技术编号:10805031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。如已知的,能够传导高电流并承受高电压的诸如例如MOSFET或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等的电子器件如今是可得到的。然而,这些器件可能会经受所谓的闩锁现象。例如,如参照IGBTI在图1中示出的,该晶体管具有寄生电路,其包括分别是PNP型和NPN型的第一寄生晶体管2和第二寄生晶体管3。另外,第一寄生晶体管2的集电极被连接至第二寄生晶体管3的基极,第二寄生晶体管3的集电极被连接至第一寄生晶体管2的基极,而第一、第二寄生晶体管2、3的发射极被分别连接至IGBT...
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