技术编号：11105769
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构相关申请案交互参照本申请案主张2014年7月7日提出申请的发明名称为「INTEGRATEDCMOSANDMEMSSENSORFABRICATIONMETHODANDSTRUCTURE」的美国临时专利申请案第62/021,626号根据35USC119(e)的优先权，其全文引用合并于本文中。技术领域本发明基本上是关于CMOS-MEMS集积式装置，且更尤指CMOS-MEMS集积式装置的制作方法。背景技术传统上，为了提供具有至少一个凹穴于其中的CMOS-MEM...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。