技术编号:10336842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体元件加工过程中,常采用等离子体刻蚀法对衬底进行刻蚀以制备图形化衬底,或者对晶圆进行刻蚀,以制备所需图案的晶圆。等离子体刻蚀法通常采用等离子体刻蚀设备进行刻蚀。目前,常见的等离子刻蚀设备通常包括3个腔体放置载盘的第一腔体,传送载盘的第二腔体和刻蚀载盘上基片的第三腔体。在设备运作过程中,第一腔体为非真空环境,而第三腔体必须通过抽真空系统形成真空环境,因此当第二腔体作为传送腔时,需要在真空环境和非真空环境下进行切换。当第二腔体由真空环境向非真空环境切换时,...
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