技术编号：10658392
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。日本专利特开N0.2009-252782描述了具有如下结构的固态图像传感器该结构抑制在元件隔离绝缘层中产生的暗电流的影响。固态图像传感器包括由P型阱区域和η型区域形成的光电转换单元、元件隔离绝缘层、布置在元件隔离绝缘层和η型区域之间的第一 P型元件隔离层以及布置在第一 P型元件隔离层下的第二 P型元件隔离层。第一 P型元件隔离层和第二 P型元件隔离层被设置成以便围绕光电转换单元。在元件隔离部和半导体衬底之间的界面处存在缺陷。如果在缺陷中产生的暗电流流入光电...
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