技术编号:10658302
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 包括在电子装置中的半导体器件尺寸缩小以形成高速电子装置。作为缩小半导体 器件尺寸的技术,提出了一种包括形成在从衬底突出的鳍上的栅极的FinFET。在FinFET中, 使用鳍作为三维(3D)沟道。发明内容 本公开涉及一种具有提高的性能的集成电路(1C)器件。 本公开还涉及一种制造1C器件的方法。 根据本发明构思的示例实施例,一种1C器件包括衬底(其包括形成在衬底中的鳍 式有源区)、台阶绝缘层和第一高水平隔离层。鳍式有源区从衬底突出并且沿着平行于衬底 的主表...
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