技术编号：11147033
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于致密氧化物薄膜制备技术领域，具体涉及一种磁极辅助非平衡磁控溅射装置。背景技术电解质薄膜是能源转换器件中重要的组成部分。目前，电解质薄膜普遍采用传统射频溅射制备的方法，但制备出的电解质膜无法达到致密结构的要求，这极大限制了能源转换器件的研究及发展。传统的射频溅射装置采用平面平衡磁控电极，这种方式中沉积材料的能量较低，在薄膜增厚的界面上，沉积原子或原子团不能充分扩散，进而导致所沉积的薄膜在微观结构上有许多的孔隙，且厚度不均匀，不能满足对利用溅射装置制备高致密度电解质膜的需求。发明内容本发明...
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