一种单晶硅太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电池领域，具体涉及一种单晶硅太阳能电池。
【背景技术】
[0002]单晶硅太阳能电池，是以高纯的单晶硅棒为原料的太阳能电池，是当前开发得最快的一种太阳能电池。但是单晶硅太阳能电池组件焊接70%采用传统的焊接方式，其余30%采用导电胶带方式，而传统的焊接方式所得产品焊带易脱落。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型是针对现有技术存在的不足提供一种单晶硅太阳能电池。
[0004]本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现:
[0005]—种单晶硅太阳能电池，该电池包括薄膜层和电池片，所述的薄膜层包括薄膜层I和薄膜层II，所述的电池片位于薄膜层I和薄膜层II之间;所述的薄膜层包括汇流条和聚合物薄膜，汇流条位于聚合物薄膜的一端，铜丝均匀分布在聚合物薄膜和汇流条的上方;所述的电池片由单晶硅板和银丝组成，所述的银丝均匀分布在单晶硅板上方。
[0006]在一些优选的技术方案中:所述聚合物薄膜的上方均匀分布15?45根铜丝。
[0007]在一些优选的技术方案中:所述单晶硅板的上方均匀分布15?45根银丝。
[0008]在一些优选的技术方案中:所述铜丝的布置方式与汇流条的布置方式相互垂直。
[0009]在一些优选的技术方案中:所述银丝的布置方式与铜丝的布置方式相互垂直。
[0010]本实用新型技术方案对薄膜层没有特殊说明，包括但不限于聚乙烯薄膜层、聚丙烯薄膜层、聚氯乙烯薄膜层和聚酯薄膜层等。
[0011 ]本实用新型的有益效果:
[0012]本实用新型所提供的单晶硅太阳能电池的结构可以降低微裂纹对组件功率的影响，较传统的单晶硅太阳能电池结构还可以降低生产成本，并且可以适用于大批量生产。
【附图说明】
[0013]图1为单晶硅太阳能电池结构示意图。
[0014]图2为薄膜层的结构示意图。
[0015]图3为电池片的结构示意图。
[0016]其中，I为薄膜层I，2为电池片，3为薄膜层II，4为铜丝，5为汇流条，6为聚合物薄膜，7为单晶硅板，8为银丝。
【具体实施方式】
[0017]下面结合实施例对本实用新型做进一步说明，但本实用新型的保护范围不限于此:
[0018]—种单晶硅太阳能电池，该电池包括薄膜层和电池片(2)，所述的薄膜层包括薄膜层I(I)和薄膜层11(3)，所述的电池片(2)位于薄膜层I(I)和薄膜层11(3)之间;所述的薄膜层包括汇流条(5)和聚合物薄膜(6)，汇流条(5)位于聚合物薄膜(6)的一端，铜丝(4)均匀分布在聚合物薄膜和汇流条(5)的上方;所述的电池片(2)由单晶硅板(7)和银丝(8)组成，所述的银丝(8)均匀分布在单晶硅板(7)上方。所述聚合物薄膜的上方均匀分布15?45根铜丝。所述单晶硅板(7)的上方均匀分布15?45根银丝。所述铜丝(4)的布置方式与汇流条(5)的布置方式相互垂直。所述银丝(8)的布置方式与铜丝(4)的布置方式相互垂直。所述的聚合物薄膜(6)为聚乙烯薄膜层、聚丙烯薄膜层、聚氯乙烯薄膜层或聚酯薄膜层。
【主权项】
1.一种单晶硅太阳能电池，其特征在于:该电池包括薄膜层和电池片(2)，所述的薄膜层包括薄膜层I(I)和薄膜层11(3)，所述的电池片(2)位于薄膜层I(I)和薄膜层11(3)之间；所述的薄膜层包括汇流条(5)和聚合物薄膜(6)，汇流条(5)位于聚合物薄膜(6)的一端，铜丝(4)均匀分布在聚合物薄膜(6)和汇流条(5)的上方;所述的电池片(2)由单晶硅板(7)和银丝(8)组成，所述的银丝(8)均匀分布在单晶硅板(7)上方。2.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于:所述聚合物薄膜的上方均匀分布15?45根铜丝。3.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于:所述单晶硅板(7)的上方均勾分布15?45根银丝。4.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于:所述铜丝(4)的布置方式与汇流条(5)的布置方式相互垂直。5.根据权利要求1所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于:所述银丝(8)的布置方式与铜丝(4)的布置方式相互垂直。
【专利摘要】本实用新型公开了一种单晶硅太阳能电池，属于电池领域。该电池该电池包括薄膜层和电池片，所述的薄膜层包括薄膜层I和薄膜层II，所述的电池片位于薄膜层I和薄膜层II之间；所述的薄膜层包括汇流条和聚合物薄膜，汇流条位于聚合物薄膜的一端，铜丝均匀分布在聚合物薄膜和汇流条的上方；所述的电池片由单晶硅板和银丝组成，所述的银丝均匀分布在单晶硅板上方。本实用新型所提供的单晶硅太阳能电池的结构可以降低微裂纹对组件功率的影响，较传统的单晶硅太阳能电池结构还可以降低生产成本，并且可以适用于大批量生产。
【IPC分类】H01L31/048, H01L31/05
【公开号】CN205303482
【申请号】
【发明人】施蔚, 吴亮, 孙璐, 张萍
【申请人】浙江晨威能源科技有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2016年1月14日