技术编号:11008619
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。真空共晶炉是芯片焊接加工领域中的一种常见设备,其采用真空腔体的方式,将芯片放置在腔体内的加热台上,利用加热台的升温和降温过程,完成芯片焊接。现有真空共晶炉内加热台的加热方式包括对流加热、接触热传导和红外辐射加热。其中,受真空共晶炉内需抽真空和冲入惰性气体保护的影响,空气对流缓慢,甚至不产生对流,造成对流加热效率较低,无法实现正常焊接加热;接触式热传导需要将加热装置与被焊接工件放置平整,以增加双方与加热台的接触面积,达到提高热传导效率和迅速升温的目的,如果被...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。