技术编号:11099477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于物理电源技术领域,特别是涉及一种高能量密度薄膜电容及其制备方法。背景技术目前,电容的储能密度主要决定于电容容量和击穿电压,E=1/2CV2。目前电容器件(包括普通电容和超级电容器等)主要通过缩小电极间距离、增加电极比表面积来提高电容值和能量密度。在此基础上,通过选择改变电介质介电性质,提高其击穿电压和相对介电常数也是提高电容能量密度的有效途径。专利(CN200910134160.4和CN200910145423.1)提出了磁电容储能的概念,通过磁场影响电介质的介电性质。基于平行板电容器...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。