一种基于电光和碳纳米管双调q技术的激光器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于激光器技术领域，特别涉及一种基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器。
【背景技术】
[0002]在激光技术中，Q因子是用来表征激光谐振腔质量的品质因数，它定义为谐振腔内的总能量与单位时间腔内损耗的能量之比。激光调Q技术的原理是通过快速改变腔内Q值的大小，以产生具有高能量、高功率、持续时间短的巨脉冲。激光双调Q技术是在激光谐振腔中同时使用两个不同的调Q开关，与单调Q相比，双调Q还可以实现更加稳定、更加对称、具有更高能量和峰值功率的脉冲输出。
[0003]电光调Q技术是利用电光晶体的电光效应快速改变腔内Q值的方法。目前，最常利用的是电光晶体的一次电光效应，即普克尔效应。
[0004]碳纳米管是一维纳米材料，它具有中空的管体结构，管壁单元是由碳原子组成的正六边形碳环结构，碳纳米管按由碳环结构形成的石墨片层数分类，可以分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。碳纳米管自1991年被发现以来，就在力学、化学、电子学等领域有着广泛的应用。在激光技术领域，SWCNT-SA单壁奈米碳管(SWCNT SA)饱和吸收体(SWCNT SA)是一个非常适合于Iym波段左右全固态调Q或锁模激光器的饱和吸收体。然而，使用单碳纳米管调Q技术得到的输出激光脉冲宽且不对称，输出激光能量和峰值功率都较低。
【实用新型内容】
[0005]为了克服现有技术的不足，本实用新型提供了一种基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，可以得到更窄的脉冲宽度、更加稳定对称的脉冲波形、更大的输出能量和更高的输出峰值功率。
[0006]—种基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，包括:半导体二极管激光器、输入镜、激光介质、电光晶体、碳纳米管、输出镜，半导体二极管激光器产生的栗浦光经过输入镜进入激光谐振腔，通过激光介质，并经过电光晶体和碳纳米管的双调Q之后，由输出镜输出激光脉冲。
[0007]优选的，输入镜为凹透镜，曲率半径为500nm，光面镀有808nm的增透膜，反射面镀有1064nm的高反膜。
[0008]优选的，所述输出镜为平面镜。
[0009]优选的，所述的半导体二极管激光器的输出方式为光纤耦合方式。
[0010]优选的，所述的输入镜和输出镜构成激光谐振腔结构长度为26cm。
[0011]优选的，所述激光介质为掺钕钥Jl镥Nd:LuV04晶体。
[0012]本实用新型的有益效果为:
[0013]与单碳纳米管调Q产生的激光相比，本实用新型采用电光和碳纳米管双调Q产生的激光可以得到更窄的脉冲宽度、更加稳定对称的脉冲波形、更大的输出能量和更高的输出峰值功率。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型结构不意图。
[00?5]其中1-半导体二极管激光器，2-输入镜，3-激光介质，4-电光晶体，5-碳纳米管，6_输出镜。
【具体实施方式】
[0016]为了方便本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型作进一步的详细描述。
[0017]实施例1
[0018]如图1所示，本实用新型提供的基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，包括半导体二极管激光器1、输入镜2、激光介质3、电光晶体4、碳纳米管5、输出镜6，半导体二极管激光器I产生的栗浦光经过输入镜2进入激光谐振腔，通过激光介质3，并经过电光晶体4和碳纳米管5的双调Q之后，由输出镜6输出激光脉冲。
[0019]其中，输入镜2和输出镜6构成平一凹谐振腔结构，腔长为26cm，输入镜2的曲率半径为500mm，透光面镀有808nm的增透膜，反射面镀有1064nm的高反膜，半导体二极管激光器I的输出方式为光纤親合方式，激光介质3为掺钕f凡酸镥Nd: LuV04晶体。
[0020]实施例2
[0021]其中，单碳纳米管调Q输出的激光脉冲宽度为82.5ns，而双电光和碳纳米管双调Q输出的激光脉冲宽度为37.6ns，压缩了 54.4%,而且形状更加对称。
[0022]其中，单碳纳米管调Q输出的激光能量为1.2mJ，而电光和碳纳米管双调Q输出的激光能量为6.2mJ。
[0023]其中，单碳纳米管调Q输出的激光峰值功率为1.18KW，而电光和碳纳米管双调Q输出的激光脉冲宽度为7.93KW，提高了近7倍。
[0024]由上述实验数据得出，与单碳纳米管调Q产生的激光相比，本实用新型采用的电光和碳纳米管双调Q产生的激光得到了更窄的脉冲宽度、更加稳定对称的脉冲波形、更大的输出能量和更高的输出峰值功率。
[0025]尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本实用新型，但所属领域的技术人员应该明白，在不脱离所附权利要求书所限定的本实用新型的精神和范围内，在形式上和细节上对本实用新型做出的各种变化，均为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，其特征在于，包括半导体二极管激光器(I)、输入镜(2)、激光介质(3)、电光晶体(4)、碳纳米管(5)、输出镜(6)，半导体二极管激光器(I)产生的栗浦光经过输入镜(2)进入激光谐振腔，通过激光介质(3)，并经过电光晶体(4)和碳纳米管(5)的双调Q之后，由输出镜(6)输出激光脉冲。2.如权利要求1所述的基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，其特征在于，所述的输入镜(2)为凹透镜，曲率半径为500nm，透光面镀有808nm的增透膜，反射面镀有1064nm的尚反月旲。3.如权利要求1所述的基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，其特征在于，所述输出镜(6)为平面镜。4.如权利要求1所述的基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，其特征在于，所述的半导体二极管激光器(I)的输出方式为光纤耦合方式。5.如权利要求1所述的基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，其特征在于，所述的输入镜(2)和输出镜(6)构成激光谐振腔结构长度为26cm。6.如权利要求1所述的基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，其特征在于，所述激光介质(3)为掺钕f凡酸镥Nd: LuV04晶体。
【专利摘要】本实用新型涉及一种基于电光和碳纳米管双调Q技术的激光器，包括：半导体二极管激光器、输入镜、激光介质、电光晶体、碳纳米管、输出镜，半导体二极管激光器产生的泵浦光经过输入镜进入激光谐振腔，通过激光介质，并经过电光晶体和碳纳米管的双调Q之后，由输出镜输出激光脉冲。采用电光和碳纳米管双调Q产生的激光可以得到更窄的脉冲宽度、更加稳定对称的脉冲波形、更大的输出能量和更高的输出峰值功率。
【IPC分类】H01S3/06, H01S3/042, H01S3/08, H01S3/11
【公开号】CN205195035
【申请号】CN201521068431
【发明人】程康, 孔炜, 邱黛君, 张瑞锋, 郭波, 仵欣
【申请人】山东省计量科学研究院
【公开日】2016年4月27日
【申请日】2015年12月17日