一种压力烧结高密度ito旋转靶材的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及磁控溅射镀膜靶材、触摸屏靶材领域，尤其是一种压力烧结高密度ITO旋转靶材。
【背景技术】
[0002]ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型，再高温气氛烧结(1600度，通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体。
[0003]ITO靶材主要是在平板显示器中得到广泛的运用，靶材主用是在半导体中运用广泛，科技发展的迅速，让电子行业在市场中占据很大的份额，直接影响到了人们的工作和生活，ITO靶材有极高的性能优势，而且有比较高的耐热冲击性，在使用中不会对设备造成损坏，同时它的纯度特别的高，目前，市场中很多电子产品都用到了平面显示器，液晶电脑、液晶电视进入到了千家万户，液晶的产品不管是在外观上还是在质地上都是比较高的，而且能够降低耗能，ITO靶材被广泛运用到了电子领域，因为电子领域对于材料的要求普遍比较高，它为电子行业的发展起到一定的推进作用，同时靶材能够延长电子产品的使用寿命，而且质量也比较符合检测标准，一般很少会出现产量不合格的现象，同时在外观上也能符合人们的要求。
[0004]ITO靶材在目前的市场中使用广泛，而生产它的方法有多种，在以前，它的生产技术并不是很好，为了满足人们的需求才有了常压烧结法，最初的生产方法就是真空热压法，使用这种方法生产靶材不仅花费的成本比较高，而且不能够提高工作的效率，对于企业来说不仅提高了投资的成本，而且并没有让产品的质量得到改善;最近这些年，发明了一种常压烧结法来生产ITO靶材，主要通过预压的工作来实现对靶材的生产，而这种方法不仅能够让生产出的靶材密度比较均匀，而且降低了生产中的成本，用这种方法生产出来的靶材能够用于高端显示器中，但现有的ITO靶材采用常压或微正压烧结，造成ITO靶材密度较低，其性能还存在很大提升空间。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型提供如下技术方案:一种压力烧结高密度ITO旋转靶材，包括高密度ITO旋转靶材，所述高密度ITO旋转靶材整体呈圆筒形，高密度ITO旋转靶材内部设有内衬管，该内衬管与高密度ITO旋转靶材之间设有邦定层。
[0006]作为本实用新型的进一步方案:所述内衬管的材料为钛。
[0007]作为本实用新型的进一步方案:所述邦定层的材料为铟。
[0008]与现有技术相比，本实用新型的有益效果是:该压力烧结高密度ITO旋转靶材为高密度ITO旋转靶材，采用压力烧结的方式制造而成，密度高达99%以上，性能优良，靶材密度比较均匀，值得大力推广。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构示意图。
[0010]图2为本实用新型的邦定示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0012]请参阅图1-2，本实用新型实施例中，一种压力烧结高密度ITO旋转靶材，包括高密度ITO旋转靶材I，所述高密度ITO旋转靶材I整体呈圆筒状，高密度ITO旋转靶材I内部设有内衬管2，该内衬管2的材料为钛，内衬管2与高密度ITO旋转靶材I之间设有邦定层3，该邦定层3的材料为铟。
[0013]高密度ITO旋转靶材I的制造方法:本方法采用共沉淀的ITO纳米粉(In203:SnO比例从80:20?99:1)，加胶0.1?1.5%，进行搅拌，干燥，然后用刚性芯杆和软胶材料包扎进行压制，压制压力为50-300MPa，从而获得圆管形的已成形生坯;将生坯外圆表面、端面进行加工后放入压力气氛烧结炉中进行烧结，通入0.3-301/min的纯氧，并随着温度的提高逐步提高压力，烧结温度为1500-1650C;由此获得密度高达99%以上的ITO旋转靶材。
[0014]本实用新型的具体加工流程:一、采用共沉淀的ITO纳米粉(In203: SnO比例从80:20?99:1)，按ITO粉的重量加水1-3倍、加粘接剂0.2?1.5%，进行搅拌混合，喷雾干燥。
[0015]二、用刚性芯杆和软胶材料包扎进行压制，压制压力为50_300MPa，从而获得圆管形的已成形生坯:1、将压制工具的上堵头打开;2、装入已经喷雾干燥的ITO粉;3、均匀压实装紧后盖上堵头，扎紧两端;4、放入冷等静压机压制;压制压力100-300MPa，时间3-15分钟；
5、压制完成后取出压成的生坯，进行外形机加工;6、加工完成即可进行烧结。
[0016]三、将生坯外圆表面、端面进行加工后，放入压力气氛烧结炉中进行烧结:1、将ITO生坯放入图示的压力炉座上;2、开启液压装置，将下炉座顶起，与炉体结合，密封，锁紧;3、开始缓慢加热，同时打开控制阀，由氧气瓶输入氧气，送气量0.3-30升/分，开启排气阀，气体循环排出；4、当温度达到800°C，关闭排气阀；5、通入0.3-301/min的纯氧，并随着温度的提高逐步提高压力；压力范围为-0.Ι-lMpa。继续加温并加氧气，直到温度达到1500-1650°C，用控制阀控制流量，观察压力表，使压力逐渐升到0.3-1.0MPa;6、保温1-5小时，同时缓慢降压到大气；7、随炉冷却到200°C以下，逐渐打开下炉座；由此获得密度高达99%以上的ITO旋转靶材;8、将烧结完成的ITO旋转靶熟坯取出，进行机加工，然后进行邦定，将靶材粘接到靶筒上。
[0017]对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型，因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
[0018]此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
【主权项】
1.一种压力烧结高密度ITO旋转靶材，包括高密度ITO旋转靶材(I)，其特征在于，所述高密度ITO旋转靶材(I)整体呈圆筒形，高密度ITO旋转靶材(I)内部设有内衬管(2)，该内衬管(2)与高密度ITO旋转靶材(I)之间设有邦定层(3)。2.根据权利要求1所述的压力烧结高密度ITO旋转靶材，其特征在于，所述内衬管(2)的材料为钛。3.根据权利要求1所述的压力烧结高密度ITO旋转靶材，其特征在于，所述邦定层(3)的材料为铟。
【专利摘要】一种压力烧结高密度ITO旋转靶材，包括高密度ITO旋转靶材，所述高密度ITO旋转靶材整体呈圆筒状，高密度ITO旋转靶材内部设有内衬管，该内衬管的材料为钛，内衬管与高密度ITO旋转靶材之间设有邦定层，该邦定层的材料为铟；该压力烧结高密度ITO旋转靶材为高密度ITO旋转靶材，采用压力烧结的方式制造而成，密度高达99%以上，性能优良，靶材密度比较均匀，值得大力推广。
【IPC分类】C23C14/08, C23C14/34
【公开号】CN205295447
【申请号】
【发明人】胡茂横
【申请人】深圳恒泰克科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年11月16日