技术编号:10300220
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,不仅驱动功率小,而且饱和压降低,非常适合应用于直流电压为600V及以上的交流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。在当今日益严峻的环境问题和能源消耗压力下,低碳经济正成为世界各国的发展共识,而IGBT在低碳经济所涉及的节能减排、新能源、高铁、智能电网...
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