一种控制电机正反转驱动电路的制作方法

文档序号:9977389阅读:1044来源:国知局
一种控制电机正反转驱动电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于电机控制领域,具体地涉及一种控制电机正反转驱动电路。
【背景技术】
[0002]电机是指依据电磁感应定律实现电能的转换或传递的一种电磁装置。它的主要作用是产生驱动转矩,作为用电器或各种机械的动力源。
[0003]随着电机制造技术的日益成熟,操作简单、控制便捷的直流电机被广泛应用于各行各业中,对直流电机驱动线路的设计受到了越来越多的关注。直流电机具有许多优点,利用直流电机正反向转动,实现系统控制的方法被大量加入到各种电器产品中。
[0004]目前市场上很多电机驱动正反转的驱动电路,基本采用继电器控制,但是,由于继电器体积大不利于集成电路的小型化,并且继电器采用触点接通,其寿命会受到一些限制,且响应速度慢,抗干扰能力差,安全性低,电路结构复杂。

【发明内容】

[0005]本实用新型目的在于为解决上述问题而提供一种结构简单,电路体积小,响应速度快,抗干扰能力强,安全性和可靠性高,使用寿命长且成本低的电机正反转驱动电路。
[0006]为此,本实用新型公开了一种控制电机正反转驱动电路,包括第一 N+P型MOS管、第二 N+P型MOS管、直流电机和第一电子开关,所述N+P型MOS管由N型MOS管和P型MOS组成,所述第一 N+P型MOS管中的N型MOS管的源极接地,漏极接直流电机的第一输入端,栅极接第一控制信号端,所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的源极接电源,漏极接直流电机的第一输入端,栅极接第二控制信号端,所述第二 N+P型MOS管中的N型MOS管的源极接地,漏极接直流电机的第二输入端,栅极接第二控制信号端,所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的源极接电源,漏极接直流电机的第二输入端,栅极接第一控制信号端,所述第一控制信号端串联第一电子开关接地,所述第二控制信号端接第一电子的控制输入端。
[0007]进一步的,所述N+P型MOS管的型号为STC4614。
[0008]进一步的,所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极通过第一同相驱动模块接第二控制信号端。
[0009]进一步的,所述第一同相驱动模块包括第二电子开关,所述第二电子开关的输入端串联第一电阻和第二电阻接电源,所述第二电子开关的输出端接地,所述第二电子开关的控制输入端第二控制信号端,所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极接第一电阻和第二电阻之间的节点。
[0010]进一步的,所述第二电子开关为NPN三极管。
[0011]进一步的,所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极通过第二同相驱动模块接第一控制信号端。
[0012]进一步的,所述第二同相驱动模块包括第三电子开关,所述第三电子开关的输入端串联第三电阻和第四电阻接电源,所述第三电子开关的输出端接地,所述第三电子开关的控制输入端接第一控制信号端,所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极接第三电阻和第四电阻之间的节点。
[0013]进一步的,所述第三电子开关为NPN三极管。
[0014]进一步的,所述第一 N+P型MOS管中的N型MOS管的栅极串联第五电阻接地。
[0015]进一步的,所述第二 N+P型MOS管中的N型MOS管的栅极串联第六电阻接地。
[0016]本实用新型的有益技术效果:
[0017]本实用新型采用集成的N+P型MOS管实现电机正反转控制,电路结构简单,体积小,利于产品便携式和最小化设计,响应速度快,抗干扰能力强,成本低,同时通过三极管防止两路控制信号端同时有信号输入而烧毁MOS管,电路使用寿命长,安全性和可靠性高。
【附图说明】
[0018]图1为本实用新型实施例的电路原理图。
【具体实施方式】
[0019]现结合附图和【具体实施方式】对本实用新型进一步说明。
[0020]如图1所示,一种控制电机正反转驱动电路,包括两个由N型MOS管和P型MOS组成的N+P型MOS管U2和U3、直流电机(插接在插座CN8上)和第一电子开关Q2 (本实施中优选为NPN三极管,型号为2N3904),本具体实施例中,N+P型MOS管U2和U3的型号为STC4614,SI端为N型MOS管的源极,Dl端为N型MOS管的漏极,Gl为N型MOS管的栅极,S2端为P型MOS管的源极,D2端为P型MOS管的漏极,G2为P型MOS管的栅极。
[0021]N+P型MOS管U2 (第一 N+P型MOS管)的SI端接地,S2端接+12V电源,Dl端和D2端接电机CN8的第一输入端,Gl端接第一控制信号端Ctrll (输出0/1信号),同时串联第五电阻Rl接地,G2端串联第一电阻R5接+12V电源,同时串联第二电阻R6和第二电子开关Ql (本实施例中优选为NPN三极管,型号为2N3904)接地,NPN三极管Ql的基极(控制输入端)接第二控制信号端Ctrl2 (输出1/0信号)。电阻R5、电阻R6和NPN三极管Ql组成第一同相驱动模块。本具体实施例中,N+P型MOS管U2的Gl端与第一控制信号端Ctrll还串联有电阻R2和R7,用于限流保护作用,NPN三极管Ql的基极与第二控制信号端Ctrl2之间还串联有电阻R4和R9用于限流保护作用,电阻R4和R9之间节点串联电容C6接地,N+P型MOS管U2的Dl和D2端串联有并联的电容C15和二极管Dl接+12V电源。
[0022]N+P型MOS管U3 (第二 N+P型MOS管)的SI端接地,S2端接+12V电源,Dl端和D2端接电机CN8的第二输入端,Gl端接第二控制信号端Ctrl2,同时串联第六电阻RlO接地,G2端串联第三电阻R12接+12V电源,同时串联第四电阻R13和第三电子开关Q3 (本实施例中优选为NPN三极管,型号为2N3904)接地,NPN三极管Q3的基极(控制输入端)接第一控制信号端Ctrll。电阻R12、电阻R13和NPN三极管Q3组成第二同相驱动模块。本具体实施例中,N+P型MOS管U3的Gl端与第二控制信号端Ctrl2还串联有电阻Rll和R9,用于限流保护作用,NPN三极管Q3的基极与第一控制信号端Ctrll之间还串联有电阻R14和R7用于限流保护作用,电阻R14和R7之间节点串联电容C7接地,N+P型MOS管U3的Dl和D2端串联有并联的电容C16和二极管D2接+12V电源。
