刚挠结合板的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及印制线路板技术领域，尤其是涉及一种刚挠结合板。
【背景技术】
[0002]随着电子产品向小型化、便携化的方向发展，其所需要的印制线路板也向轻、薄、短、小的方向发展。其中，具有高密度布线、接点并且能够实现立体组装的高密度互联(HDI)刚挠结合印制线路板就是符合此发展方向的佼佼者。近年来，HDI刚挠结合板的市场需求每年的增长率均超过了20%，远大于其它类型的印制线路板。
[0003]为了避免刚挠结合板挠性区域的溢胶，刚挠结合板采用不流动型半固化片进行压合。不流动型半固化片压合时流动性较差，造成刚挠结合板压合后板面平整性较差。在外层线路制作时，板面凹陷处贴膜不紧会极大的影响到刚挠结合板精细线路的制作质量。
【发明内容】
[0004]基于此，本实用新型在于克服现有技术的缺陷，提供一种刚挠结合板，实现压合后版面的平整性好，减少树脂塞孔流程，且结构简单、加工方便。
[0005]本实用新型的目的是这样实现的:
[0006]—种刚挠结合板，包括刚挠结合子板，及分别固定于所述刚挠结合子板上、下表面的第一铜层和第二铜层，所述刚挠结合子板与所述第一铜层、所述刚挠结合子板和所述第二铜层之间均设有至少一张流动型半固化片。
[0007]下面对进一步的技术方案进行说明:
[0008]进一步地，所述流动型半固化片的TG值大于等于170°C。
[0009]进一步地，所述流动型半固化片压合后的厚度范围为30?ΙΟΟμπι。
[0010]进一步地，所述刚挠结合子板包括由上至下依次层压固定的第一刚性板、不流动型半固化片、柔性板、不流动型半固化片及第二刚性板，所述刚挠结合子板上设有至少一条导电通道。
[0011]进一步地，所述柔性板的上、下表面均设有线路图形，所述导电通道与所述线路图形电性连接。
[0012]进一步地，所述柔性板的上、下面均设有挠性区域，所述线路图形上设有覆盖膜，且所述覆盖膜位于所述挠性区域内。
[0013]进一步地，所述导电通道的直径范围为75?150μπι。
[0014]进一步地，所述第一铜层和所述第二铜层的厚度范围均为12?35μπι。
[0015]本实用新型的有益效果在于:
[0016]上述刚挠结合板分别通过在所述刚挠结合子板和所述第一铜层、以及所述刚挠结合子板和所述第二铜层之间设置至少一层所述流动型半固化片，可实现直接对所述刚挠结合子板的埋孔进行填孔，从而减少了树脂塞孔流程，另外，压合后PCB板的板面平整性高，质量好，可实现线宽/线距为3mil/3mil的精细线路的制作。
【附图说明】
[0017]图1为为本实用新型实施例所述的刚挠结合板的结构示意图。
[0018]附图标记说明:
[0019]100、刚挠结合子板，120、第一刚性板，140、不流动型半固化片，160、柔性板，162、挠性区域，164、线路图形，180、第二刚性板，200、第一铜层，300、第二铜层，400、流动型半固化片，500、导电通道，600、覆盖膜。
【具体实施方式】
[0020]下面对本实用新型的实施例进行详细说明:
[0021]如图1所示，一种刚挠结合板，包括刚挠结合子板100，及分别固定于所述刚挠结合子板100上、下表面的第一铜层200和第二铜层300，所述刚挠结合子板100与所述第一铜层200、所述刚挠结合子板100和所述第二铜层300之间均设有至少一张流动型半固化片400。
[0022]其中，上述刚挠结合板通过分别在所述刚挠结合子板100和所述第一铜层200、以及所述刚挠结合子板100和所述第二铜层300之间设置至少一层所述流动型半固化片400，可实现直接对所述刚挠结合子板100的埋孔进行填孔，从而减少了树脂塞孔流程，另外，压合后PCB板的板面平整性高，质量好，可实现线宽/线距为3mil/3mil的精细线路的制作。
[0023]此外，根据不同规格板件的加工要求，在层压加工时可以设置I张或以上数量的所述流动型半固化片400，以保证良好的制版质量，确保版面较高的平整性。
[0024]所述流动型半固化片400的TG值大于等于170°C。另外，优选所述流动型半固化片400的TG值大于等于170°C，以使其受热后具有良好的流动性，确保对埋孔进彳丁填孔，提尚其工作的可靠性。在其他实施例中，也可以采用其他大小TG值的流动型板固化片，也在本实用新型的保护范围内。
[0025]所述流动型半固化片400压合后的厚度范围为30?ΙΟΟμπι。其中，优选所述流动型半固化片压合后的厚度为30?ΙΟΟμπι，可以避免因厚度过小，导致绝缘性能低，可靠性不高，或因厚度过大，导致叠层压合时，导致半固化片的膨胀、褶皱，极大地影响板件质量。
