技术编号：10663726
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路器件，并且具体而言，涉及通常被称为动态随机存取存储器 (DRAM)的易失性随机存取存储器。 DRAM是一种类型的随机存取存储器集成电路，在最常用的商业实施方式中，其在耦合到集成电路内的晶体管的独立电容器中存储数据的每个位。电容器可以被充电或放电。充电或放电的状态被解释为位的值，即“〇”和“1”。在过去30年间，一个晶体管一个电容器的单元已经是DRAM器件中使用的最商用的存储器单元。光刻缩放和增大工艺复杂性已经实现了大约每三年将DRAM中的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术无源代码，用于学习原理，如您想要源代码请勿下载。