[0023]NPN三极管Q2的集电极接第一控制信号端Ctrll,发射极接地,基极串联电阻R8接第二控制信号端Ctrl2,当第二控制信号端Ctrl2输入高电平时,NPN三极管Q2导通,此时无论第一控制信号端Ctrll输入的是低电平还是高电平,都会被拉低,防止两个输入信号同时为高电平,N+P型MOS管U2和U3的两个MOS管同时导通而损坏。
[0024]本实用新型的工作过程:
[0025]当第一控制信号端Ctrll为高电平,第二控制信号端Ctrl2为低电平时,N+P型MOS管U2的SI和Dl之间导通,S2和D2之间截止,N+P型MOS管U3的SI和Dl之间截止,S2和D2之间导通,直流电机CN8正转(或反转);当第一控制信号端Ctrll为低电平,第二控制信号端Ctrl2为高电平时,N+P型MOS管U2的SI和Dl之间截止,S2和D2之间导通,N+P型MOS管U3的SI和Dl之间导通,S2和D2之间截止,直流电机CN8反转(或正转)。
[0026]尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型,但所属领域的技术人员应该明白,在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内,在形式上和细节上可以对本实用新型做出各种变化,均为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种控制电机正反转驱动电路,其特征在于:包括第一N+P型MOS管、第二N+P型MOS管、直流电机和第一电子开关,所述N+P型MOS管由N型MOS管和P型MOS组成,所述第一N+P型MOS管中的N型MOS管的源极接地,漏极接直流电机的第一输入端,栅极接第一控制信号端,所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的源极接电源,漏极接直流电机的第一输入端,栅极接第二控制信号端,所述第二 N+P型MOS管中的N型MOS管的源极接地,漏极接直流电机的第二输入端,栅极接第二控制信号端,所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的源极接电源,漏极接直流电机的第二输入端,栅极接第一控制信号端,所述第一控制信号端串联第一电子开关接地,所述第二控制信号端接第一电子的控制输入端。2.根据权利要求1所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述N+P型MOS管的型号为STC4614。3.根据权利要求1所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第一N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极通过第一同相驱动模块接第二控制信号端。4.根据权利要求3所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第一同相驱动模块包括第二电子开关,所述第二电子开关的输入端串联第一电阻和第二电阻接电源,所述第二电子开关的输出端接地,所述第二电子开关的控制输入端第二控制信号端,所述第一 N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极接第一电阻和第二电阻之间的节点。5.根据权利要求4所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第二电子开关为NPN三极管。6.根据权利要求1所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第二N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极通过第二同相驱动模块接第一控制信号端。7.根据权利要求6所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第二同相驱动模块包括第三电子开关,所述第三电子开关的输入端串联第三电阻和第四电阻接电源,所述第三电子开关的输出端接地,所述第三电子开关的控制输入端接第一控制信号端,所述第二 N+P型MOS管中的P型MOS管的栅极接第三电阻和第四电阻之间的节点。8.根据权利要求7所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第三电子开关为NPN三极管。9.根据权利要求1所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第一N+P型MOS管中的N型MOS管的栅极串联第五电阻接地。10.根据权利要求1所述的控制电机正反转驱动电路,其特征在于:所述第二N+P型MOS管中的N型MOS管的栅极串联第六电阻接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种控制电机正反转驱动电路,包括第一N+P型MOS管、第二N+P型MOS管、直流电机和第一电子开关,所述N+P型MOS管由N型MOS管和P型MOS组成,所述第一N+P型MOS管中的两个源极分别接电源和地,两个漏极接直流电机的第一输入端,两个栅极分别接第一和第二控制信号端,所述第二N+P型MOS管中的两个源极分别接电源和地,两个漏极接直流电机的第二输入端,两个栅极分别接第二和第一控制信号端,所述第一控制信号端串联第一电子开关接地,所述第二控制信号端接第一电子的控制输入端。本实用新型结构简单,电路体积小,响应速度快,抗干扰能力强,安全性和可靠性高,使用寿命长且成本低。
【IPC分类】H02P1/22
【公开号】CN204886748
【申请号】CN201520540137
【发明人】章进武, 涂建远, 邱育贤
【申请人】厦门炬研电子科技有限公司
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年7月24日
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