技术编号:10696567
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体核辐射探测器的研究已经经历了半个多世纪的时间。其在核科学、天文学、宇宙物理、核能利用、工业自动化、核电站、核医学成像、反恐防恐和环保监测等众多领域得到了广泛的应用。目前,由于器件工艺的成熟,基于硅、锗为代表的第一代半导体材料已经发展了较为成熟的探测器件制备技术。但是,无论硅还是锗都因其较窄的带隙而对环境温度敏感、抗辐射能力弱,因而将其装备到强辐照环境下工作的系统中受到较大的限制。另一方面,对于化合物半导体,如II1-V族化合物GaAs、InGaAs、...
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