一种抗电磁波增亮膜的制作方法

文档序号:10389834阅读:89来源:国知局
一种抗电磁波增亮膜的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种光学保护膜,尤其是涉及一种液晶显示器背光模组中的抗电磁波增亮膜。
【背景技术】
[0002]液晶显示器有着能耗低、重量轻、无辐射、无闪烁等优点,是目前市面上主流的显示器,但液晶作为一种被动发光材料,需要依靠背光模组才能实现图像的显示,一般来说,背光模组由光源、反射膜、导光板、光学模组组成,其中光学模组包含下增亮膜、上增亮膜,增亮膜一般包含基材和棱镜结构层,上增亮膜含雾化层。而目前市场上的增亮膜功能比较单一,不具备抗电磁波的功能,不能满意满足市场的需求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的是为了克服现有技术的不足,提供一种抗电磁波增亮膜,提升其使用性能。
[0004]为达到上述目的,本实用新型采用以下方案:
[0005]—种抗电磁波增亮膜,包含有:上增亮膜与下增亮膜,上增亮膜包含A基材、抗电磁结构层以及扩散层;A基材包含A光学面和B光学面,抗电磁结构层设置在A基材的A光学面,扩散层层叠在A基材的B光学面;下增亮膜包括B基材、B棱镜结构层,B棱镜结构层设置在B基材上;抗电磁结构层为添加有抗电磁波材料的丙烯酸类树脂结构层;抗电磁结构层与B棱镜结构层由若干平行的棱镜单体组成;上增亮膜与下增亮膜的棱镜单体长度方向相互垂直,即抗电磁结构层与B棱镜结构层的棱镜单体长度方向相互垂直;棱镜单体截面为一等腰三角形,抗电磁结构层与B棱镜结构层的棱镜高度d2为15?30μηι,棱镜单体之间的间距d4为20?40μπι,棱镜单体截面为等腰三角形,顶角角度α为85?95°。
[0006]在其中一些实施例中,所述A基材与B基材为PET膜、PC膜或PMMA膜,A基材与B基材厚度d0为23?ΙΟΟμπι;扩散层为添加有抗电磁波材料的扩散层,扩散层厚度d3为4?ΙΟμπι。
[0007]在其中一些实施例中,所述扩散层和抗电磁结构层分置在A基材的两面,B棱镜结构层由若干平行的丙烯酸类树脂棱镜单体组成。
[0008]本实用新型主要提供一种抗电磁波增亮膜,相比传统结构的增亮膜,其在提供轴向亮度增益的同时,能具有抗电磁波功能,优化增亮膜的功能,提高其使用价值。同时该制备方法简单,适用于大量生产。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型实施例上增亮膜的示意图;
[0010]图2为本实用新型实施例下增亮膜的示意图;
[0011]图3为本实用新型实施例的结构示意图;
[0012]图4为本实用新型实施例的立体示意图。
[0013]附图标记说明:
[0014]上增亮膜10,A基材11,抗电磁结构层12,扩散层13,下增亮膜20,B基材21,B棱镜结构层22。
【具体实施方式】
[0015]为能进一步了解本实用新型的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能,解析本实用新型的优点与精神,藉由以下通过实施例对本实用新型做进一步的阐述。
[0016]本增亮膜组包括上增亮膜10和下增亮膜20,上增亮膜10包括A基材11、抗电磁结构层12、扩散层13,抗电磁波材料添加在扩散层13里,扩散层13和抗电磁结构层12分置在A基材11的两面;下增亮膜20包括B基材21、B棱镜结构层22。
[0017]增亮膜基材(A基材11与B基材21)材料为PET、PC、PMMA等其中一种,厚度d0为23?ΙΟΟμπι。抗电磁结构层12为添加有抗电磁波材料的丙烯酸类树脂结构层,B棱镜结构层22由若干平行的丙烯酸类树脂棱镜单体组成。
[0018]扩散层13的原料组成及重量份为:包括丙烯酸类树脂和光扩散粒子,光扩散粒子包含PMMA粒子、PS粒子、S12粒子、T12等粒子一种或几种,粒子大小为2?5μπι。
[0019]抗电磁结构层12的原料组成及重量份为:丙烯酸类树脂40?75份,抗电磁波材料8?26份;抗电磁波材料成分主要为纳米银颗粒(20?35份),溶剂为松油醇(I?5份)与无水乙醇(45?65份)混合,增稠剂为乙基纤维素(4?5.5份),分散剂为司班-85(3?5份)。抗电磁结构层12涂布方式为微凹涂布或刮刀式涂布。
[0020]抗电磁结构层12与B棱镜结构层22包含设置成规律的棱镜单体,棱镜单体高度d2为15?30μπι,间距d4为20?40μπι,其截面为等腰三角形,等腰三角形顶角角度α为85?95°。抗电磁结构层12棱镜单体为添加有抗电磁波材料的丙烯酸类树脂经花纹辊转印并经UV光源固化而成,B棱镜结构层22棱镜单体为丙烯酸类树脂经花纹辊转印并经UV光源固化而成。花纹辊为金属轮,表面电镀100?500μπι厚度的铜层或镍层,表面微结构经单点金刚石刀具车削或激光成形加工而成。
[0021]扩散层13的原料组成及重量份为:
[0022]丙烯酸类树脂40?75份,
[0023]光扩散粒子3?15份;
