技术编号:11147048
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光催化材料技术领域,特别涉及一种高效氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。技术背景半导体光催化材料由于其强大的氧化能力可以降解多种有毒有害污染物,同时,其对环境友好,可利用太阳能,反应条件温和,成本低等特点使其具有极其广阔的应用前景,日益受到国内外学者的广泛关注。其中,TiO2是目前最具应用潜力的宽禁带半导体材料之一,尤其是光激发产生电子-空穴对的能力被广泛应用于光催化领域。但由于TiO2禁带宽度较大,只能在紫外光下才能激发其光催化作用,使其使用受到了限制,为了提高对太阳光的有效利用,对TiO...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。