技术编号：10536939
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。诸如切换模式电源和半桥电路的应用通常取决于包括补偿结构的功率半导体切换器件。补偿结构在反向阻断模式中侧向耗尽，因而增加了半导体切换器件的漂移区中的掺杂剂浓度，而不会不利地影响反向阻断特性。需要提供具有减少的切换损失的半导体器件。发明内容根据实施例，一种半导体器件，包括半导体本体，包括晶体管单元和位于漏极层和晶体管单元之间的漂移区。漂移区包括补偿结构。在耗尽电压之上，第一输出电荷梯度偏离第二输出电荷梯度小于5%，通过将漏极源极电压从耗尽电压增加至最大漏极源极...
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