技术编号:10805078
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发光二极管(英文缩写为LED)是一种半导体固体发光器件,其利用半导体PN结作为发光结构,近年来,以GaN为代表的第三代宽禁带半导体材料受到了人们的广泛关注和大力研究,在大功率电子器件领域取得了显著的优势,并在近几年来取得了突破性的进展。如附图1所示,传统的GaN基发光二极管结构,至少包括N型层10、发光层20、P型电子阻挡层30、低温P型GaN层40、高温P型GaN层50和P型接触层60,以及分别位于P型接触层60上的P电极70。由于P电极70与外延层的接...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。