技术编号:10083594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及电子电路领域,尤其涉及一种升压电路及电源开关。背景技术根据现今电子电路领域的工艺水平,N型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor,NMOS)的通态电阻比P型金属氧化物半导体薄膜场效应晶体管(N-Mental-Oxide-Semiconductor,PM0S)的通态电阻低,因此,在电流较大的电子开关应用场合,普遍采用NM0S场效应晶体管做电源的电子开关。对NM0S场效应晶体管形成的电源开关而言...
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