技术编号:11101868
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及本发明属于微电子技术领域,涉及半导体器件,特别是一种适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构及其制备方法。背景技术碳化硅(SiC)具有宽禁带(Si的3倍)、高热导率(Si的3.3倍)、高的临界击穿电场(Si的10倍)、高饱和电子迁移率(Si的2.5倍)以及高键合能等优点,这就使得碳化硅材料可以很好地适用于高性能(高频、高温、高功率、抗辐射)电子器件。高的热导率有利于大功率器件的热耗散和高密度集成;高的载流子饱和迁移速率可以使之应用于高速开关器件;高的临界位移能使碳化硅器...
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