技术编号：10554382
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前市场上工厂里一般用的都是P型多晶电池片，而这效率并不高。随着技术的进步，N型硅片的生产成本也在进一步的降低，而单晶的效率比多晶要更高，因此行业内出现了N型电池片的生产与应用。正对N型硅片的硼扩散方法也已经有了，因此N型双面电池运用而生。现有的N型双面电池双面扩散的方法，是通过CVD法沉积出SiN和S1作为掩膜，用来阻挡扩散中另外一种扩散的阻挡层。由于经过CVD的SiN和S1不干净，再带进炉管扩散会污染炉管，并且扩散后，SiN很难清洗干净。最后做出的双面...
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