技术编号:11040366
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能晶体硅技术领域。尤其涉及一种用于铸造晶体硅的籽晶块。背景技术目前铸造高效多晶硅锭的半熔法是通过在多晶硅锭生长炉内的容器底部铺设籽晶来生长晶体的方法,经过加热融化并控制坩埚底部温度使籽晶不被完全融化,使得硅熔体在未被完全融化的籽晶上生长,该方法制备得到的硅锭晶体相对于使用DSS方法制得的硅锭晶体提高了质量。然而,由于目前传统使用的铸造高效多晶硅锭的籽晶主要是单晶头尾料、边皮料、单晶硅块、多晶硅块、单晶碎片、多晶碎片、单晶硅碎料、多晶硅碎料和非晶体硅碎料、硅粉中的一种或几种。这些...
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