技术编号：10805085
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。发光二极管的光提取效率是指能够出射到器件表面以外的光子与外延片的有源区电子空穴复合所产生的总的光子的比例。在传统LED器件中，由于光面的全反射、衬底吸收、电极阻挡等因素的存在，光提取效率在30%以下，绝大部分光子被限制在器件内部被反复吸收，最终以热量的形式释放，从而影响器件可靠性。目前常用的是采用图形化的蓝宝石衬底或者在其背部设置DBR反射层来增加光提取效率。但仍存在光提取效率低的问题;此外，利用激光对外延片表面切割后浸泡化学溶液时容易产生缓冲层或缓冲层与...
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