技术编号:11092575
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种同步高效转移铜箔上下表面生长的上下两片石墨烯薄膜的方法,属于材料科学技术领域。背景技术石墨烯由于其优异的导电性、透光性、传热性和力学性能而在电子、光学等众多领域展示了巨大的潜在应用价值。化学气相沉积法由于成分和环境的可控性已成为制备高质量大尺寸石墨烯和实现其产业化应用的最有效方法,该方法分为石墨烯的制备和转移两个过程,前者已趋于成熟,而后再如何将生长在铜箔基体上的石墨烯膜高效、无损地转移到目标基体上仍是一个巨大的挑战,是能否实现石墨烯产业化应用的关键。而一般采用溶剂刻蚀法都将生长在...
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