技术编号:10770597
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。与GaAs衬底晶格匹配的AlGaInP基材料是一种直接带隙半导体,通过调整Al和Ga的比例,禁带宽度可在1.9eV?2.3eV之间变化,AlGaInP基LED的波长范围可以覆盖550nm?650nm。因此,AlGaInP基材料已广泛应用于红光、橙光、黄绿光LED的制造。由于AlGaInP基材料的折射率η高达3.0?3.5,远高于环氧树脂、硅胶(η ? 1.5)等LED常规封装材料。根据光的全反射定律可知,光从光密媒质进入光疏媒质会在界面处产生全反射现象,而...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。