技术编号:11126689
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜混合集成电路上导电膜层的制备技术领域,尤其涉及一种用于金属镀膜的矩形磁控溅射靶。背景技术随着研制高端微波器件的薄膜混合电路基板尺寸增大、产能增长和性能提升,磁控溅射系统对磁控溅射靶的要求也越来越高,如靶材利用率、沉膜均匀性、最大加载功率等。传统矩形磁控溅射靶采用矩形磁钢结构,两端磁场分布与中部不一致,最终有效溅射沉膜区域只有中部位置,造成靶材极大浪费,且沉膜均匀性受磁场分布限制,无法提升。发明内容本发明要解决的技术问题是克服现有技术的不足,提供一种可改变靶材表面磁场强度分布,提高矩...
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