技术编号：10727568
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。传统的体Si材料的载流子迀移很难满足未来高性能半导体器件和电路的需求。应变SiGe器件与电路具有工作频率高、功耗小、与Si工艺兼容、成本低等优点，在微波器件、移动通信、高频电路等产业领域有着广泛的应用前景。SiGe还是极优异的光电材料，在探测器、调制器、光波导、光发射器、太阳电池、光电集成等方面有着广泛的应用。SGOI，即绝缘层上锗硅，是一种具有“SiGe/埋绝缘层/Si”三层结构的Si基半导体衬底材料，SGOI晶圆的埋绝缘层通常是S12,其热导率仅为硅的...
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