技术编号：10747291
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。随着集成电路特征尺寸的不断缩小，对晶片表面氧化膜的清洁度和平整度的要求越来越高，如晶片表面氧化膜厚度超限会直接影响后续工艺的质量，从而导致集成电路芯片的性能变差，使产品良率下降。尽管氧化膜的平整度可以通过改变氧化工艺条件进行控制，但在此工艺后仍需对晶片膜厚的均匀性进一步改善。单片湿法腐蚀由于无交叉污染和可区域腐蚀等优点成为了一种非常重要的提高膜厚均匀性的技术。但随着晶片尺寸的不断增大，精准控制单片湿法腐蚀速率及腐蚀的均匀性也变得越来越具有挑战。现有工艺中，...
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