[0026]所述刚挠结合子板100包括由上至下依次层压固定的第一刚性板120、不流动型半固化片140、柔性板160、不流动型半固化片140及第二刚性板180，所述刚挠结合子板100上设有至少一条导电通道500。
[0027]其中，本实用新型仅以六层结构的刚挠结合板为例进行说明，即所述刚挠结合子板100包括由上至下依次层压固定的第一刚性板120、不流动型半固化片140、柔性板160、不流动型半固化片140及第二刚性板180，且所述柔性板160的上、下包面均设有制作柔性子板的挠性区域162，同时，所述刚挠结合子板100上设有至少一条导电通道500，如此使得该刚挠结合板更加简单、紧凑，同时可以保证较高的板件质量。
[0028]所述柔性板160的上、下表面均设有线路图形164，所述导电通道500与所述线路图形164电性连接。此外，在所述柔性板160的上下表面制作所述线路图形164且保证其与所述导电通道500电性连接，以实现内层柔性板与外层刚性板的电性连接正常，实现良好的信号传输效果。其中具体制作方法为:
[0029]在所述柔性板160上干膜曝光，形成线路图案；
[0030]通过干膜曝光，酸性蚀刻形成所述线路图形164;
[0031 ] 通过沉铜在钻削的通孔处形成所述导电通道500。
[0032]所述柔性板160的上、下面均设有挠性区域162，所述线路图形164上设有覆盖膜600，且所述覆盖膜600位于所述挠性区域162内。
[0033]另外，所述覆盖膜600为聚酰亚胺膜，其具有良好的柔性和挠性，可以对内层所述柔性版160的线路起到保护作用。在其他实施例中，也可以使用其他材料的膜。
[0034]所述第一铜层200和所述第二铜层300的厚度范围均为12?35μπι。优选将所述第一铜层200和所述第二铜层300的厚度设计为12?35μπι，可以确保工作的可靠性，避免压合时因太薄而导致损坏或因太后导致绝缘性不好，且容易起褶皱，影响板件的表面质量。
[0035]所述导电通道500的直径范围为75?150μπι。其中，将所述导电通道500的直径范围优选为75?150μηι，可以确保合适的深径比，使所述导电通道500和刚烧结合板的整体比例协调。上述尺寸范围并非对保护范围的限定，在其他实施例中，也可以采用其他的数值范围。
[0036]以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0037]以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种刚挠结合板，其特征在于，包括刚挠结合子板，及分别固定于所述刚挠结合子板上、下表面的第一铜层和第二铜层，所述刚挠结合子板与所述第一铜层、所述刚挠结合子板和所述第二铜层之间均设有至少一张流动型半固化片。2.根据权利要求1所述的刚挠结合板，其特征在于，所述流动型半固化片的TG值大于等于 170。。。3.根据权利要求2所述的刚挠结合板，其特征在于，所述流动型半固化片压合后的厚度范围为30?ΙΟΟμπι。4.根据权利要求1所述的刚挠结合板，其特征在于，所述刚挠结合子板包括由上至下依次层压固定的第一刚性板、不流动型半固化片、柔性板、不流动型半固化片及第二刚性板，所述刚挠结合子板上设有至少一条导电通道。5.根据权利要求4所述的刚挠结合板，其特征在于，所述柔性板的上、下表面均设有线路图形，所述导电通道与所述线路图形电性连接。6.根据权利要求5所述的刚挠结合板，其特征在于，所述柔性板的上、下面均设有挠性区域，所述线路图形上设有覆盖膜，且所述覆盖膜位于所述挠性区域内。7.根据权利要求4所述的刚挠结合板，其特征在于，所述导电通道的直径范围为75?150ymo8.根据权利要求1所述的刚挠结合板，其特征在于，所述第一铜层和所述第二铜层的厚度范围均为12?35μπι。
【专利摘要】本实用新型公开了一种刚挠结合板，包括刚挠结合子板，及分别固定于所述刚挠结合子板上、下表面的第一铜层和第二铜层，所述刚挠结合子板与所述第一铜层、所述刚挠结合子板和所述第二铜层之间均设有至少一层流动型半固化片。通过分别在所述刚挠结合子板和所述第一铜层、以及所述刚挠结合子板和所述第二铜层之间设置至少一层所述流动型半固化片，可实现直接对所述刚挠结合子板的埋孔进行填孔，从而减少了树脂塞孔流程，另外，压合后PCB板的板面平整性高，质量好，可实现线宽/线距为3mil/3mil的精细线路的制作。
【IPC分类】H05K1/02
【公开号】CN205305219
【申请号】
【发明人】林楚涛, 陈蓓, 乔书晓
【申请人】广州兴森快捷电路科技有限公司, 深圳市兴森快捷电路科技股份有限公司, 广州市兴森电子有限公司
【公开日】2016年6月8日
【申请日】2015年12月25日