技术编号:11202923
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包括InGaAs沟道的FET装置及制造该FET装置的方法本申请要求于2016年3月21日在美国专利商标局提交的第62/311,025号美国临时专利申请和于2016年11月8日在美国专利商标局提交的第15/346,535号美国非临时专利申请的优先权和权益,这些申请的全部内容通过引用包含于此。技术领域以下描述总体上涉及包括由砷化铟镓(InGaAs)形成的沟道的场效应晶体管(FET)。背景技术根据阈值电压(Vt),FET装置可分类为常规阈值电压(RVT)装置、低阈值电压(LVT)装置或超低阈值电压(S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。