技术编号:11102425
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池领域,尤其涉及一种制备太阳能电池金属栅线中锡层的保护方法。背景技术异质结太阳能电池是硅衬底上生长非晶硅薄层的太阳能电池,具有结构简单、工艺温度低、转换效率高,温度特性好的特点,是适合于大规模推广应用的高效电池之一,具有很好的发展前景。以n型硅衬底为例,如图1所示异质结太阳能电池的主要结构为:在n型硅衬底受光面上先后沉积薄膜本征非晶硅层及P型非晶硅发射极层,形成带有薄膜本征非晶硅夹层的异质PN结;在俩面掺杂的非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物层,最后在透明导电氧化物层形成栅...
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