技术编号：11101935
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓基HEMT外延结构，特别是涉及一种具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法，属于半导体微电子技术领域。背景技术氮化镓材料和硅、砷化镓等半导体材料相比，具有更强的临界击穿电场、更大的电子饱和漂移速度、更高的禁带宽度及热导率等特性，在高压高频电子器件领域具有很大优势。三族氮化物材料还具有很大的自发和压电极化系数，利用此特性可以制备高电子迁移率晶体管器件，可以用于高压大功率开关器件和高频微波器件领域。图1为现有技术GaN基HEMT外延结构示意图，GaN/AlGaN异质结...
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