技术编号:10658596
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有技术中,申请号为201380074273.4公开一种形成用于氮化镓基光电或电子器件的氮化铝(AlN)缓冲层的方法,其采用PVD在应用材料衬底上生长AlN材料,含铝靶材与含氮气体或以含氮气体为基础的等离子体发生反应的生长过程中掺入氧,该方法有益于AlN材料和后续采用MOCVD生长的GaN材料更匹配,能有效调节应力,改善后续生长的发光二极管外延材料的晶体质量。然而,所述方法的缺陷在于由于掺入1E18-1E23的氧含量,导致PVD生长的AlN材料的致密性变差...
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