技术编号:11064422
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种接地装置及使用方法,确切地说是一种半导体设备中用于屏蔽成膜区域打火的接地装置及使用方法,属于半导体薄膜沉积应用及制备技术领域。背景技术现有的半导体镀膜设备中,有一类设备的工作原理或薄膜制备工艺要求是,真空反应腔体内,喷淋装置位于上方,薄膜衬底及其承载件位于下方,在喷淋装置上加载射频电压使其形成上电极,薄膜衬底下方的承载件接地形成下电极,薄膜生长过程中通入工艺气体,在上电极加载高频电压,既在工艺气体均匀地从喷淋装置中喷出时,上电极喷淋装置与下电极接地的薄膜衬底承载件之间产生射频电场,...
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