[0024]光扩散粒子为PMMA粒子、PS粒子、S12粒子或T12粒子的一种及其组合,粒子大小为 4μηι0
[0025]本实用新型的制造方法如下:
[0026](1)、选用23?ΙΟΟμπι厚度的PET、PC或PMMA作为A基材11在A基材11的B光学面涂布扩散层13,涂布方式为微凹涂布或刮刀式涂布;
[0027](2)、在A基材11的A光学面用花纹辊转印添加有抗电磁波材料的丙烯酸类树脂涂布,并经烤箱与UV光源固化,而形成带有若干平行棱镜单体的抗电磁结构层12,得到上增亮膜10;
[0028]花纹辊为金属轮,表面电镀100?500μπι厚度的铜层或镍层,表面微结构经单点金刚石刀具车削或激光成形加工而成;
[0029](3)、选用23?ΙΟΟμπι厚度的PET、PC或PMMA作为B基材21,在B基材21的上面用花纹辊转印丙烯酸类树脂涂布,并经烤箱与UV光源固化而形成带有若干平行棱镜单体的B棱镜结构层22,得到下增亮膜20;
[0030](4)、各自做好的上增亮膜10、下增亮膜20,使用时叠加使用,成为具有抗电磁波效果的增亮膜。
[0031]各自做好上增亮膜10和下增亮膜20,叠加使用就好。同时,上增量膜10上的扩散层已通过微凹或刮刀涂布得到;下增亮膜20只有棱镜结构,没有扩散层。
[0032]在其中一个实施例中,A基材11选用50μπι的PET,扩散层13采用微凹涂布,厚度d3为5?7μπι,其中,光扩散粒子为3μπι的S12粒子,经烤箱与UV灯后完成扩散层13涂布。
[0033 ]在A基材11的另一面涂布抗电磁结构层12。A基材11上面用花纹棍转印添加有抗电磁波材料的丙烯酸类树脂,采用花纹辊转印方式涂布;抗电磁波材料成分主要为纳米银颗粒(26份),溶剂为松油醇(3份)与无水乙醇(60份)混合,增稠剂为乙基纤维素(4.7份),分散剂为司班-85(3.8份),主胶为丙烯酸类树脂,经烤箱与UV灯后完成抗电磁结构层12涂布;
[0034]抗电磁结构层12高度为23μπι,间距为33μπι,截面为等腰直角三角形,得到上增亮膜10;
[0035]下增亮膜20按上述结构层方式涂布。
[0036]在下增亮膜20上面层叠上增亮膜10,在上增亮膜10上面层叠上扩散膜31,在下增亮膜20下面复合下扩散膜32,采用同步辊轮将其贴合。
[0037]以上所述实施例仅表达了本实用新型的部分实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。因此,本实用新型的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种抗电磁波增亮膜,包含有:上增亮膜(10)与下增亮膜(20),其特征在于,所述上增亮膜(10)包含A基材(11)、抗电磁结构层(12)以及扩散层(13);所述A基材(11)包含A光学面和B光学面,所述抗电磁结构层(12)设置在A基材(11)的A光学面,所述扩散层(13)层叠在A基材(11)的B光学面;所述下增亮膜(20)包括B基材(21)、B棱镜结构层(22),所述B棱镜结构层(22)设置在B基材(21)上;所述抗电磁结构层(12)为添加有抗电磁波材料的丙烯酸类树脂结构层; 所述抗电磁结构层(12)与B棱镜结构层(22)由若干平行的棱镜单体组成;所述抗电磁结构层(12)与B棱镜结构层(22)的棱镜单体长度方向相互垂直;所述棱镜单体截面为一等腰三角形,所述抗电磁结构层(12)与B棱镜结构层(2 2)的棱镜高度为15?3 Ομπι,所述棱镜单体之间的间距为20?40μπι,所述棱镜单体截面为等腰三角形,顶角角度为85?95°。2.根据权利要求1所述的一种抗电磁波增亮膜,其特征在于,所述A基材(11)与B基材(21)为PET膜、PC膜或PMMA膜,所述A基材(11)与B基材(21)厚度为23?10ym;所述扩散层(13)为添加有抗电磁波材料的扩散层,所述扩散层(13)厚度为4?ΙΟμπι。3.根据权利要求1所述的一种抗电磁波增亮膜,其特征在于,所述扩散层(13)和抗电磁结构层(12)分置在A基材(11)的两面,所述B棱镜结构层(22)由若干平行的丙烯酸类树脂棱镜单体组成。
【专利摘要】本实用新型公开了一种抗电磁波增亮膜,提升其使用性能。本实用新型包含有上增亮膜与下增亮膜,上增亮膜包含A基材、抗电磁结构层以及扩散层;A基材包含A光学面和B光学面,抗电磁结构层设置在A基材的A光学面,扩散层层叠在A基材的B光学面;下增亮膜包括B基材、B棱镜结构层,B棱镜结构层设置在B基材上。本实用新型能具有抗电磁波功能,优化增亮膜的功能,同时该制备方法简单,适用于大量生产。
【IPC分类】G02F1/1335, G02B1/118, G02F1/1333
【公开号】CN205301752
【申请号】
【发明人】朱文峰, 王善文
【申请人】东莞市纳利光学材料有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月2日
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