技术编号：10536944
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着半导体工业已经进入到纳米技术工艺节点以追求更高的器件密度、更高的性 能和更低的成本，来自制造和设计问题的挑战已经导致诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的 三维设计的发展。FinFET器件通常包括具有高高宽比的半导体鳍，并且其中，形成半导体晶 体管器件的源极/漏极区。利用沟道和源极/漏极区的增大的表面区的优势，在鳍结构上方 和沿着鳍结构的侧面(例如，包裹)形成栅极以产生更快、更可靠和更好控制的半导体晶体 管器件。在一些器件中，例如，利用硅锗(SiGe...
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