液氮管道(5)、液氮阀门(6)、排气口(7)、喷洒盘(8)构成;箱体(1)的内壁镶嵌有四氟护板(2)进行屏蔽,防止金属沾污;箱体(1)与四氟板(2)之间填有保温材料(9);箱体(1)的顶部开有2个圆形的排气口(7),箱体(1)顶部中间连接有液氮管道(5),液氮管道(5)的上下两端连接有液氮阀门(6)和喷洒盘(8),喷洒盘(8)在箱体(1)内部,喷洒盘(8)上有圆形的喷洒孔(10);箱体(1)的侧面连接有压空管道(3),压空管道上有压空阀门(4)。本实用新型操作简便,高纯洁净,安全可靠,有效的解决了现有破碎方法所存在的不足。
【IPC分类】C30B29/06, C30B15/00
【公开号】CN204779913
【申请号】CN201520515599
【发明人】王新, 令狐铁兵, 刘要普, 李京涛, 方丽霞, 史舸
【申请人】麦斯克电子材料有限公司
【公开日】2015年11月18日
【申请日】2015年7月16日
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