技术编号:11136656
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池的技术领域,特别是涉及一种晶硅电池多层钝化膜及其制造方法。背景技术目前,在太阳能电池大规模生产中常采用在硅片表面沉积减反射膜的方式增加光的利用率,提升电池转换效率。常见的薄膜主要有氮化硅SiNx和氧化硅SiOx,两种薄膜具有不同的特性和制备方法。氮化硅SiNx薄膜多采用PECVD沉积的方式进行制备,具有减反射性能和体钝化效果好、沉积温度低,产能高等特点,但氮化硅膜与硅基体结合界面态高和消光特性也限制了电池转化效率的进一步提升。相比较于SiNx,氧化硅SiOx薄膜具有更低的界面...
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